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图形化CVD金刚石膜的新方法——等离子体辅助固体刻蚀法 被引量:2
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作者 满卫东 孙蕾 +3 位作者 吴宇琼 谢鹏 余学超 汪建华 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第6期1-4,8,共5页
金刚石膜是一种具有巨大应用潜力的新型功能材料,但是它极高的硬度和化学稳定性使其难以被加工成型,因此如何对金刚石膜表面进行精确的图形化加工是实现制造金刚石器件的关键技术问题之一。在本研究中,我们用微波等离子体化学气相沉积... 金刚石膜是一种具有巨大应用潜力的新型功能材料,但是它极高的硬度和化学稳定性使其难以被加工成型,因此如何对金刚石膜表面进行精确的图形化加工是实现制造金刚石器件的关键技术问题之一。在本研究中,我们用微波等离子体化学气相沉积法制备的金刚石厚膜,在其表面利用氢等离子体辅助刻蚀、铁薄膜的催石墨化作用下,对金刚石膜的形核面进行了选择性的刻蚀。结果表明,该方法具有较高的刻蚀速率(850℃,33.8μm/h),较高的刻蚀选择比,可以对CVD金刚石膜进行较精确的图形化刻蚀,还可通过调节铁薄膜的厚度来实现刻蚀深度的控制。对氢等离子体在整个过程中的作用进行了阐述。 展开更多
关键词 金刚石膜 刻蚀 等离子体 图形化加工
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用氢气/甲醇混合气体在微波等离子体CVD中合成纳米晶粒金刚石膜(英文) 被引量:9
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作者 满卫东 江建华 +3 位作者 王传新 马志斌 王升高 熊礼威 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期126-128,131,共4页
用微波等离子体增强化学气相沉积方法(MPECVD),利用氢气和甲醇的混合气体,在硅片上沉积出纳米晶粒的金刚石薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)及扫描隧道显微镜(STM)对薄膜的晶粒平面平整性及纯度进行了... 用微波等离子体增强化学气相沉积方法(MPECVD),利用氢气和甲醇的混合气体,在硅片上沉积出纳米晶粒的金刚石薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)及扫描隧道显微镜(STM)对薄膜的晶粒平面平整性及纯度进行了表征。通过SEM发现,提高甲醇浓度或降低沉积温度可以减小金刚石膜的晶粒尺寸。拉曼光谱显示薄膜中确实存在纳米晶粒的金刚石,并且薄膜的主要成分为金刚石。用AFM测得薄膜表面的粗糙度Rms<80nm,STM观测晶粒的平均尺寸在10-20nm之间。研究结果表明,用MPECVD方法,利用氢气和甲醇的混合气体是制备纳米晶粒金刚石膜的一种理想方法。 展开更多
关键词 纳米晶粒 金刚石膜 微波 化学气相沉积
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微波等离子体同质外延修复金刚石的研究 被引量:9
3
作者 满卫东 谢鹏 +2 位作者 吴宇琼 孙蕾 汪建华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1157-1161,共5页
用微波等离子体化学气相沉积法同质外延生长了有缺陷的金刚石颗粒。在同质外延之前,研究了温度因素对金刚石生长表面形貌的影响,研究表明适宜金刚石同质外延的温度范围非常窄,在1030℃左右;温度低于920℃,大尺寸的金刚石单晶颗粒就很难... 用微波等离子体化学气相沉积法同质外延生长了有缺陷的金刚石颗粒。在同质外延之前,研究了温度因素对金刚石生长表面形貌的影响,研究表明适宜金刚石同质外延的温度范围非常窄,在1030℃左右;温度低于920℃,大尺寸的金刚石单晶颗粒就很难得到,二次形核现象变的很严重。在实验得出的优化温度条件下,对表面有缺陷的天然金刚石进行了同质外延生长,用扫描电子显微镜(SEM)观察发现,原来金刚石表面的裂缝被修复,外延生长速率达到10.3μm/h。 展开更多
关键词 同质外延 金刚石 微波等离子体化学气相沉积
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等离子体技术——一种处理废弃物的理想方法 被引量:13
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作者 满卫东 吴宇琼 谢鹏 《化学与生物工程》 CAS 2009年第5期1-5,共5页
等离子体环保技术随当今世界环境问题的日益严峻而得到迅速发展。简单介绍了等离子体的相关概念及其处理"三废"的机理,对国内外利用等离子体技术处理各种废弃物的研究现状进行了分析,指出等离子体技术是处理废弃物最有效的方... 等离子体环保技术随当今世界环境问题的日益严峻而得到迅速发展。简单介绍了等离子体的相关概念及其处理"三废"的机理,对国内外利用等离子体技术处理各种废弃物的研究现状进行了分析,指出等离子体技术是处理废弃物最有效的方法之一。 展开更多
关键词 等离子体技术 三废 降解 废物处理 污染物控制
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微波等离子体CVD法制备金刚石薄膜涂层钻头 被引量:2
5
作者 谢鹏 汪建华 +2 位作者 满卫东 王传新 孙蕾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期309-311,318,共4页
在微波等离子体CVD中,在直径为0.8mm硬质合金钻头上进行沉积金刚石涂层的研究。在沉积前,用硝酸(HNO3:H2O=1:4)腐蚀60s,以去除表面的Co。在金刚石涂层沉积过程中,钻头尖端在微波电磁场中产生辉光放电现象,导致钻头尖端刃部很难获得金刚... 在微波等离子体CVD中,在直径为0.8mm硬质合金钻头上进行沉积金刚石涂层的研究。在沉积前,用硝酸(HNO3:H2O=1:4)腐蚀60s,以去除表面的Co。在金刚石涂层沉积过程中,钻头尖端在微波电磁场中产生辉光放电现象,导致钻头尖端刃部很难获得金刚石涂层。通过使用金属丝屏蔽的方法改变钻头周围的微波电磁场分布,成功地采用微波等离子体CVD法在钻头上沉积出了金刚石涂层。用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和激光拉曼光谱对基体和薄膜进行了表征。结果表明,金刚石薄膜表面比较光滑,晶粒尺寸较小,涂层质量良好;在铝基复合材料上钻孔测试表明,薄膜的附着力也较高。 展开更多
关键词 金刚石涂层 钻头 微波等离子体化学气相沉积 硬质合金
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氧等离子体处理硬质合金表面对金刚石薄膜附着性能的影响
6
作者 邢文娟 汪建华 +2 位作者 王传新 皮华滨 余学超 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期689-693,698,共6页
本文采用微波氧等离子体刻蚀硬质合金基体表面,再利用热的浓碱溶液清除硬质合金表面所形成的氧化物,通过扫描电镜(SEM)观察了试样表面情况,并通过X射线能谱(EDAX)分析了硬质合金表面各成分变化情况。经过预处理的试样采用热丝化学气相沉... 本文采用微波氧等离子体刻蚀硬质合金基体表面,再利用热的浓碱溶液清除硬质合金表面所形成的氧化物,通过扫描电镜(SEM)观察了试样表面情况,并通过X射线能谱(EDAX)分析了硬质合金表面各成分变化情况。经过预处理的试样采用热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜,对所沉积出的金刚石薄膜采用SEM观察及压痕测试,发现经过氧等离子体处理的金刚石刀具较两步酸蚀法处理过的金刚石薄膜涂层,其附着性能有较大提高。 展开更多
关键词 氧等离子体 金刚石薄膜 硬质合金刀具 附着性能
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高功率微波等离子体对单晶金刚石同质外延生长的影响 被引量:3
7
作者 张青 翁俊 +4 位作者 刘繁 李廷垟 汪建华 熊礼威 赵洪阳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期364-373,398,共11页
目的为了优化单晶金刚石大批量生长的等离子体环境,研究高功率微波等离子体环境对单晶金刚石外延生长层的影响。方法利用实验室自主研发的915 MHz–MPCVD装置,在20~35 kW高功率微波馈入的条件下,具体研究了高功率等离子体环境中甲烷浓... 目的为了优化单晶金刚石大批量生长的等离子体环境,研究高功率微波等离子体环境对单晶金刚石外延生长层的影响。方法利用实验室自主研发的915 MHz–MPCVD装置,在20~35 kW高功率微波馈入的条件下,具体研究了高功率等离子体环境中甲烷浓度、微波功率及基片温度对单晶金刚石外延生长层的影响。利用光学显微镜、激光拉曼光谱及光致发光光谱对所生长的单晶金刚石进行形貌质量表征,利用等离子体发射光谱对高功率微波等离子体环境进行诊断。结果在馈入25 kW的微波功率时,将甲烷的体积分数从6%下降至3%,可以使单晶金刚石更易于出现层状生长结构;保持甲烷体积分数为3%,将微波功率从25 kW提高到35 kW,可以进一步优化单晶金刚石生长的层状结构,提高单晶金刚石的生长质量和生长速率;保持微波功率为35 kW,当甲烷体积分数为3%时,将基片温度从800℃提高到1210℃可以明显提高单晶金刚石的生长速率,但会易于引入非金刚石相;保持甲烷体积分数为3%,将微波功率提高到35 kW,可以在等离子体中激发更多有利于金刚石快速生长的含碳活性基团;当微波功率为35 kW、甲烷体积分数为3%、基片温度为950℃时,单晶金刚石的生长速率可达25.6μm/h,且单晶金刚石的质量及颜色较好。结论在高功率等离子体环境中,即使在相对较低的甲烷浓度下,通过大幅度提高微波功率也可以有效活化含碳基团,在等离子体中产生有利于单晶金刚石高质量高速生长的活性基团;基片温度对单晶金刚石中的非金刚石相及颜色具有显著影响,在微波功率为35 kW、甲烷体积分数为3%的情况下,将基片温度控制在950℃附近,可以有效抑制非金刚石相的生成。 展开更多
关键词 单晶金刚石 微波等离子体 化学气相沉积 高功率 高速率
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Ar对微波等离子体CVD单晶金刚石生长的影响 被引量:4
8
作者 林晓棋 满卫东 +2 位作者 吕继磊 张玮 江南 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期337-341,共5页
采用自主研发的5 k W不锈钢谐振腔式MPCVD设备,在Ar/H2/CH4气氛下,保持总气压与CH4气流量不变,研究了不同Ar/H2比例对单晶金刚石生长速度和晶体质量的影响。通过拉曼光谱与高分辨率XRD摇摆曲线,从生长速度与生长质量两点对所得样品进行... 采用自主研发的5 k W不锈钢谐振腔式MPCVD设备,在Ar/H2/CH4气氛下,保持总气压与CH4气流量不变,研究了不同Ar/H2比例对单晶金刚石生长速度和晶体质量的影响。通过拉曼光谱与高分辨率XRD摇摆曲线,从生长速度与生长质量两点对所得样品进行分析。结果表明,适量Ar的存在能够显著提高单晶金刚石的生长速度,并且不损害金刚石的晶体质量。当Ar/H2=30%时,生长速度最高,为35μm/h。随着Ar/H2比例的进一步增加,单晶金刚石的结晶质量会有所下降,Ar/H2比例过高则会严重破坏单晶金刚石的生长。 展开更多
关键词 MPCVD 单晶金刚石 AR
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高功率微波等离子体环境下甲烷浓度对金刚石膜的影响 被引量:5
9
作者 罗凯 汪建华 +1 位作者 余军火 翁俊 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A02期505-511,共7页
在实验室自制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置中,分析了高功率微波等离子体环境中甲烷浓度对金刚石膜生长的影响。利用等离子体发射光谱诊断分析高功率微波等离子体放电环境的特征,同时利用SEM及Raman光谱对不同沉积条件下获得的... 在实验室自制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置中,分析了高功率微波等离子体环境中甲烷浓度对金刚石膜生长的影响。利用等离子体发射光谱诊断分析高功率微波等离子体放电环境的特征,同时利用SEM及Raman光谱对不同沉积条件下获得的金刚石膜的形貌及质量进行表征,以确定高功率微波等离子体环境下金刚石膜生长的最优甲烷浓度范围。实验表明在保持微波功率为5000W,CH_4/H_2≤1%时,金刚石膜中二次形核现象明显,晶粒尺寸较小;CH_4/H_2≥2.5%时,金刚石膜可获得较大的晶粒,但易于产生孪晶体;CH_4/H_2=1.5%~2%时,可获得晶粒完整且质量较高的金刚石膜。 展开更多
关键词 甲烷 高微波功率 微波等离子体 化学气相沉积
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氧回旋离子束刻蚀化学气相沉积金刚石膜 被引量:3
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作者 吴俊 马志斌 沈武林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期2459-2463,共5页
利用非对称磁镜场电子回旋共振等离子体产生的氧回旋离子束刻蚀了化学气相沉积金刚石膜,研究了工作气压和磁电加热电压对金刚石样品附近的离子温度和密度的影响,并分析了金刚石膜的刻蚀和机械抛光效果。结果表明:当工作气压为0.03Pa,磁... 利用非对称磁镜场电子回旋共振等离子体产生的氧回旋离子束刻蚀了化学气相沉积金刚石膜,研究了工作气压和磁电加热电压对金刚石样品附近的离子温度和密度的影响,并分析了金刚石膜的刻蚀和机械抛光效果。结果表明:当工作气压为0.03Pa,磁电加热电压为200 V时,离子温度和密度最大,分别为7.38eV和23.8×1010cm-3。在此优化条件下刻蚀金刚石膜4h后,其表面粗糙度由刻蚀前的3.525μm降为2.512μm,机械抛光15min后,表面粗糙度降低为0.517μm,即金刚石膜经离子束刻蚀后可显著提高机械抛光效率。 展开更多
关键词 离子灵敏探针 离子温度 金刚石膜 刻蚀 回旋离子束
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碳化硅陶瓷密封材料上沉积复合金刚石薄膜 被引量:4
11
作者 张玮 满卫东 +3 位作者 林晓棋 吕继磊 阳硕 赵彦君 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期993-997,共5页
利用直流辉光等离子体化学气相沉积(DC-GD CVD)设备在碳化硅(SiC)密封材料上沉积复合金刚石薄膜(ICD)。实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜(MCD),然后再沉积一层纳米金刚石薄膜(NCD)形成复合金刚石薄膜(ICD... 利用直流辉光等离子体化学气相沉积(DC-GD CVD)设备在碳化硅(SiC)密封材料上沉积复合金刚石薄膜(ICD)。实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜(MCD),然后再沉积一层纳米金刚石薄膜(NCD)形成复合金刚石薄膜(ICD)。通过场发射扫面电镜和拉曼测试,研究了MCD、NCD和ICD薄膜的表面形貌和材料结构。各种金刚石薄膜利用轮廓仪、划痕测试和摩擦磨损测试其力学性能。结果显示ICD薄膜既有较强的结合力,其摩擦系数也较低。ICD薄膜涂层的SiC密封环的摩擦系数为0.08~0.1。 展开更多
关键词 碳化硅 金刚石薄膜 等离子体化学气相沉积 摩擦系数
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硫/碳纤维复合膜的制备及电化学性能 被引量:2
12
作者 杨学兵 王传新 +2 位作者 汪建华 谢秋实 谢海鸥 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2431-2436,共6页
采用热丝化学气相沉积法先在铁箔上沉积了致密的碳纤维膜,后通过加热渗硫法制得硫/碳纤维复合膜,并将其用作锂硫电池正极材料。通过扫描电子显微镜和X射线衍射表征膜的形貌和结构,采用恒流充放电法和阻抗测量法测试复合膜的电化学性能... 采用热丝化学气相沉积法先在铁箔上沉积了致密的碳纤维膜,后通过加热渗硫法制得硫/碳纤维复合膜,并将其用作锂硫电池正极材料。通过扫描电子显微镜和X射线衍射表征膜的形貌和结构,采用恒流充放电法和阻抗测量法测试复合膜的电化学性能。结果表明,随热丝与铁箔基底间距减小,碳纤维膜致密度先升高后降低;随H2与(Ar+C3H6O)的体积流量比减小,碳纤维膜致密度升高。当丝基距为6 mm,流量比为30/40时,铁箔上沉积了厚度为50μm的致密碳纤维膜,其中碳纤维有良好的垂直取向性和较高结晶度。在硫/碳纤维复合膜正极中,密集的碳纤维形成均匀分布且垂直取向性良好的导电骨架,当电流密度为0.4 mA.cm-2时,硫/碳纤维复合膜正极的初次放电比容量为1 128 mAh.g-1,50次循环后的放电比容量为811 mAh.g-1。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 碳纤维膜 锂硫电池 正极材料
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热丝化学气相沉积纳米金刚石修复损伤PCD刀具的研究 被引量:3
13
作者 许青波 王传新 +2 位作者 王涛 代凯 王振湉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期390-395,共6页
利用热丝化学气相沉积装置,以聚晶金刚石片为衬底,在氢气/丙酮/氩气反应体系中研究了衬底温度对纳米金刚石生长的影响。采用扫描电子显微镜对生长结果进行了表征,结果表明在衬底温度950℃的情况下,金刚石薄膜表面结构呈"菜花"... 利用热丝化学气相沉积装置,以聚晶金刚石片为衬底,在氢气/丙酮/氩气反应体系中研究了衬底温度对纳米金刚石生长的影响。采用扫描电子显微镜对生长结果进行了表征,结果表明在衬底温度950℃的情况下,金刚石薄膜表面结构呈"菜花"状,致密性较差,生长速率为4.44μm/h。随着温度当衬底温度的降低,"菜花"状结构逐渐消失,致密性提高,生长速率降低。当衬底温度下降到750℃时,"菜花"状结构完全消失,生长速率为3.43μm/h。根据实验结果对损伤长度从几微米到几十微米的聚晶金刚石铣刀刃口进行了修复,并采用扫描电子显微镜进行了表征,结果显示修复后表面光洁度有明显改善。对钛合金片表现为良好的加工效果。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 金刚石 纳米 修复
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层状二硫化钼纳米材料的研究进展 被引量:6
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作者 樊子冉 孔洋洋 +2 位作者 李宇豪 李志 贾婷婷 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第7期1190-1202,共13页
二硫化钼由于具有合适的层间间距、间隙可调、较高的机械强度、比较稳定的化学性质等,引起了国内外科研人员的高度重视,成为下一代光电子器件的理想材料。它被广泛应用于各种领域,如太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管、传感器、存... 二硫化钼由于具有合适的层间间距、间隙可调、较高的机械强度、比较稳定的化学性质等,引起了国内外科研人员的高度重视,成为下一代光电子器件的理想材料。它被广泛应用于各种领域,如太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管、传感器、存储器等。本文综述了二硫化钼的最新进展,主要包括二硫化钼的晶体结构、能带结构和光学性质,介绍了二硫化钼的制备方法,总结了表征二硫化钼结构的方法,归纳了层状二硫化钼在光电子器件以及微电子器件等领域的制备与应用,最后提出了该研究领域的挑战与机遇。 展开更多
关键词 二维材料 材料制备 材料表征 光电子器件 微电子器件
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MPCVD法在基片边缘生长大颗粒金刚石的研究 被引量:15
15
作者 满卫东 翁俊 +3 位作者 吴宇琼 吕继磊 董维 汪建华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期53-59,共7页
本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出晶粒尺寸达500μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h的沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石。在实验中,利用SEM和Ram an光谱对... 本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出晶粒尺寸达500μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h的沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石。在实验中,利用SEM和Ram an光谱对基片边缘区域和中央区域所沉积的金刚石颗粒进行了表征。结果表明,边缘处沉积的金刚石颗粒与中央区域沉积的金刚石颗粒相比,具有更大的晶粒尺寸和更好的质量。通过仔细观察实验条件,对边缘效应产生的原因进行了分析,发现由于基片边缘放电,使得基片表面的电场强度和温度分布发生变化,从而导致基片边缘区域的等离子体密度和温度高于中央区域,高等离子体密度和温度的综合作用是使得在基片边缘能以较高的沉积速率沉积出大尺寸金刚石颗粒的主要原因。 展开更多
关键词 MPCVD 边缘效应 大颗粒金刚石
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纳米金刚石薄膜的应用及其研究进展 被引量:9
16
作者 熊礼威 崔晓慧 +4 位作者 汪建华 张莹 易成 吴超 张林 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期98-102,111,共6页
以纳米金刚石薄膜的应用为主线,讨论了它在机械、光学、声学、电学等应用领域的优势,以实例分析、证明了其在各领域中所展现出的优异性能。综述了纳米金刚石薄膜在上述应用领域的研究进展,同时从不同方向阐释了其研究应用过程中所存在... 以纳米金刚石薄膜的应用为主线,讨论了它在机械、光学、声学、电学等应用领域的优势,以实例分析、证明了其在各领域中所展现出的优异性能。综述了纳米金刚石薄膜在上述应用领域的研究进展,同时从不同方向阐释了其研究应用过程中所存在的不足,并对其今后的主要发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 应用 研究进展
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锂硫电池的研究现状与展望 被引量:10
17
作者 皮华滨 王传新 +1 位作者 汪建华 吴雪梅 《电池》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期113-115,共3页
从电解质体系研制、锂负极改性、硫系正极材料制备等3个方面,介绍了近年来锂硫电池的研究现状,并对发展前景进行了展望。
关键词 锂硫电池 电解质 锂负极 正极材料
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金刚石半导体研究进展 被引量:8
18
作者 熊礼威 汪建华 +2 位作者 满卫东 刘长林 翁俊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期117-121,共5页
金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景。通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势。详细介绍了金刚石半... 金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景。通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势。详细介绍了金刚石半导体掺杂以及金刚石半导体器件的种类和应用,并在此基础上展望了金刚石在半导体领域的应用。 展开更多
关键词 金刚石 半导体 掺杂
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CVD金刚石厚膜的机械抛光研究 被引量:18
19
作者 严朝辉 汪建华 +1 位作者 满卫东 熊军 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2007年第3期32-35,共4页
化学气相沉积(CVD)制备的金刚石膜表面粗糙且厚薄不均匀,在许多情况下不能直接使用,必须对其进行抛光。本文研究了不同型号的金刚石微粉对CVD金刚石厚膜研磨的影响,通过对研磨结果的比较分析,优化出一种高质量高效率的抛光方法,即先采用... 化学气相沉积(CVD)制备的金刚石膜表面粗糙且厚薄不均匀,在许多情况下不能直接使用,必须对其进行抛光。本文研究了不同型号的金刚石微粉对CVD金刚石厚膜研磨的影响,通过对研磨结果的比较分析,优化出一种高质量高效率的抛光方法,即先采用W40和W28金刚石微粉,分别研磨2 h,然后用W0.5金刚石微粉研磨4 h。经扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试分析表明:金刚石膜的平均去除率为12.2μm/h,粗糙度Ra由4.60μm降至3.06 nm,说明该抛光方法能实现金刚石膜高质量、高效率的抛光。 展开更多
关键词 CVD金刚石膜 研磨 抛光
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同质外延单晶CVD金刚石的研究进展 被引量:5
20
作者 朱金凤 满卫东 +2 位作者 吕继磊 匡巧 汪建华 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2011年第4期15-22,共8页
金刚石因具有诸多优异的物理化学性能而使其在很多领域都有非常广阔的应用前景。CVD法高速合成大面积、高质量单晶金刚石一直是人工合成金刚石的研究热点之一。本文首先从基底预处理、生长参数的优化以及合成工艺的改进这三个方面综述了... 金刚石因具有诸多优异的物理化学性能而使其在很多领域都有非常广阔的应用前景。CVD法高速合成大面积、高质量单晶金刚石一直是人工合成金刚石的研究热点之一。本文首先从基底预处理、生长参数的优化以及合成工艺的改进这三个方面综述了MPCVD同质外延单晶金刚石的研究进展,其次对国内外CVD外延单晶金刚石的研究进展进行了简单的介绍,最后对CVD法合成单晶金刚石的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 单晶金刚石 化学气相沉积 同质外延 生长速率
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