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ZnSe纳米材料及界面的制备与表征被引量：1: 1; 作者金磊王建波 +7 位作者贾双凤徐中领严雪邓量子蔡瑶卢萍 LEUNG Y P CHOY WC H 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期325-334,共10页; 利用热蒸发法对ZnSe纳米材料的相控合成进行了研究,制备了多种具有稳定闪锌矿和亚稳纤锌矿结构的ZnSe纳米材料,如ZnSe纳米线、纳米圈、纳米轮及三晶纳米带。同时,在相控合成基础上,通过改变管式炉内反应压强获得了几种同质与异质界面。... 展开更多; 关键词硒化锌(ZnSe) 透射电子显微学(TEM) 纳米材料界面; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能被引量：11: 2; 作者方国家王明军 +4 位作者刘逆霜李春艾磊李军赵兴中《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期421-424,共4页; 采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择... 展开更多; 关键词 ZNO纳米线阵列光致发光场致电子发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅被引量：4: 3; 作者王定理周宁 +3 位作者王磊刘文徐智谋石兢《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期56-59,共4页; 分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长... 展开更多; 关键词纳米压印半导体激光器分布反馈光栅相移型光栅干法刻蚀技术湿法腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

p型ZnO薄膜研究进展被引量：4: 4; 作者盛苏方国家袁龙炎《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期637-641,645,共6页; ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED... 展开更多; 关键词 ZNO薄膜 P型掺杂同质p—n结; 在线阅读下载PDF 职称材料

离线热处理和原位电子辐照下羟基硫酸镍纳米带结构演变的TEM研究被引量：2: 5; 作者卢小莉张珂 +3 位作者李露颖王建波唐一文贾志勇《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第4期275-281,共7页; 利用透射电子显微术,主要包括亮场像形貌观察、选区电子衍射结合运动学模拟计算和高分辨电子显微像,对水热法制备的结晶良好的Ni(SO4)0.3(OH)1.4纳米带结构和生长形态进行了表征,并结合利用在不同温度的离线热处理及原位电子辐照,对从... 展开更多; 关键词纳米带羟基硫酸镍热处理电子辐照选区电子衍射; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnSe复合孪晶纳米带的TEM表征被引量：2: 6; 作者曹广义金磊王建波《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第3期185-191,共7页; 通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌(ZnSe)复合孪晶纳米带。利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成... 展开更多; 关键词复合孪晶纳米带硒化锌会聚束电子衍射选区电子衍射; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnSe纳米材料及界面的制备与表征被引量：1: 1; 作者金磊王建波贾双凤徐中领严雪邓量子蔡瑶卢萍 LEUNG Y P CHOY WC H; 机构武汉大学物理科学与技术学院和声光材料与器件教育部重点实验室武汉大学电子显微镜中心香港大学电机与电子工程学系; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期325-334,共10页; 基金新世纪优秀人才支持计划(NCET-07-0640) 湖北省青年杰出人才基金(2005ABB014); 文摘利用热蒸发法对ZnSe纳米材料的相控合成进行了研究,制备了多种具有稳定闪锌矿和亚稳纤锌矿结构的ZnSe纳米材料,如ZnSe纳米线、纳米圈、纳米轮及三晶纳米带。同时,在相控合成基础上,通过改变管式炉内反应压强获得了几种同质与异质界面。利用多种透射电子显微学手段对合成的ZnSe纳米材料及相关同质与异质界面进行了深入表征,并对ZnSe纳米材料的生长机理进行了探讨。; 关键词硒化锌(ZnSe) 透射电子显微学(TEM) 纳米材料界面; Keywords zinc selenide （ZnSe） transmission electron microscopy （TEM） nanostructures interface; 分类号 TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能被引量：11: 2; 作者方国家王明军刘逆霜李春艾磊李军赵兴中; 机构武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期421-424,共4页; 基金高等学校博士点研究基金资助项目(20070486015); 文摘采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高。场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2V/μm,具有较好的场致电子发射性能。; 关键词 ZNO纳米线阵列光致发光场致电子发射; Keywords aligned ZnO nanowires photoluminescence field electron emission; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅被引量：4: 3; 作者王定理周宁王磊刘文徐智谋石兢; 机构武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室武汉光迅科技股份有限公司新一代光纤通信技术和网络国家重点实验室(筹) 华中科技大学武汉光电国家实验室; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期56-59,共4页; 基金国家863资助项目(2009AA03Z418); 文摘分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。; 关键词纳米压印半导体激光器分布反馈光栅相移型光栅干法刻蚀技术湿法腐蚀; Keywords nanoimprint semiconductor laser DFB grating phase-shift grating dry etching technique; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名p型ZnO薄膜研究进展被引量：4: 4; 作者盛苏方国家袁龙炎; 机构武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室; 出处《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期637-641,645,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(60244003) 湖北省新世纪高层次人才工程资助项目; 文摘 ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.; 关键词 ZNO薄膜 P型掺杂同质p—n结; Keywords ZnO film p - type doping homogeneous p - n junction; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离线热处理和原位电子辐照下羟基硫酸镍纳米带结构演变的TEM研究被引量：2: 5; 作者卢小莉张珂李露颖王建波唐一文贾志勇; 机构武汉大学物理科学与技术学院武汉大学电子显微镜中心华中师范大学物理科学与技术学院纳米研究院; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第4期275-281,共7页; 基金教育部新世纪人才基金湖北省青年杰出人才基金资助项目(No.2005ABB014); 文摘利用透射电子显微术,主要包括亮场像形貌观察、选区电子衍射结合运动学模拟计算和高分辨电子显微像,对水热法制备的结晶良好的Ni(SO4)0.3(OH)1.4纳米带结构和生长形态进行了表征,并结合利用在不同温度的离线热处理及原位电子辐照,对从结晶良好的Ni(SO4)0.3(OH)1.4纳米带到疏松多孔的NiO纳米带,最后到NiO纳米颗粒的结构演变进行了系统研究,得到了Ni(SO4)0.3(OH)1.4和NiO的取向关系,揭示了这一系列过程的结构演变并给出了Ni(SO4)0.3(OH)1.4的初步结构模型。; 关键词纳米带羟基硫酸镍热处理电子辐照选区电子衍射; Keywords nanobelt Ni（ SO4 ）0.3 （OH） 1.4 heat treatment electron irradiation SAED; 分类号 TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnSe复合孪晶纳米带的TEM表征被引量：2: 6; 作者曹广义金磊王建波; 机构武汉大学物理学院武汉大学电子显微镜中心; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第3期185-191,共7页; 基金教育部新世纪人才基金湖北省青年杰出人才基金资助项目(No.2005ABB014); 文摘通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌(ZnSe)复合孪晶纳米带。利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成,单个纳米子带又由纳米量级的<111>旋转孪晶片层构成。采用会聚束电子衍射(CBED)技术确定了ZnSe复合孪晶纳米带沿<111>方向的极性。根据CBED结果并结合实验过程的设定,对ZnSe复合孪晶纳米带的形成机制进行了讨论。; 关键词复合孪晶纳米带硒化锌会聚束电子衍射选区电子衍射; Keywords composite twinning nanobelt ZnSe CBED SAED; 分类号 O614.241 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	ZnSe纳米材料及界面的制备与表征	金磊王建波贾双凤徐中领严雪邓量子蔡瑶卢萍 LEUNG Y P CHOY WC H	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能	方国家王明军刘逆霜李春艾磊李军赵兴中	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	11	在线阅读下载PDF 职称材料
3	纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅	王定理周宁王磊刘文徐智谋石兢	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2010	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	p型ZnO薄膜研究进展	盛苏方国家袁龙炎	《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	离线热处理和原位电子辐照下羟基硫酸镍纳米带结构演变的TEM研究	卢小莉张珂李露颖王建波唐一文贾志勇	《电子显微学报》 CAS CSCD	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	ZnSe复合孪晶纳米带的TEM表征	曹广义金磊王建波	《电子显微学报》 CAS CSCD	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料