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ZnO纳米线阵列的图形化生长 被引量:1
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作者 艾磊 方国家 +2 位作者 刘逆霜 王明军 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期419-421,共3页
采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质,... 采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质,从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐,纳米线阵列在室温下光致发光(PL)谱线中在380hm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少,晶体质量高。 展开更多
关键词 ZNO纳米线 光刻 图形化生长 气相输运 水热合成
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射频反应溅射中N2分量对TiN薄膜性质的影响
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作者 刘逆霜 方国家 +2 位作者 王明军 艾磊 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A06期2346-2347,共2页
用射频反应溅射的方法制备了TiN薄膜,其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中N2分量有直接关系。随着N2分量由5%增加到50%,薄膜先是呈现(111)的择优取向,后是呈现(200)的取向,最后没有衍射峰出现,结构趋于无定型,于此同时,电阻... 用射频反应溅射的方法制备了TiN薄膜,其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中N2分量有直接关系。随着N2分量由5%增加到50%,薄膜先是呈现(111)的择优取向,后是呈现(200)的取向,最后没有衍射峰出现,结构趋于无定型,于此同时,电阻率也由接近金属的良好导电性变为半导体的导电性。 展开更多
关键词 射频反应溅射 TIN 氮分压 电导率
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种子层对染料敏化ZnO纳米棒光伏电池性能的影响
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作者 王明军 方国家 +3 位作者 艾磊 刘逆霜 高慧敏 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1556-1558,共3页
用射频溅射法在透明导电玻璃上分别沉积了氧化锌(ZnO)和掺铝氧化锌(AZO)薄膜,其可见光透射率达到85%以上。用水热法在不同的薄膜作种子层的导电玻璃上生长了纳米棒,x射线衍射分析(XRD)发现所制得的纳米棒都有(002)择优取向... 用射频溅射法在透明导电玻璃上分别沉积了氧化锌(ZnO)和掺铝氧化锌(AZO)薄膜,其可见光透射率达到85%以上。用水热法在不同的薄膜作种子层的导电玻璃上生长了纳米棒,x射线衍射分析(XRD)发现所制得的纳米棒都有(002)择优取向;扫描电子显微镜(SEM)结果表明,采用不同的实验条件和参数可以有效的影响纳米棒的长度、直径、密度等,并得到了垂直于衬底的纳米结构。用所得到的纳米结构制作太阳能电池的效率达到了0.26%。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 水热法 染料敏化太阳能电池
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