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磁光盘的介质膜材料AlN、AlSiN薄膜的电子显微分析
1
作者
缪向水
李佐宜
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期249-252,共4页
本文研究了磁光盘介质薄膜──AlN和AlSiN薄膜的电子显微结构.通过透射电镜分析了AlN薄膜的多晶结构和C轴垂直取向;通过X射线衍射分析、透射电镜分析和X射线光电子能谱分析,确定了AlSiN薄膜并不是多晶AlN和S...
本文研究了磁光盘介质薄膜──AlN和AlSiN薄膜的电子显微结构.通过透射电镜分析了AlN薄膜的多晶结构和C轴垂直取向;通过X射线衍射分析、透射电镜分析和X射线光电子能谱分析,确定了AlSiN薄膜并不是多晶AlN和SiN薄膜的简单组合,而是形成了稳定的非晶特征结构.且AlSiN薄膜由于其非晶结构而比AlN薄膜的磁光克尔效应增强效果更优越.
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关键词
薄膜
电子显微结构
磁光盘
磁介质
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职称材料
溅射制备铁电薄膜及其性能测试的研究
被引量:
7
2
作者
黄龙波
李佐宜
+1 位作者
卢德新
付焰峰
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期291-295,共5页
本文讨论了在不加温的Pt/Ti/SiO_2/Si基片上用射频磁控溅射技术制备出的铁电PLZT(7.5/65/35)薄膜,以及研制的铁电薄膜电性能测试系统。利用X射线衍射法对原位溅射和退火处理后薄膜的结构进行了分析,结...
本文讨论了在不加温的Pt/Ti/SiO_2/Si基片上用射频磁控溅射技术制备出的铁电PLZT(7.5/65/35)薄膜,以及研制的铁电薄膜电性能测试系统。利用X射线衍射法对原位溅射和退火处理后薄膜的结构进行了分析,结果显示薄膜结晶性好,呈现钙钛矿结构。通过比较薄膜的结构,探讨了薄膜底电极对薄膜结构的影响。对退火处理后的薄膜的电性能测试结果表明,这种PLZT薄膜具有良好的铁电性能。
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关键词
铁电晶体
薄膜
溅射
性能
测试
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职称材料
PLZT陶瓷靶材及溅射薄膜的微观结构研究
被引量:
1
3
作者
卢德新
黄龙波
+3 位作者
刘兴阶
林更琪
胡用时
李佐宜
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期179-183,共5页
研究了铁电PLZT(7.5/65/35)陶瓷靶材及用射频磁控溅射法制备的相同组分陶瓷薄膜的矿物结构及显微结构.实验结果表明,与陶瓷靶材相比,陶瓷薄膜的结晶取向发生了较大的变化,晶粒度减小,致密度提高,但晶粒无完整的晶...
研究了铁电PLZT(7.5/65/35)陶瓷靶材及用射频磁控溅射法制备的相同组分陶瓷薄膜的矿物结构及显微结构.实验结果表明,与陶瓷靶材相比,陶瓷薄膜的结晶取向发生了较大的变化,晶粒度减小,致密度提高,但晶粒无完整的晶形.随退火温度的提高,薄膜的缺陷明显增加.
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关键词
陶瓷
薄膜
铁电陶瓷
靶材
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职称材料
多晶硅膜原位掺杂制备浅发射结的研究
4
作者
徐静平
余岳辉
+1 位作者
陈涛
彭昭廉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期12-15,共4页
本文对PECVD法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究,调查了B_2H_6/SiH_4比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形成的影响。结果表明,在350~400℃的较低温度先淀积原位掺...
本文对PECVD法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究,调查了B_2H_6/SiH_4比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形成的影响。结果表明,在350~400℃的较低温度先淀积原位掺杂非晶膜,再1000℃退火使其相变为掺杂多晶膜的工艺,不但能方便地获得所要求的发射区掺杂量和浅发射结结深,而且还能同时获得满足制备欧姆接触电极要求的低电阻多晶硅膜。
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关键词
多晶硅
硅膜
掺杂
发射结
制备
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职称材料
静磁波技术及其应用
5
作者
何华辉
朱军
苏钧
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1992年第5期32-39,共8页
本文论述了静磁波的基本特点,静磁波技术的发展及其应用现状,并提出了静磁波器件的研究及其发展方向。
关键词
静磁波
延迟线
谐振器
滤波器
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职称材料
电磁波在磁性分层薄膜中的传播——非互易反射
6
作者
李义兵
徐则川
《电子科学学刊》
CSCD
1994年第3期238-243,共6页
本文采用传输矩阵研究了电磁波在磁性多层膜和超晶格中的透射和反射,获得了层状磁性介质的透射和反射系数,包括:(1)半无限磁性表面,(2)磁性多层膜,(3)半无限磁性超晶格。数值计算结果表明,磁性分层系统中电磁表面模可以通过电磁波斜入...
本文采用传输矩阵研究了电磁波在磁性多层膜和超晶格中的透射和反射,获得了层状磁性介质的透射和反射系数,包括:(1)半无限磁性表面,(2)磁性多层膜,(3)半无限磁性超晶格。数值计算结果表明,磁性分层系统中电磁表面模可以通过电磁波斜入射在膜面上而激发出来,表现为S-极化反射曲线的“尖谷”,因此,本文指出电磁波传播的色散曲线可以用一种类似衰减全反射(ATR)的技术来测量。
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关键词
电磁波传播
磁性多层膜
非互易反射
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职称材料
题名
磁光盘的介质膜材料AlN、AlSiN薄膜的电子显微分析
1
作者
缪向水
李佐宜
机构
武汉华中理工大学固体电子学系
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期249-252,共4页
文摘
本文研究了磁光盘介质薄膜──AlN和AlSiN薄膜的电子显微结构.通过透射电镜分析了AlN薄膜的多晶结构和C轴垂直取向;通过X射线衍射分析、透射电镜分析和X射线光电子能谱分析,确定了AlSiN薄膜并不是多晶AlN和SiN薄膜的简单组合,而是形成了稳定的非晶特征结构.且AlSiN薄膜由于其非晶结构而比AlN薄膜的磁光克尔效应增强效果更优越.
关键词
薄膜
电子显微结构
磁光盘
磁介质
Keywords
AlN films,AlSiN films,microstructure
分类号
TM276.051 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
溅射制备铁电薄膜及其性能测试的研究
被引量:
7
2
作者
黄龙波
李佐宜
卢德新
付焰峰
机构
武汉华中理工大学固体电子学系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期291-295,共5页
基金
国家863课题资助
文摘
本文讨论了在不加温的Pt/Ti/SiO_2/Si基片上用射频磁控溅射技术制备出的铁电PLZT(7.5/65/35)薄膜,以及研制的铁电薄膜电性能测试系统。利用X射线衍射法对原位溅射和退火处理后薄膜的结构进行了分析,结果显示薄膜结晶性好,呈现钙钛矿结构。通过比较薄膜的结构,探讨了薄膜底电极对薄膜结构的影响。对退火处理后的薄膜的电性能测试结果表明,这种PLZT薄膜具有良好的铁电性能。
关键词
铁电晶体
薄膜
溅射
性能
测试
Keywords
ferroelectric crystal
thin film
radio frequence
sputtering
measurement of properties
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
PLZT陶瓷靶材及溅射薄膜的微观结构研究
被引量:
1
3
作者
卢德新
黄龙波
刘兴阶
林更琪
胡用时
李佐宜
机构
武汉华中理工大学固体电子学系
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期179-183,共5页
基金
863高科技资助
文摘
研究了铁电PLZT(7.5/65/35)陶瓷靶材及用射频磁控溅射法制备的相同组分陶瓷薄膜的矿物结构及显微结构.实验结果表明,与陶瓷靶材相比,陶瓷薄膜的结晶取向发生了较大的变化,晶粒度减小,致密度提高,但晶粒无完整的晶形.随退火温度的提高,薄膜的缺陷明显增加.
关键词
陶瓷
薄膜
铁电陶瓷
靶材
Keywords
PLZT ceramic target and thin films,microstructure
分类号
TQ174.756 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
多晶硅膜原位掺杂制备浅发射结的研究
4
作者
徐静平
余岳辉
陈涛
彭昭廉
机构
武汉华中理工大学固体电子学系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期12-15,共4页
文摘
本文对PECVD法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究,调查了B_2H_6/SiH_4比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形成的影响。结果表明,在350~400℃的较低温度先淀积原位掺杂非晶膜,再1000℃退火使其相变为掺杂多晶膜的工艺,不但能方便地获得所要求的发射区掺杂量和浅发射结结深,而且还能同时获得满足制备欧姆接触电极要求的低电阻多晶硅膜。
关键词
多晶硅
硅膜
掺杂
发射结
制备
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
静磁波技术及其应用
5
作者
何华辉
朱军
苏钧
机构
武汉华中理工大学固体电子学系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1992年第5期32-39,共8页
文摘
本文论述了静磁波的基本特点,静磁波技术的发展及其应用现状,并提出了静磁波器件的研究及其发展方向。
关键词
静磁波
延迟线
谐振器
滤波器
Keywords
magnetostatic wave, delay line, resonator, filter
分类号
O441.4 [理学—电磁学]
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职称材料
题名
电磁波在磁性分层薄膜中的传播——非互易反射
6
作者
李义兵
徐则川
机构
长沙铁道学院
电子
工程
系
武汉华中理工大学固体电子学系
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1994年第3期238-243,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文采用传输矩阵研究了电磁波在磁性多层膜和超晶格中的透射和反射,获得了层状磁性介质的透射和反射系数,包括:(1)半无限磁性表面,(2)磁性多层膜,(3)半无限磁性超晶格。数值计算结果表明,磁性分层系统中电磁表面模可以通过电磁波斜入射在膜面上而激发出来,表现为S-极化反射曲线的“尖谷”,因此,本文指出电磁波传播的色散曲线可以用一种类似衰减全反射(ATR)的技术来测量。
关键词
电磁波传播
磁性多层膜
非互易反射
Keywords
Electromagnetic wave propagation, Magnetic multilayers, EM transmis- sion and reflection, Layered media, Magnetic polaritons
分类号
TN011 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁光盘的介质膜材料AlN、AlSiN薄膜的电子显微分析
缪向水
李佐宜
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
溅射制备铁电薄膜及其性能测试的研究
黄龙波
李佐宜
卢德新
付焰峰
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1994
7
在线阅读
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职称材料
3
PLZT陶瓷靶材及溅射薄膜的微观结构研究
卢德新
黄龙波
刘兴阶
林更琪
胡用时
李佐宜
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
多晶硅膜原位掺杂制备浅发射结的研究
徐静平
余岳辉
陈涛
彭昭廉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
静磁波技术及其应用
何华辉
朱军
苏钧
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1992
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
6
电磁波在磁性分层薄膜中的传播——非互易反射
李义兵
徐则川
《电子科学学刊》
CSCD
1994
0
在线阅读
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职称材料
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