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低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究 被引量:1
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作者 王传新 汪建华 +4 位作者 马志斌 满卫东 王升高 康志成 吴素娟 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1-4,共4页
在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响。实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于(111)面显露,负偏压有利于(100)面显露。在低偏压... 在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响。实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于(111)面显露,负偏压有利于(100)面显露。在低偏压条件下生长时,低的沉积气压和甲烷浓度有利于(111)面显露;而高的气压和甲烷浓度有利于(100)面显露。过高的甲烷浓度将恶化金刚石质量,出现菜花状组织,无明显的晶面显露。 展开更多
关键词 化学气相沉积 低偏压生长 金刚石薄膜 图像
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