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ITO连接过孔电阻定量计算与设计方法
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作者 周焱 王超 +3 位作者 陈鹏 朱宁 江鹏 高玉杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期45-55,共11页
TFT-LCD面板内的ITO连接过孔目前只有一些定性的设计规则,缺乏定量计算和设计过孔的方法。本文研究了此类过孔电阻的定量计算方法,同时探索了过孔电阻与击穿电流的关系,为合理设计过孔、防止过孔烧毁提供了指导依据。首先,通过分析过孔... TFT-LCD面板内的ITO连接过孔目前只有一些定性的设计规则,缺乏定量计算和设计过孔的方法。本文研究了此类过孔电阻的定量计算方法,同时探索了过孔电阻与击穿电流的关系,为合理设计过孔、防止过孔烧毁提供了指导依据。首先,通过分析过孔的结构,抽象出等效电阻电路图,得到多种不同结构的过孔电阻分解公式。过孔电阻主要由深孔接触电阻、浅孔接触电阻和深浅孔之间连接的ITO电阻组成。然后,通过设计不同尺寸的金属与ITO的接触过孔,使用开尔文四线检测法测量得到深孔接触电阻和浅孔接触电阻与孔尺寸之间的关系式。同时,深浅孔之间连接的ITO电阻可通过ITO方块电阻与深浅孔之间的ITO尺寸计算得到。由此,我们仅依据过孔的尺寸信息及ITO方阻数据即可计算得到各种结构的过孔电阻阻值。通过对大量过孔电阻的实测值与计算值进行相关性分析,线性相关系数达到0.96,证明了该计算方法的可靠性。最后,通过测量大量过孔的电阻阻值及其击穿电流值,发现过孔电阻阻值与击穿电流之间存在显著的幂函数关系,幂指数在-1.3附近,相关系数达到0.98。自此,建立起了一整套可定量计算和设计过孔电阻和击穿电流的方法。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示器 氧化铟锡 过孔 接触电阻 击穿电流
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反应时间对重油悬浮床加氢裂化反应的影响 被引量:5
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作者 崔敏 韩亚鹏 +2 位作者 杨腾飞 邓文安 李传 《石油学报(石油加工)》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期823-831,共9页
以环烷酸钼为催化剂,考察反应时间对委内瑞拉常压渣油悬浮床加氢裂化反应产物和催化剂抑制生焦能力的影响,并采用四组分分析法、SEM、XPS等手段对体系胶体稳定性、焦炭形貌、催化剂表面Mo元素的形态及相对含量进行分析。结果表明:随反... 以环烷酸钼为催化剂,考察反应时间对委内瑞拉常压渣油悬浮床加氢裂化反应产物和催化剂抑制生焦能力的影响,并采用四组分分析法、SEM、XPS等手段对体系胶体稳定性、焦炭形貌、催化剂表面Mo元素的形态及相对含量进行分析。结果表明:随反应时间的延长,原料转化率和轻油、焦炭产率升高,催化剂抑制生焦能力先提高后降低,其表面加氢活性较强的Mo^4+位较难生成焦炭;体系胶体稳定性、催化剂表面Mo元素相对含量和焦炭产率的变化趋势一致,说明反应时间对重油悬浮床加氢裂化反应的影响主要表现在影响体系胶体稳定性和焦炭覆盖催化剂活性金属的程度。 展开更多
关键词 反应时间 重油 悬浮床 加氢裂化 反应特征 生焦 活性金属
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基底涂层对PS弹性回复率的影响 被引量:3
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作者 邹虎 张浩 +1 位作者 黄想 尹海斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1240-1247,共8页
为进一步提升液晶显示产品盒厚的稳定性,本文研究了TFT-LCD中柱状隔垫物(Photo Spacer,PS)弹性回复率(ER)与基底膜层间的关系。首先制作不同基底膜层的PS样品,然后利用SNU 3D显微镜表征PS的大小及高度,用扫描电镜(SEM)观察基底膜层的厚... 为进一步提升液晶显示产品盒厚的稳定性,本文研究了TFT-LCD中柱状隔垫物(Photo Spacer,PS)弹性回复率(ER)与基底膜层间的关系。首先制作不同基底膜层的PS样品,然后利用SNU 3D显微镜表征PS的大小及高度,用扫描电镜(SEM)观察基底膜层的厚度,最后用动态超显微硬度计表征PS。实验结果表明,PS在空白玻璃(Bare Glass)上的ER比正常基底膜厚高3.9%(200 mN)。平坦层(Over Coat)维氏硬度越高时,PS ER越高,且随着载入压力的增大,维氏硬度差异所导致的PS ER差异越大,当载入压力为500 mN时差异达到6.3%。彩色光阻(Color Resist)膜厚由2.2μm变厚到2.5μm时,PS ER降低,载入压力为100 mN时,A、B材料PS ER分别降低3.7%、4.9%。另外对PS在基底涂层下的疲劳性进行了研究,结果表明随着压入次数增加,PS ER增加,塑性形变比例减小,25次后逐渐保持平稳。 展开更多
关键词 柱状隔垫物 弹性回复率 平坦层 彩色光阻层
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高温竖向串扰发生机理的定量研究 被引量:1
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作者 刘俊 赵达裕 +2 位作者 陈鹏 郭会斌 高玉杰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1128-1135,共8页
为快速解决大尺寸薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品中的高温竖向串扰(V-CT)不良,本文研究了漏电流与V-CT现象间的定量关系,用以指导TFT特性相关工艺的调整。首先,基于V-CT电压梯度曲线及TFT开关实际工作状态下的漏电流,建立了一种定... 为快速解决大尺寸薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品中的高温竖向串扰(V-CT)不良,本文研究了漏电流与V-CT现象间的定量关系,用以指导TFT特性相关工艺的调整。首先,基于V-CT电压梯度曲线及TFT开关实际工作状态下的漏电流,建立了一种定量表征漏电流的大小和V-CT严重程度间关系的测试方法。然后,应用此方法对客户端评测画面(CT-SEC)下发生的高温V-CT进行研究,实验结果表明V-CT电压梯度曲线可以较好地匹配总体漏电流Ioff_total渐变规律。高温初始及长期信赖性评价条件下,V-CT不良的发生同显示面板面内的光照漏电流Ioff(Vgl_GOUT-Vpixel_255-)强相关。 展开更多
关键词 TFT-LCD 竖向串扰 定量 漏电流
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大尺寸高分辨率TFT-LCD垂直串扰的机理研究与改善 被引量:1
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作者 盛子沫 高玉杰 +5 位作者 刘信 冯俊 朱宁 陈晓晓 郭会斌 江鹏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期37-44,共8页
随着生活质量的提升,大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器件越来越受到人们的青睐。然而,高规格产品同时也会伴随更多的显示问题,垂直串扰就是其中一种。垂直串扰产生原因主要是由于数据线与像素电极之间的耦合电容Cpd以及薄膜晶体管(... 随着生活质量的提升,大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器件越来越受到人们的青睐。然而,高规格产品同时也会伴随更多的显示问题,垂直串扰就是其中一种。垂直串扰产生原因主要是由于数据线与像素电极之间的耦合电容Cpd以及薄膜晶体管(TFT)关闭时的漏电流Ioff使像素电压发生偏移。高分辨率8 K产品由于其存储电容大幅减小、布线密集程度增大,导致其垂直串扰现象严重。本文通过软件模拟了Cpd的影响因子,再结合不同像素电极2ITO交叠面积样品的反置现象确定Cpd的影响程度,同时通过改变各项工艺参数确定最佳存储电容及漏电流条件,最后在最佳存储电容及漏电流条件下探讨与之匹配的2ITO交叠面积。在所有最优工艺条件下,不良比率由最初的55.6%下降至4.2%,画质大幅改善。 展开更多
关键词 垂直串扰 薄膜晶体管关态电流 耦合电容
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TFT-LCD白点不良机理研究及改善 被引量:1
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作者 刘信 高玉杰 +9 位作者 郭坤 杨志 程石 林鸿涛 毛大龙 盛子沫 赵剑 吴伟 郭会斌 江鹏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期405-411,共7页
TFT基板四道掩膜版工艺可提升产能,但其带来的产品品质困扰着各工厂,白点不良即为四道掩膜版工艺产生。本文通过直流实验探究了白点产生的原因;采用光照实验和高温实验,研究了白点产生的机理,同时利用工艺调整来改善白点不良。结果表明... TFT基板四道掩膜版工艺可提升产能,但其带来的产品品质困扰着各工厂,白点不良即为四道掩膜版工艺产生。本文通过直流实验探究了白点产生的原因;采用光照实验和高温实验,研究了白点产生的机理,同时利用工艺调整来改善白点不良。结果表明,有源层膜质存在异常,其导电性不同导致了反冲电压(ΔV p)的差异,最佳公共电压的不同形成白点不良。栅极和源极耦合电容越小,即硅边宽度越小,白点越少,直至消失。子像素存储电容越大,钝化层厚度(PVX)由600 nm减小到400 nm,白点不良程度可减轻1个等级。通过工艺调整,将硅边宽度降低到1.2μm,可解决四道掩膜版工艺导致的白点问题。该研究对于产品品质和收益的提升以及后续产品开发提供了有效的解决方法及参考。 展开更多
关键词 白点 反冲电压 Staebler-Wronski效应
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温度及盒厚对PS特性的影响
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作者 黄想 尹海斌 +2 位作者 程志伟 徐文磊 石雄鹰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1658-1663,共6页
为保证在一定工艺波动范围内显示的稳定性,新品开发时通常会评价显示屏液晶安全范围(LC Margin)。其中,柱状隔垫物(PS)特性对LC Margin的影响尤为显著,因此本文针对PS特性的影响因素进行了相关研究。分析了环境温度与PS材料杨氏模量的关... 为保证在一定工艺波动范围内显示的稳定性,新品开发时通常会评价显示屏液晶安全范围(LC Margin)。其中,柱状隔垫物(PS)特性对LC Margin的影响尤为显著,因此本文针对PS特性的影响因素进行了相关研究。分析了环境温度与PS材料杨氏模量的关系,探究了PS杨氏模量随温度的变化规律,研究了工艺制程温度对PS弹性回复率的影响。最后,探究了相同PS规格的显示屏在不同盒厚下的弹性回复速率。实验结果表明环境温度升高时,PS材料的杨氏模量随之降低;而当工艺制程温度升高时,PS的弹性回复率会略微增加,且PS的弹性回复速率会随着盒厚升高而变快。 展开更多
关键词 液晶安全范围 盒厚 弹性回复率 杨氏模量
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高温接着力对液晶气泡的影响
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作者 刘翔 陈炎 +4 位作者 吴伟 代俊锋 李凯 刘斌 吴思翔 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1113-1120,共8页
本文对大尺寸产品中发生的高温运行液晶气泡不良进行了系统的分析与研究,从不良现象、机理假设出发,通过实验复现,总结出该不良的根因封框胶在高温环境下,其接着力大幅下降,导致产生液晶气泡不良。论证了通过选用高Tg点封框胶材料和优... 本文对大尺寸产品中发生的高温运行液晶气泡不良进行了系统的分析与研究,从不良现象、机理假设出发,通过实验复现,总结出该不良的根因封框胶在高温环境下,其接着力大幅下降,导致产生液晶气泡不良。论证了通过选用高Tg点封框胶材料和优化接着界面,提升其高温接着力,从而有效地解决此不良,确保产品品质,对提升液晶显示器生产良率和客户满意度具有重要意义。 展开更多
关键词 封框胶 液晶气泡 高温接着力 接着界面
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