基于GaN的高频高功率密度混合集成电源设计

1

作者 朱伟龙 王鹏 +1 位作者 郑辰雅 孙鹏飞 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第3期102-109,共8页

混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V... 混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V输入、5V/20A输出的混合集成DC-DC变换器。该变换器开关频率800kHz,峰值效率达92%。详细阐述了有源箝位功率电路设计、GaNHEMT驱动电路寄生参数与震荡电压控制、同步整流时序与死区时间优化、厚膜混合集成工艺及散热的设计方法和技术细节,并通过仿真与样机实验,验证和展示了GaNHEMT和混合集成电路在高功率密度和高效率方面的优势。 展开更多

关键词 混合集成电路 有源箝位正激 氮化镓 同步整流 高可靠

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硅各向异性浅槽腐蚀实验研究 被引量：4

2

作者 杨增涛 冷俊林 +4 位作者 梅勇 黄磊 杨正兵 李燕 刘晓莉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第4期513-516,519,共5页

通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KO... 通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KOH溶液中,会在Si表面产生较大小丘,恶化了Si腐蚀表面的质量,但在TMAH溶液中加入一定量的IPA会改善腐蚀表面的质量;超声波能加快腐蚀速率并能改善Si腐蚀表面质量,但对于加入IPA的较高浓度KOH溶液,超声波未能消除Si腐蚀表面的小丘,另外,超声波还能减弱腐蚀过程中微尺寸沟槽的尺寸效应;在腐蚀条件和配比一定情况下,TMAH溶液的腐蚀质量比KOH溶液好。 展开更多

关键词 各向异性腐蚀 Si浅槽 KOH 四甲基氢氧化氨(TMAH)

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采用并行8b/10b编码的JESD204B接口发送端电路设计 被引量：13

3

作者 李长庆 程军 +1 位作者 李梁 龚燎 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第8期70-75,共6页

为解决高速数据采样器采样数据的准确传输问题,对高速串行数据传输协议JESD204B进行了研究和设计.采用了一种名为并行编码的8b/10b编码电路,以减轻系统时钟的负担,提高数据传输速率,完成了发生器接口电路的设计.结果表明设计的接口电路... 为解决高速数据采样器采样数据的准确传输问题,对高速串行数据传输协议JESD204B进行了研究和设计.采用了一种名为并行编码的8b/10b编码电路,以减轻系统时钟的负担,提高数据传输速率,完成了发生器接口电路的设计.结果表明设计的接口电路功能正确,性能满足高速数据传输的要求;并行8b/10b编码电路可以显著提高数据传输率,降低系统时钟的要求. 展开更多

关键词 JESD204B 8b/10b编码 并行编码 接口系统

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BOX-COX变换与微电路工艺设备表征 被引量：2

4

作者 游海龙 贾新章 +1 位作者 徐岚 陈光炳 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期398-402,共5页

(利用部分要因试验设计与数据转换表征微电路工艺设备)。因为试验数据的尺度效应和测量的固有属性,试验数据常违反模型误差的正态和一致性假设。通过BOX-COX数据转换分析,确定热氧化工艺目标值的最优转换形式,针对转换后数据建立的回归... (利用部分要因试验设计与数据转换表征微电路工艺设备)。因为试验数据的尺度效应和测量的固有属性,试验数据常违反模型误差的正态和一致性假设。通过BOX-COX数据转换分析,确定热氧化工艺目标值的最优转换形式,针对转换后数据建立的回归模型满足上述假设。结果表明:数据转换的建模方法能满足方差分析的假设(违反度减轻),并且能更多发掘数据信息,氧化膜厚的模型拟合修正判定系数R2由93.54%增加到98.64%。所得模型用于优化工艺条件,在满足膜厚目标下,非均匀性由0.2%减小到0.08%。文中讨论的基于数据转换的建模方法可以用于半导体制造其他工艺。 展开更多

关键词 部分要因试验设计 微电路工艺 Box—Cox转换 方差分析假设

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用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路 被引量：2

5

作者 张红 周述涛 +1 位作者 张奉江 张正璠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1143-1147,共5页

介绍了一种用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路。这个电路由延迟锁相环(DLL)来实现。这个DLL有两个功能:一是通过把一个时钟沿固定精确延迟半个周期,再与另一个沿组成一个新的时钟来调节时钟占空比到50%左右;二是调节时钟抖动。该电路采用... 介绍了一种用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路。这个电路由延迟锁相环(DLL)来实现。这个DLL有两个功能:一是通过把一个时钟沿固定精确延迟半个周期,再与另一个沿组成一个新的时钟来调节时钟占空比到50%左右;二是调节时钟抖动。该电路采用0.35μm CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下进行仿真验证,对一个8 bit、250 Msps采样率的ADC,常温下得到的时钟抖动小于0.25 ps rms(典型的均方根)。 展开更多

关键词 高速A/D转换器 延迟锁相环 占空比稳定 时钟抖动

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8 bit 800 Msps高速采样保持电路的设计 被引量：2

6

作者 潘星 王永禄 张正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1044-1047,共4页

为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35μm的CMOS和46 GHzfT的SiG... 为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35μm的CMOS和46 GHzfT的SiGe HBT。基于BiCMOS开关射极跟随器(SEF)的SH,旨在比二极管桥SH消耗更少的电流和面积。在SH核心,电源电压3.3 V,功耗44 mW。在相干采样模式下,时钟频率为800 MHz时,其无杂波动态范围(SFDR)为-52.8 dB,总谐波失真(THD)为-50.4 dB,满足8 bit精度要求。结果显示设计的电路可以用于中精度、高速A/D转换器。 展开更多

关键词 采样保持电路 高速 开关射极跟随器 双极互补金属氧化物半导体

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改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术

7

作者 余金山 梁盛铭 +5 位作者 马卓 王育新 张瑞涛 刘涛 李婷 俞宙 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期129-132,137,共5页

提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进... 提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进行量化,并将抖动信号从ADC量化输出中减去,以降低ADC的信噪比.结果表明,所提出的抖动电路技术能够改善ADC的静态和动态性能,特别是在ADC量化小的输入信号时. 展开更多

关键词 抖动 流水线 抗辐照加固设计 模数转换器

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时钟数据恢复电路中的线性相位插值器 被引量：7

8

作者 张瑶 张鸿 +2 位作者 李梁 杜鑫 程军 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期48-54,共7页

针对时钟数据恢复电路(CDR)中相位插值器的非线性使得时钟抖动增大的问题,提出了一种基于非等值电流源阵列的线性相位插值器。根据插值器输出时钟相位与尾电流权重的反函数关系,在传统相位插值器的基础上调整尾电流阵列中每个电流源的... 针对时钟数据恢复电路(CDR)中相位插值器的非线性使得时钟抖动增大的问题,提出了一种基于非等值电流源阵列的线性相位插值器。根据插值器输出时钟相位与尾电流权重的反函数关系,在传统相位插值器的基础上调整尾电流阵列中每个电流源的设计比例,并将控制管用作共栅管来提高电流源的匹配度和稳定性,从而实现了输出时钟相位与控制信号的线性关系,提高了CDR的调节精度并降低了恢复时钟的抖动。采用0.25μm CMOS工艺设计了一款基于线性相位插值器的CDR。仿真结果表明:传统结构插值器的最大相位误差为63.68%,而所提出的线性相位插值器的最大相位误差仅为9.44%,可有效地降低CDR输出时钟的抖动。 展开更多

关键词 时钟恢复 相位插值 线性度 抖动

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一种抑制声表面波器件横向能量泄露结构及其应用

9

作者 李世国 褚梦群 +9 位作者 胡丞稷 郑泽渔 杜雪松 董加和 陆川 李桦林 陈彦光 汪红兵 马晋毅 肖强 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期680-684,共5页

采用42°YX-LiTaO_(3)基底的声表面波(SAW)滤波器、多工器易产生横向能量泄露效应,这种效应的产生会增大SAW器件的插损、缩减有效带宽、降低矩形度等。为了抑制声表面波的横向能量泄露,提出了一种假指加宽结构,并通过有限元仿真验... 采用42°YX-LiTaO_(3)基底的声表面波(SAW)滤波器、多工器易产生横向能量泄露效应,这种效应的产生会增大SAW器件的插损、缩减有效带宽、降低矩形度等。为了抑制声表面波的横向能量泄露,提出了一种假指加宽结构,并通过有限元仿真验证了该结构的有效性。将该结构应用于Band 40和Band 41 SAW滤波器设计中,实验结果表明,该结构在不增加任何工艺复杂度的情况下能有效抑制SAW器件的横向能量泄露,从而减小SAW器件的通带插损、增加有效带宽、提高矩形度等。该结构能够拓展应用于其他频段的SAW器件。 展开更多

关键词 声表面波器件 42°YX-LiTaO_(3) 横向能量泄露 假指加宽

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声表面波滤波器温度敏感性仿真研究

10

作者 王吉芳 郑露 +7 位作者 陈平静 潘虹芝 杜雪松 董加和 陆川 陈正林 吴浩东 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期310-314,共5页

针对不同温度场情况下任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的温度敏感性精确计算问题,首先将温度场以热应力、热应变的方式耦合声/电本征方程并考虑封装模型的电磁因素,再结合分层级联算法和全波仿真技术,计算任意复... 针对不同温度场情况下任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的温度敏感性精确计算问题,首先将温度场以热应力、热应变的方式耦合声/电本征方程并考虑封装模型的电磁因素,再结合分层级联算法和全波仿真技术,计算任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的SAW滤波器的温度敏感性,实现不同温度作用下SAW滤波器频率响应曲线、频率温度系数(TCF)值、损耗、带宽及带外抑制等性能的综合分析。通过41°Y-X LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si_poly/Si(111)复合衬底SAW滤波器的优化设计与研制,其设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。 展开更多

关键词 温度敏感性 声表面波(SAW)滤波器 分层级联 全波仿真

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压电复合薄膜的SAW器件杂波抑制及仿真方法

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作者 王吉芳 陈平静 +6 位作者 曹稚颖 潘虹芝 董加和 肖强 吴浩东 陈正林 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期447-452,457,共7页

针对任意复杂膜系结构压电复合薄膜声表面波(SAW)器件横向杂波抑制及精确快速仿真方法,从数学上严格分析推导了有限长结构分层级联理论和色散2D-COM模型,可精确快速地计算压电复合薄膜SAW器件传播方向及孔径方向结构对杂波模式的影响,... 针对任意复杂膜系结构压电复合薄膜声表面波(SAW)器件横向杂波抑制及精确快速仿真方法,从数学上严格分析推导了有限长结构分层级联理论和色散2D-COM模型,可精确快速地计算压电复合薄膜SAW器件传播方向及孔径方向结构对杂波模式的影响,并通过色散2D-COM模型对SAW器件杂波抑制进行综合分析。通过对41°Y-X LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si_poly/Si(111)复合衬底SAW谐振器的优化设计与研制,结果表明,设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。 展开更多

关键词 压电复合薄膜 SAW器件 杂波抑制 分层级联 2D-COM模型

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SiGe HBT基区渡越时间模型 被引量：11

12

作者 林大松 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期456-461,共6页

建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起... 建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响 . 展开更多

关键词 异质结双极晶体管 锗化硅 HBT 基区渡越时间模型

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SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化 被引量：9

13

作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期305-308,共4页

建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0 展开更多

关键词 HBT 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅

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变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 被引量：8

14

作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1493-1497,共5页

对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地... 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。 展开更多

关键词 NPN双极晶体管 ~60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强 变温辐照 加速评估方法

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不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 被引量：8

15

作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期217-222,共6页

对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显... 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。 展开更多

关键词 NPN双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强

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不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 被引量：5

16

作者 席善斌 陆妩 +6 位作者 郑玉展 许发月 周东 李明 王飞 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期533-537,共5页

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺... 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。 展开更多

关键词 NPN双极晶体管 60Co Γ辐照 基区掺杂浓度 低剂量率辐照损伤增强效应

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基于一种改进型DMS结构的极窄带SAW滤波器 被引量：2

17

作者 赵雪梅 郑泽渔 +3 位作者 董加和 伍平 陈彦光 陈正林 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期253-255,共3页

该文采用一种改进型双模声表面波(DMS)结构来设计1.5 GHz的极窄带声表面波(SAW)滤波器。DMS结构两端的反射器采用分布式多周期加权结构能够消除在声通道上传播的多种声反射模式。为灵活设计滤波器阻带抑制及带宽指标,在DMS结构的两个叉... 该文采用一种改进型双模声表面波(DMS)结构来设计1.5 GHz的极窄带声表面波(SAW)滤波器。DMS结构两端的反射器采用分布式多周期加权结构能够消除在声通道上传播的多种声反射模式。为灵活设计滤波器阻带抑制及带宽指标,在DMS结构的两个叉指换能器(IDT)之间加入反射器。结果表明,研制的极窄带SAW滤波器中心频率为1.5 GHz,实测带宽为878.75 kHz,插入损耗为5.8 dB,阻带抑制达到45 dB。 展开更多

关键词 声表面波(SAW)滤波器 极窄带 相对带宽 双模声表面波

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基于分层级联技术的梯形声表面波滤波器正向设计 被引量：3

18

作者 赵雪梅 郑泽渔 +6 位作者 白涛 贺贞 谢晓 谭瑞 肖强 陈正林 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第1期1-5,共5页

针对任意复杂拓扑结构的梯形声表面波(SAW)滤波器的精确快速设计问题,基于声/电/磁多物理场耦合全波仿真平台,结合基因遗传优化算法和通用图形处理器(GPGPU)加速技术,利用有限元分层级联精确模型(HCT)代替COM模型进行SAW滤波器的设计与... 针对任意复杂拓扑结构的梯形声表面波(SAW)滤波器的精确快速设计问题,基于声/电/磁多物理场耦合全波仿真平台,结合基因遗传优化算法和通用图形处理器(GPGPU)加速技术,利用有限元分层级联精确模型(HCT)代替COM模型进行SAW滤波器的设计与优化,计算速度和优化速度与COM模型相当。通过42°Y-X LiTaO 3常规SAW滤波器的优化设计与研制,插入损耗为0.67 dB,2 dB相对带宽为3.85%,验证了该方法的有效性和可行性。 展开更多

关键词 SAW滤波器 全波仿真 分层级联 遗传算法

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射频微机械CPW开关的研究 被引量：2

19

作者 张正元 温志渝 +2 位作者 徐世六 张正番 黄尚廉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期671-673,共3页

本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 ... 本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术 ,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关 .初步测试结果如下 :开态电容为 0 2 1pF ,关态电容为 6 1pF ,致动电压为 2 2V ,关态下的隔离度为35dB ,开态下插入损耗为 3dB .该工艺完全与硅基IC工艺兼容 ,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化 。 展开更多

关键词 射频微机械开关 CPw开关 金属膜 绝缘层 牺牲层

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基于有限元法和色散COM模型的声表面波滤波器联合仿真 被引量：3

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作者 郑泽渔 杜雪松 +2 位作者 董加和 陈正林 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第2期165-168,共4页

针对任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的精确快速设计问题,该文基于声/电/磁多物理场耦合全波仿真平台,结合基因遗传优化算法和通用图形处理器(GPGPU)加速技术,利用有限元分层级联精确模型(HCT)优化设计梯形谐振器... 针对任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的精确快速设计问题,该文基于声/电/磁多物理场耦合全波仿真平台,结合基因遗传优化算法和通用图形处理器(GPGPU)加速技术,利用有限元分层级联精确模型(HCT)优化设计梯形谐振器,色散COM模型优化设计纵向耦合谐振器,实现了任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的SAW滤波器的正向设计与优化。通过42°Y-X LiTaO_(3)常规SAW滤波器的优化设计与研制,设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。 展开更多

关键词 声表面波(SAW)滤波器 全波仿真 分层级联 遗传算法

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