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温度对化学气相沉积碳化硅涂层的影响
被引量：
8
1
作者
卢翠英
成来飞
+2 位作者
赵春年
张立同
徐永东
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期575-578,583,共5页
以三氯甲基硅烷和氢气为气源,研究了化学气相沉积碳化硅过程中,温度(850-1350℃)对沉积速率、反应物消耗效应、涂层形貌和相结构的影响.用磁悬浮天平在线实时称量基体质量变化进行动力学研究;采用扫描电镜和X射线衍射对样品做了表征.结...
以三氯甲基硅烷和氢气为气源,研究了化学气相沉积碳化硅过程中,温度(850-1350℃)对沉积速率、反应物消耗效应、涂层形貌和相结构的影响.用磁悬浮天平在线实时称量基体质量变化进行动力学研究;采用扫描电镜和X射线衍射对样品做了表征.结果表明,沉积过程存在四个控制机理:a区(<1000℃)为表面反应动力学控制;b区(1000-1050℃)主要是HCl对沉积的抑制作用;c区(1050-1300℃)是表面化学反应和传质共同控制;d(>1300℃)为传质为限速步骤.由于不同的控制机制,导致所得涂层的形貌存在差异.含碳含硅中间物质浓度的减小、HCl增多和MTS的分解共同导致反应物消耗效应.涂层由热解碳和碳化硅两相组成,温度的升高使热解碳相减少,碳硅比接近1.
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关键词
控制机理
碳化硅
化学气相沉积
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职称材料
题名
温度对化学气相沉积碳化硅涂层的影响
被引量：
8
1
作者
卢翠英
成来飞
赵春年
张立同
徐永东
机构
西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室
榆林学院化工化学系
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期575-578,583,共5页
基金
国家自然科学基金项目(90405015)
文摘
以三氯甲基硅烷和氢气为气源,研究了化学气相沉积碳化硅过程中,温度(850-1350℃)对沉积速率、反应物消耗效应、涂层形貌和相结构的影响.用磁悬浮天平在线实时称量基体质量变化进行动力学研究;采用扫描电镜和X射线衍射对样品做了表征.结果表明,沉积过程存在四个控制机理:a区(<1000℃)为表面反应动力学控制;b区(1000-1050℃)主要是HCl对沉积的抑制作用;c区(1050-1300℃)是表面化学反应和传质共同控制;d(>1300℃)为传质为限速步骤.由于不同的控制机制,导致所得涂层的形貌存在差异.含碳含硅中间物质浓度的减小、HCl增多和MTS的分解共同导致反应物消耗效应.涂层由热解碳和碳化硅两相组成,温度的升高使热解碳相减少,碳硅比接近1.
关键词
控制机理
碳化硅
化学气相沉积
Keywords
rate-limiting mechanisms
silicon carbide
CVD
分类号
TQ32 [化学工程—合成树脂塑料工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
温度对化学气相沉积碳化硅涂层的影响
卢翠英
成来飞
赵春年
张立同
徐永东
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
8
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