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MTS/H_2体系CVD SiC的气相分析 被引量:6
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作者 卢翠英 成来飞 +1 位作者 赵春年 张立同 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期845-850,共6页
采用CG/MS定性定量分析了MTS/H_2体系CVD SiC的气相组成,考察了沉积温度、总压和流量对气相组成的影响,从反应速率和分子浓度大小的角度出发,分析了MTS在H_2中的分解步骤.主要结论如下:(1)检测到CH_4、C_2H_6、C_2H_4、C_3H_6、C_2H_2、... 采用CG/MS定性定量分析了MTS/H_2体系CVD SiC的气相组成,考察了沉积温度、总压和流量对气相组成的影响,从反应速率和分子浓度大小的角度出发,分析了MTS在H_2中的分解步骤.主要结论如下:(1)检测到CH_4、C_2H_6、C_2H_4、C_3H_6、C_2H_2、MTS、SiCl_4和CH_3SiHCl_2物质,其中CH_4和SiCl_4的含量较高.(2)体系温度、总压和总流量对气相组成有显著影响,其影响规律与热力分析结果一致.(3)MTS主要以Si-C键断裂引发分解反应,经历与原反应气反应、中间物质和副产物生成等主要阶段,CH_3→C_2H_6→C_2H_4→C_2H_2是生成烷烃化合物的主要路径. 展开更多
关键词 GC/MS 气相分析 CVD SIC MTS/H_2
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