期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于STM32的简易纸张测试仪的研究设计 被引量:2
1
作者 李小霞 赵金镭 魏丽君 《电子设计工程》 2021年第3期84-88,共5页
随着工业技术的发展和单片机技术的大幅提升,纸张装袋靠简单的人工计算数量的时代已经成为过去,但是测试装置的精度暂时还达不到很高程度,文中设计以STM32F103ZET6为控制核心,电路分为主控模块、电源模块、振荡频率产生模块、显示模块... 随着工业技术的发展和单片机技术的大幅提升,纸张装袋靠简单的人工计算数量的时代已经成为过去,但是测试装置的精度暂时还达不到很高程度,文中设计以STM32F103ZET6为控制核心,电路分为主控模块、电源模块、振荡频率产生模块、显示模块和蜂鸣器模块等。利用两个极板在介质为空气和水的均介质中调整极板间距离使电容呈现规律的特点,再采用NE555多谐振荡电路结合不同电容量通过单片机对频率进行测量,此外两块极板粘在两块压克力板上并且用螺杆固定方位,大大提高了精度。 展开更多
关键词 STM32F103ZET6 NE555多谐振荡 频率测量 纸张测量
在线阅读 下载PDF
电动汽车电池荷电状态估算方法研究 被引量:5
2
作者 李小霞 赵金镭 《电子设计工程》 2021年第4期177-180,185,共5页
随着全球对能源问题的关注与研究,未来电动汽车取代汽油车已成为必然,电动汽车也得到了越来越多的关注,各国从国家战略层面推出了电动汽车实施计划。但是当前电动汽车的实用过程中,存在两个主要问题:一是电池的续航问题,包括电池荷电状... 随着全球对能源问题的关注与研究,未来电动汽车取代汽油车已成为必然,电动汽车也得到了越来越多的关注,各国从国家战略层面推出了电动汽车实施计划。但是当前电动汽车的实用过程中,存在两个主要问题:一是电池的续航问题,包括电池荷电状态的实时监控;二是充电基础装置的普及问题。文中针对电动汽车电池管理系统存在的问题,分析了电池荷电状态的影响因子,通过建立神经网络算法和训练,进行了动力电池的充放电实验,通过实验验证,能准确测量电池的实时参数,实现了电动汽车荷电状态的实时准确估算。 展开更多
关键词 电动汽车 电池管理系统 荷电状态估算 神经网络
在线阅读 下载PDF
SiO2/4H-SiC界面氮化退火 被引量:1
3
作者 赵艳黎 李诚瞻 +2 位作者 陈喜明 王弋宇 申华军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期215-218,共4页
通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数... 通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数。制作了MOS电容和横向MOSFET器件,通过表征SiO2栅氧化层C-V特性和MOSFET器件I-V特性,提取平带电压、C-V磁滞电压、SiO2/SiC界面态密度和载流子沟道迁移率等电学参数。实验结果表明,干氧氧化形成SiO2栅氧化层后,在1 300℃通入N2退火30 min,随后在相同温度下进行NO退火120 min,为最佳栅极氧化层退火条件,此时,SiO2/SiC界面态密度能够降低至2.07×1012cm-2·e V^(-1)@0.2 e V,SiC MOSFET沟道载流子迁移率达到17 cm2·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多
关键词 SiO2/4H-SiC 氮化退火 界面态密度 平带电压 C-V磁滞电压 迁移率
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部