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题名电网用5200V压接式逆导IGBT模块
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作者
朱利恒
王滨
蔡海
陈星
覃荣震
肖强
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机构
株洲中车时代半导体有限公司功率半导体与集成技术全国重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第10期873-878,共6页
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文摘
为了进一步增大功率密度、降低热阻,基于平面增强型U形IGBT元胞结构设计了一种优化芯片背面的逆导(RC)IGBT芯片。通过将RC-IGBT芯片柔性压接封装成模块,研究模块的高温动、静态性能和子模组的极限性能。通过在芯片正面增加n型载流子存储层结构和结型场效应晶体管(JFET)区注入降低正向导通压降(V_(CE,on)),通过在芯片背面逐渐减小n+区域宽度消除正向导通压降回跳现象。测试结果表明,该模块在125℃、3000 A下V_(CE,on)为3.18 V,反向导通压降(V_(F))为1.95 V。3400 V母线电压下,子模组IGBT能关断3.9倍额定电流,可以通过21 V栅压、10μs的一类短路极限测试;快恢复二极管(FRD)的反向恢复瞬时功率峰值达6 MW以上,并可通过峰值电流达23倍额定电流(11.5 kA)的浪涌测试。相比同类产品,该RC-IGBT模块静态性能和极限性能均具有明显优势,能应用于大电流复杂工况的电网环境中。
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关键词
逆导(RC)IGBT
压接模块
低导通损耗
宽安全工作区
浪涌电流
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Keywords
reverse conducting(RC)IGBT
press-pack module
low conduction loss
wide safe working area
surge current
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分类号
TN32
[电子电信—物理电子学]
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