基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向...基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻。测试结果表明,该器件的耐压达到816 V,比导通电阻仅为12.5Ω·mm^(2)。展开更多
文章针对总剂量效应造成的MOSFET阈值漂移问题,使用1 200 V SiC MOSFET进行辐照试验,对栅极偏压和辐照后高温栅极偏置退火对阈值漂移的影响和原理进行了研究。通过中带电压法分析发现,造成阈值电压负向漂移的主要原因是辐照产生的空穴...文章针对总剂量效应造成的MOSFET阈值漂移问题,使用1 200 V SiC MOSFET进行辐照试验,对栅极偏压和辐照后高温栅极偏置退火对阈值漂移的影响和原理进行了研究。通过中带电压法分析发现,造成阈值电压负向漂移的主要原因是辐照产生的空穴被近界面陷阱俘获。通过对不同栅极氧化层退火条件制备的SiC MOSFET试验和分析,得出了当使用氮化气体退火进行总剂量效应加固时,需要折中考虑对沟道迁移率的影响;在5%氮化气体体积分数、1 300℃下退火60 min的条件下制备出来的SiC MOSFET沟道迁移率较高,并且抗总剂量效应能力较强。展开更多
文摘基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻。测试结果表明,该器件的耐压达到816 V,比导通电阻仅为12.5Ω·mm^(2)。
文摘文章针对总剂量效应造成的MOSFET阈值漂移问题,使用1 200 V SiC MOSFET进行辐照试验,对栅极偏压和辐照后高温栅极偏置退火对阈值漂移的影响和原理进行了研究。通过中带电压法分析发现,造成阈值电压负向漂移的主要原因是辐照产生的空穴被近界面陷阱俘获。通过对不同栅极氧化层退火条件制备的SiC MOSFET试验和分析,得出了当使用氮化气体退火进行总剂量效应加固时,需要折中考虑对沟道迁移率的影响;在5%氮化气体体积分数、1 300℃下退火60 min的条件下制备出来的SiC MOSFET沟道迁移率较高,并且抗总剂量效应能力较强。
