期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响
被引量：
1
1
作者
彭子和
秦海鸿
+2 位作者
修强
张英
荀倩
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期257-264,共8页
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN...
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。
展开更多
关键词
增强型氮化镓(GaN)HEMT
开关行为
寄生电感
双脉冲测试
优化布局
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响
被引量：
1
1
作者
彭子和
秦海鸿
修强
张英
荀倩
机构
南京航空航天
大学
自动化学院
查尔姆斯理工大学电力工程系
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期257-264,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(51677089)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NJ20160047)
+2 种基金
江苏高校优势学科建设工程资助项目
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0287)
南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助项目(kfjj20170308)
文摘
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。
关键词
增强型氮化镓(GaN)HEMT
开关行为
寄生电感
双脉冲测试
优化布局
Keywords
E-mode gallium nitride high electron mobility transistor(GaN HEMT)
switching behavior
parasitic inductance
double-pulse test
optimized layout
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响
彭子和
秦海鸿
修强
张英
荀倩
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
