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探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响
1
作者
崔健
潘文武
+4 位作者
吴晓燕
陈其苗
刘娟娟
张振普
王庶民
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期352-357,共6页
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱...
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。
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关键词
GaAsBi
气态源分子束外延
生长温度
AsH3压
Bi源温度
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职称材料
采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱
2
作者
黄卫国
顾溢
+6 位作者
金宇航
刘博文
龚谦
黄华
王庶民
马英杰
张永刚
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期253-261,共9页
本工作在GaP/Si衬底上基于In_(0.83)Al_(0.17)As异变缓冲层实现了InAs/In_(0.83)Al_(0.17)As量子阱的生长。研究了Ga_(x)In_(1-x)P和GaAs_(y)P_(1-y)递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品X...
本工作在GaP/Si衬底上基于In_(0.83)Al_(0.17)As异变缓冲层实现了InAs/In_(0.83)Al_(0.17)As量子阱的生长。研究了Ga_(x)In_(1-x)P和GaAs_(y)P_(1-y)递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少。两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度。这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs量子阱结构具有相对更优的效果。
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关键词
量子阱
GaP/Si
异变缓冲层
中红外
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职称材料
使用密闭空腔阻挡层的CVD石墨烯鼓泡法转移
3
作者
黄旸
邓世桂
+1 位作者
郭伟玲
孙捷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期695-699,共5页
采用传统电化学鼓泡法转移的石墨烯破洞和褶皱较多。提出了一种改进型电化学鼓泡法转移大面积化学气相沉积石墨烯的技术。转移过程中,利用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)框和薄片在石墨烯和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支撑层的上方形成了一个密...
采用传统电化学鼓泡法转移的石墨烯破洞和褶皱较多。提出了一种改进型电化学鼓泡法转移大面积化学气相沉积石墨烯的技术。转移过程中,利用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)框和薄片在石墨烯和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支撑层的上方形成了一个密闭空腔。此空腔阻挡了水和H+离子对PMMA的直接透过,从而不会在石墨烯的上下表面产生H2气泡,致使石墨烯产生破洞和褶皱,甚至发生断裂。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱检测石墨烯形貌和结构,并制备场效应晶体管测量石墨烯载流子迁移率。结果表明,使用该方法转移的石墨烯几乎没有破损,具有很好的均匀性,其载流子迁移率约为4 500 cm2·V-1·s-1,高于未做阻挡层处理而转移的同类石墨烯样品。
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关键词
石墨烯
化学气相沉积(CVD)
电化学鼓泡法
转移
密闭空腔
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职称材料
题名
探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响
1
作者
崔健
潘文武
吴晓燕
陈其苗
刘娟娟
张振普
王庶民
机构
中国
科学
院上海
微
系
统与信息
技术
研究所信息功能材料国家重点实验室
查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期352-357,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2014CB643902)
国家自然科学基金关键资助项目(61334004)
文摘
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。
关键词
GaAsBi
气态源分子束外延
生长温度
AsH3压
Bi源温度
Keywords
GaAsBi
GSMBE
growth temperature
AsH3 pressure
Bi cell temperature
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱
2
作者
黄卫国
顾溢
金宇航
刘博文
龚谦
黄华
王庶民
马英杰
张永刚
机构
中国
科学
院上海
微
系
统与信息
技术
研究所太赫兹
技术
重点实验室
中国
科学
院上海
技术
物理研究所传感
技术
联合国家重点实验室
中国
科学
院上海
技术
物理研究所红外成像材料与器件重点实验室
中国
科学
院
大学
查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期253-261,共9页
基金
Supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.62075229 and 61775228)
the International Science and Technology Cooperation Program of Shanghai(No.20520711200)。
文摘
本工作在GaP/Si衬底上基于In_(0.83)Al_(0.17)As异变缓冲层实现了InAs/In_(0.83)Al_(0.17)As量子阱的生长。研究了Ga_(x)In_(1-x)P和GaAs_(y)P_(1-y)递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少。两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度。这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs量子阱结构具有相对更优的效果。
关键词
量子阱
GaP/Si
异变缓冲层
中红外
Keywords
quantum wells
GaP/Si
metamorphic buffer
mid-infrared
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
使用密闭空腔阻挡层的CVD石墨烯鼓泡法转移
3
作者
黄旸
邓世桂
郭伟玲
孙捷
机构
北京
工
业
大学
电子信息与控制
工
程学院
瑞典
查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期695-699,共5页
基金
北京市自然科学基金面上项目(4152003)
文摘
采用传统电化学鼓泡法转移的石墨烯破洞和褶皱较多。提出了一种改进型电化学鼓泡法转移大面积化学气相沉积石墨烯的技术。转移过程中,利用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)框和薄片在石墨烯和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支撑层的上方形成了一个密闭空腔。此空腔阻挡了水和H+离子对PMMA的直接透过,从而不会在石墨烯的上下表面产生H2气泡,致使石墨烯产生破洞和褶皱,甚至发生断裂。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱检测石墨烯形貌和结构,并制备场效应晶体管测量石墨烯载流子迁移率。结果表明,使用该方法转移的石墨烯几乎没有破损,具有很好的均匀性,其载流子迁移率约为4 500 cm2·V-1·s-1,高于未做阻挡层处理而转移的同类石墨烯样品。
关键词
石墨烯
化学气相沉积(CVD)
电化学鼓泡法
转移
密闭空腔
Keywords
graphene
chemical vapor deposition （CVD）
electrochemical bubbling
transfer
encapsulated air cavity
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响
崔健
潘文武
吴晓燕
陈其苗
刘娟娟
张振普
王庶民
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
在线阅读
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职称材料
2
采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱
黄卫国
顾溢
金宇航
刘博文
龚谦
黄华
王庶民
马英杰
张永刚
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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下载PDF
职称材料
3
使用密闭空腔阻挡层的CVD石墨烯鼓泡法转移
黄旸
邓世桂
郭伟玲
孙捷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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