基于rGO-SnO_(2)复合材料的丙酮气体传感器制备与特征分析 被引量：2

1

作者 邹利婷 赵薇 邹望辉 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第4期27-30,共4页

制备并研究了一种基于还原氧化石墨烯(rGO)掺杂二氧化锡(SnO_(2))的可工作在室温的丙酮气体传感器。采用简单的水热合成法和物理混合法制备rGO-SnO_(2)复合材料,并在平面微型叉指电极上沉积敏感膜,以此构建气体传感器。敏感材料的形貌... 制备并研究了一种基于还原氧化石墨烯(rGO)掺杂二氧化锡(SnO_(2))的可工作在室温的丙酮气体传感器。采用简单的水热合成法和物理混合法制备rGO-SnO_(2)复合材料,并在平面微型叉指电极上沉积敏感膜,以此构建气体传感器。敏感材料的形貌和结构用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)进行表征,并研究了rGO-SnO_(2)在室温下对丙酮气体的敏感性能。实验结果表明:室温下,rGO掺杂量的质量分数为7%的rGO-SnO_(2)复合材料构建的传感器对体积分数为200×10^(-6)的丙酮气体响应为48.4%,是纯SnO_(2)的1.73倍,具有更加优异的气体敏感性。 展开更多

关键词 气体传感器 还原氧化石墨烯 水热合成

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一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源设计 被引量：19

2

作者 谢海情 王振宇 +4 位作者 曾健平 陆俊霖 曹武 陈振华 崔凯月 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期119-124,共6页

通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完... 通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真、版图设计与后仿真.结果表明,在1.8 V的电源电压下,电路输出电压为1.22 V;在温度变化为-40~110℃时,温度系数为3.3 ppm/℃;低频电源电压抑制比为-96 dB@100 Hz;静态电流仅为33μA. 展开更多

关键词 带隙基准 温度系数 电源电压抑制比 温度补偿

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面向RISC-V处理器的GCC移植与优化 被引量：2

3

作者 唐俊龙 禹智文 +2 位作者 刘远治 肖仕勋 邹望辉 《计算机应用与软件》 北大核心 2021年第9期262-267,285,共7页

嵌入式RISC-V处理器交叉开发生成高质量目标代码的关键是GCC的移植与优化。分析GCC的基本结构和RISC-V体系结构的数据与指令特点,建立GCC后端移植机制,采用机器描述方法,生成32位riscv-none-embed-gcc编译器,实现RISC-V处理器的GCC移植... 嵌入式RISC-V处理器交叉开发生成高质量目标代码的关键是GCC的移植与优化。分析GCC的基本结构和RISC-V体系结构的数据与指令特点,建立GCC后端移植机制,采用机器描述方法,生成32位riscv-none-embed-gcc编译器,实现RISC-V处理器的GCC移植,设计强度削弱的窥孔优化方法解决中间代码生成过程中CPU计算代价高的问题。验证与测试结果表明编译器编译正确并具有通用功能,优化后编译生成的目标代码体积减少约11%,提高了目标代码质量,节省了嵌入式处微理器的存储空间。 展开更多

关键词 交叉开发 RISC-V体系结构 GCC编译器 后端移植 窥孔优化 强度削弱

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基于神经网络的雪崩光电二极管SPICE模型构建

4

作者 谢海情 宜新博 +3 位作者 曾健平 曹武 谢进 凌佳琪 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期84-89,共6页

针对雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)雪崩前后电流数量级相差大、I-V特性曲线变化剧烈的特点,在对I-V特性数据进行对数化、归一化预处理的基础上,采用浅层神经网络完成I-V函数拟合,并进一步优化神经网络结构以提升模型准确性... 针对雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)雪崩前后电流数量级相差大、I-V特性曲线变化剧烈的特点,在对I-V特性数据进行对数化、归一化预处理的基础上,采用浅层神经网络完成I-V函数拟合,并进一步优化神经网络结构以提升模型准确性.在此基础上,使用Verilog-A硬件描述语言实现APD的SPICE模型,并应用Cadence软件设计电路验证模型的有效性和准确性,引入相对误差评估模型的准确度.结果表明:优化后的神经网络学习的I-V特性函数与TCAD仿真数据的均方误差损失为2.544×10^(-7),SPICE模型验证电路采样数据与TCAD仿真数据的最大相对误差为3.448%,平均相对误差为0.630%,构建SPICE模型用时约50 h,实现了高精度、高效率的器件SPICE模型构建,对新型APD的设计与应用具有重要指导意义. 展开更多

关键词 SPICE模型 雪崩光电二极管 神经网络 相对误差

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改性环氧树脂封装LED散热性能研究与优化

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作者 谢海情 丁花 +2 位作者 谢进 陈振华 崔凯月 《现代电子技术》 2023年第18期19-24,共6页

为降低LED结温,采用有限元方法对石墨烯/氧化石墨烯改性的环氧树脂封装LED散热特性进行数值仿真与分析研究,并通过优化LED封装结构进一步提高GR/EP封装LED的散热性能。结果表明,石墨烯/氧化石墨烯改性的环氧树脂封装LED均可以降低结温,... 为降低LED结温,采用有限元方法对石墨烯/氧化石墨烯改性的环氧树脂封装LED散热特性进行数值仿真与分析研究,并通过优化LED封装结构进一步提高GR/EP封装LED的散热性能。结果表明,石墨烯/氧化石墨烯改性的环氧树脂封装LED均可以降低结温,且等量的石墨烯改性环氧树脂封装LED的散热效果优于氧化石墨烯的。通过对封装材料的半径和高度等结构参数进行优化设计,进一步提高GR/EP封装LED的散热性能。结果表明:在封装材料体积变化时,增大封装材料的半径和高度可有效降低LED结温,当封装材料半径为1.17 mm、高度为0.78 mm时,LED降温效果可达优化前的1.35倍;在LED封装材料体积不变的情况下,当封装材料半径为0.85 mm、高度为0.97 mm时,LED降温效果可达优化前的1.09倍。 展开更多

关键词 LED封装 改性环氧树脂 散热性能 石墨烯/氧化石墨烯 GR/EP封装 封装材料

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双层过渡金属三卤化物层间磁性研究现状 被引量：2

6

作者 司君山 杨志雄 张卫兵 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2022年第4期147-157,共11页

二维磁性材料是当前凝聚态物理的研究热点。近来的实验发现双层CrI_(3)存在与三维块体不同的层间反铁磁序,表现出独特的量子限域效应和潜在的器件应用,受到了人们的广泛关注。大量的研究表明层间磁序跟堆垛密切相关,但仍存在争议。本文... 二维磁性材料是当前凝聚态物理的研究热点。近来的实验发现双层CrI_(3)存在与三维块体不同的层间反铁磁序,表现出独特的量子限域效应和潜在的器件应用,受到了人们的广泛关注。大量的研究表明层间磁序跟堆垛密切相关,但仍存在争议。本文主要综述双层磁性材料层间磁序及其应用的研究进展,重点介绍了磁性与堆垛方式之间的关联,指出了密度泛函理论在层间磁性机理研究中存在的挑战,阐述了层间磁序相关的器件应用,并对未来可能的研究方向进行了展望。 展开更多

关键词 二维磁性材料 堆垛方式 层间磁性机理 密度泛函理论

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一种可靠的芯片指纹PUF电路 被引量：1

7

作者 白创 唐立军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期2116-2125,共10页

本文引入一种可靠的芯片指纹物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function)电路.该PUF包括基于电流饥饿型延迟单元的工艺敏感电路、时间偏差放大器、时间偏差比较器、表决机制与扩散算法五个部分.通过捕获制造工艺的偏差,每一个工艺... 本文引入一种可靠的芯片指纹物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function)电路.该PUF包括基于电流饥饿型延迟单元的工艺敏感电路、时间偏差放大器、时间偏差比较器、表决机制与扩散算法五个部分.通过捕获制造工艺的偏差,每一个工艺敏感电路可以稳定产生两路具有微弱延时差的延迟信号,然后比较生成指纹ID;设计一种新型的扩散算法改善PUF的唯一性,引入时间偏差放大器与表决机制增强PUF相对于温度与电源电压变化的稳定性.文中PUF在0.18μm CMOS工艺下实现.仿真结果表明,该PUF的输出具有均匀统计分布特征,同时在温度从-40℃至100℃,电源电压从1.7V至1.9V变化条件下,其输出ID具有97.5%的稳定性. 展开更多

关键词 物理不可克隆函数 电流饥饿型延迟单元 时间偏差放大器 表决机制 扩散算法

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基于多向特征金字塔的轻量级目标检测算法 被引量：3

8

作者 白创 王英杰 +1 位作者 闫昱 DJUKANOVIC Milena 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1516-1524,共9页

针对实时目标检测算法Tiny YOLOv3存在的深层特征难以提取、实时性不能满足需求、边界框定位不够准确的问题,提出一种改进的轻量级检测模型MTYOLO(MdFPN Tiny YOLOv3)。该模型构造多向特征金字塔网络(MdFPN)代替简单级联,充分完成了多... 针对实时目标检测算法Tiny YOLOv3存在的深层特征难以提取、实时性不能满足需求、边界框定位不够准确的问题,提出一种改进的轻量级检测模型MTYOLO(MdFPN Tiny YOLOv3)。该模型构造多向特征金字塔网络(MdFPN)代替简单级联,充分完成了多层语义信息的提取与融合;使用深度可分离卷积代替标准卷积,有效降低网络复杂度,提升了检测的实时性能;采用Complete IOU loss(CIOU loss)代替MSE作为回归损失函数,极大地提高了边界框的回归精度。在PASCAL VOC和COCO数据集上对MTYOLO进行测试,结果表明,改进后模型的mAP最高可达到83.7%,检测速度最快可达到205 fps。 展开更多

关键词 目标检测 特征金字塔网络 深度可分离卷积 Complete IOU loss

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L-DSP片上调试电路的设计与实现 被引量：2

9

作者 白创 李帆 汪东 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期69-73,共5页

针对L-DSP的调试需求,设计了一种基于JTAG接口的片上调试电路.该调试电路实现了存储资源访问、CPU流水线控制、硬件断点/观察点、参数统计等调试功能.相对于传统调试方式,本文电路通过增加DT-DMA模块,实现数据在外设与内存之间直接传输... 针对L-DSP的调试需求,设计了一种基于JTAG接口的片上调试电路.该调试电路实现了存储资源访问、CPU流水线控制、硬件断点/观察点、参数统计等调试功能.相对于传统调试方式,本文电路通过增加DT-DMA模块,实现数据在外设与内存之间直接传输,极大地提升了调试效率.调试电路在0.18μm CMOS工艺下实现,面积为167 234.76μm2,功耗为8.89mW.同时,调试电路与L-DSP全芯片在FPGA下进行验证,结果表明,该调试电路调试功能完整且DT-DMA传输调试数据的速度是CPU传输的3倍. 展开更多

关键词 调试 片上调试 JTAG接口 DT-DMA DMA操作

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蜂蜜中苦参碱与氧化苦参碱的快速检测 被引量：2

10

作者 荆辉华 向俊 +3 位作者 蒋登辉 冯燕英 王云昊 王亮亮 《食品与机械》 北大核心 2022年第7期57-62,132,共7页

目的:建立超高效液相色谱—串联质谱(UPLC-MS/MS)检测蜂蜜中苦参碱与氧化苦参碱的分析方法。方法:采用液液萃取前处理技术,蜂蜜样品经水溶解后加入无水硫酸钠,用碱性乙腈萃取,以乙腈和0.1%甲酸—5 mmol/L乙酸铵缓冲液为流动相,用Inspire... 目的:建立超高效液相色谱—串联质谱(UPLC-MS/MS)检测蜂蜜中苦参碱与氧化苦参碱的分析方法。方法:采用液液萃取前处理技术,蜂蜜样品经水溶解后加入无水硫酸钠,用碱性乙腈萃取,以乙腈和0.1%甲酸—5 mmol/L乙酸铵缓冲液为流动相,用Inspire HILIC色谱柱分离,采用电喷雾正离子扫描,多反应监测(MRM)模式测定,外标法定量。结果:在1~100 ng/mL质量浓度范围内,苦参碱与氧化苦参碱线性关系良好,相关系数R;≥0.998。苦参碱和氧化苦参碱的检出限为0.1μg/kg,定量限为0.3μg/kg。在1,10,100μg/kg加标水平下,苦参碱和氧化苦参碱的平均回收率分别为90.9%~95.1%和80.9%~84.3%,相对标准偏差均<10%(n=6)。将该方法应用至45种市售蜂蜜检测中发现,洋槐蜂蜜中苦参碱和氧化苦参碱的检出率和含量相对较高。结论:该方法准确、快速、灵敏度好,适用于大批量样品的测定,可成为蜂蜜中苦参碱和氧化苦参碱残留的常规检测技术。 展开更多

关键词 苦参碱 氧化苦参碱 液液萃取 超高效液相色谱—串联质谱法 蜂蜜

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基于石墨烯电极RRAM的混合型PUF指纹电路

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作者 白创 张伟 +1 位作者 吕豪 米莲娜·朱卡诺维奇 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期508-513,550,共7页

该文提出了一种基于阻变存储器(RRAM)的混合型物理不可克隆函数(PUF)芯片指纹电路。RRAM器件采用石墨烯电极、对称山型结构实现,具有阻值分布宽、开关比大的特点;通过引入对称RRAM阻值偏差作为PUF单元的随机熵源,提升PUF的唯一性;采用R... 该文提出了一种基于阻变存储器(RRAM)的混合型物理不可克隆函数(PUF)芯片指纹电路。RRAM器件采用石墨烯电极、对称山型结构实现,具有阻值分布宽、开关比大的特点;通过引入对称RRAM阻值偏差作为PUF单元的随机熵源,提升PUF的唯一性;采用RRAM不同阻态阻值放大存储PUF单元初始偏差,提升PUF的稳定性;利用RRAM循环间随机性实现指纹ID的重构,提升PUF的安全性。混合型PUF芯片指纹电路在0.35μm CMOS工艺下设计实现。仿真结果表明,PUF输出具有良好的稳定性与唯一性,标准温度电压下片间汉明距离为49.95%,同时温度在−40℃~100℃,电源电压在4.6 V~5.4 V范围内变化时,PUF比特错误率为0。 展开更多

关键词 芯片指纹识别 硬件安全 物理不可克隆函数 阻变存储器

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