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2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究
1
作者
严宇超
王琤
+5 位作者
陆昌程
刘莹莹
夏宁
金竹
张辉
杨德仁
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第2期197-201,共5页
本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷...
本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷,宏观结晶质量良好。该衬底的(020)面X射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)的最大值为29.7″,表明具有良好的微观结晶质量。该衬底的表面平均粗糙度(Ra)的最大值为0.240 nm,局部厚度偏差(LTV)低于1.769μm,总厚度偏差(TTV)为5.092μm,翘曲度(Warp)为3.132μm,表明具有良好的衬底加工质量。此外,该衬底约7×10^(11)Ω·cm的高电阻率为微波射频器件的开发提供了基础支撑。
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关键词
氧化镓
宽禁带半导体
晶体生长
直拉法
单晶衬底
掺杂
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职称材料
题名
2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究
1
作者
严宇超
王琤
陆昌程
刘莹莹
夏宁
金竹
张辉
杨德仁
机构
浙江大学材料科学与工程学院
浙江大学
杭州
国际科创中心先进
半导体
研究院和浙江省宽禁带功率
半导体
材料与器件重点实验室
杭州镓仁半导体有限公司
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第2期197-201,共5页
基金
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2023C01193)
中央高校基本科研业务费(226-2022-00200,226-2022-00250)
+2 种基金
博士后创新人才支持计划(BX20220264)
国家青年拔尖人才支持计划
杭州市领军型创新创业团队引进培育计划(TD2022012)。
文摘
本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷,宏观结晶质量良好。该衬底的(020)面X射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)的最大值为29.7″,表明具有良好的微观结晶质量。该衬底的表面平均粗糙度(Ra)的最大值为0.240 nm,局部厚度偏差(LTV)低于1.769μm,总厚度偏差(TTV)为5.092μm,翘曲度(Warp)为3.132μm,表明具有良好的衬底加工质量。此外,该衬底约7×10^(11)Ω·cm的高电阻率为微波射频器件的开发提供了基础支撑。
关键词
氧化镓
宽禁带半导体
晶体生长
直拉法
单晶衬底
掺杂
Keywords
Ga_(2)O_(3)
wide-bandgap semiconductor
crystal growth
Czochralski method
single crystal substrate
doping
分类号
O782.5 [理学—晶体学]
TQ133.51 [化学工程—无机化工]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究
严宇超
王琤
陆昌程
刘莹莹
夏宁
金竹
张辉
杨德仁
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
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