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题名S波段GaAs超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制
被引量：1
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作者
舒畅
彭龙新
李建平
贾晨阳
洪伟
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机构
东南大学信息科学与工程学院
东南大学毫米波国家重点实验室
杭州致善电子科技有限公司
南京电子器件研究所
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2024年第3期85-89,共5页
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基金
国家自然科学基金(62293492)
2011协同创新中心项目(2242022k60008)。
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文摘
本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低噪声放大器芯片,实现了超低噪声与高耐功率的性能。测试结果表明,该款芯片在目前相近频段所有限幅低噪声放大器产品中噪声系数最小。在2.7 GHz~3.5 GHz工作频带内,实测噪声系数NF≤0.85 dB,增益≥29 dB,带内增益平坦度≤±0.3 dB,静态工作电流≤25 mA,1 dB压缩点输出功率≥8 dBm。在耐功率50 W(250μs脉宽、25%占空比)下试验30 min后不烧毁,恢复到常温时,噪声几乎无变化。芯片尺寸为3450μm×1600μm×100μm。
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关键词
限幅低噪声放大器
超低噪声
高耐功率
小型化
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Keywords
limiter low-noise amplifier
ultra low noise
high power endurance
miniaturization
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分类号
TN722.3
[电子电信—电路与系统]
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