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基于波形测试的异质结双极型晶体管器件负载失配影响分析
1
作者
张津豪
苏江涛
+3 位作者
谢炜誉
邵世缘
徐魁文
李文钧
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期30-36,共7页
大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波...
大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波信号注入和相位参考模块获得待测器件实时电压电流波形,进而分析其负载失配影响机制。采用有源负载牵引技术模拟大功率耦合电磁脉冲注入,进行了电压驻波比39∶1的失配测试,大幅提升了测试范围。创新性地采用了谐波信号源注入模拟杂散谐波电磁干扰,评估器件的谐波阻抗失配特性。通过实际异质结双极型晶体管(HBT)器件测试的结果表明,基波的失配会造成负载端电压过大,增加器件的易损性;基波和谐波频率的干扰分量组合使得输出电压瞬态峰值升高,造成器件的损毁。在进行电磁安全防护时,应同时考虑基波和谐波频率的防护。
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关键词
负载失配
波形测试
异质结双极型晶体管
电磁安全防护
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职称材料
漏/阻双模高性能D波段无源混频器
被引量：
1
2
作者
张胜洲
孙玲玲
+1 位作者
文进才
刘军
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期1815-1822,共8页
介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻...
介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻性2种状态的端口大信号阻抗进行仿真分析,设计出射频(RF)和本振(LO)信号共用的匹配网络.测试结果表明:在漏极状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为3dBm时,转换增益位于-4.4^-11.6dB;在阻性状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为0dBm时,转换增益位于-8.0^-18.6dB.包含焊盘在内,芯片面积为0.86mm×0.43mm.
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关键词
漏/阻双模
D波段
共面波导(CPW)
变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)
微波单片集成电路(MMIC)
优良指数(FOMs)
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职称材料
题名
基于波形测试的异质结双极型晶体管器件负载失配影响分析
1
作者
张津豪
苏江涛
谢炜誉
邵世缘
徐魁文
李文钧
机构
杭州电子科技大学
浙江省
大规模
集成电路
设计
重点
实验室
出处
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期30-36,共7页
基金
国家自然科学基金项目(62293493)
科技部重点研发计划(2020YFB1804903)。
文摘
大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波信号注入和相位参考模块获得待测器件实时电压电流波形,进而分析其负载失配影响机制。采用有源负载牵引技术模拟大功率耦合电磁脉冲注入,进行了电压驻波比39∶1的失配测试,大幅提升了测试范围。创新性地采用了谐波信号源注入模拟杂散谐波电磁干扰,评估器件的谐波阻抗失配特性。通过实际异质结双极型晶体管(HBT)器件测试的结果表明,基波的失配会造成负载端电压过大,增加器件的易损性;基波和谐波频率的干扰分量组合使得输出电压瞬态峰值升高,造成器件的损毁。在进行电磁安全防护时,应同时考虑基波和谐波频率的防护。
关键词
负载失配
波形测试
异质结双极型晶体管
电磁安全防护
Keywords
load mismatch
waveform test
heterojunction bipolar transistor
electromagnetic protection
分类号
TN97 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
漏/阻双模高性能D波段无源混频器
被引量：
1
2
作者
张胜洲
孙玲玲
文进才
刘军
机构
浙江
大学
电气工程学院超
大规模
集成电路
设计研究所
杭州电子科技大学
教育部射频
电路
与系统
重点
实验室
杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路重点实验室
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期1815-1822,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(61331006
60906015)
浙江省自然科学基金资助项目(LY16F040004)
文摘
介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻性2种状态的端口大信号阻抗进行仿真分析,设计出射频(RF)和本振(LO)信号共用的匹配网络.测试结果表明:在漏极状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为3dBm时,转换增益位于-4.4^-11.6dB;在阻性状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为0dBm时,转换增益位于-8.0^-18.6dB.包含焊盘在内,芯片面积为0.86mm×0.43mm.
关键词
漏/阻双模
D波段
共面波导(CPW)
变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)
微波单片集成电路(MMIC)
优良指数(FOMs)
Keywords
dual drain/resistive modes
D-band
coplanar waveguide （CPW）
metamorphic high electron mobility transistor （mHEMT）
monolithic millimeter-wave integrated circuit （MMIC）
figure-〇 f-merits （FOMs）
分类号
TN773.2 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于波形测试的异质结双极型晶体管器件负载失配影响分析
张津豪
苏江涛
谢炜誉
邵世缘
徐魁文
李文钧
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
漏/阻双模高性能D波段无源混频器
张胜洲
孙玲玲
文进才
刘军
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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0
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