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题名器件参量对栅极调制碳纳米管冷阴极的影响(英文)
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作者
雷达
孟根其其格
红鸽
陈雷锋
梁静秋
王维彪
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机构
内蒙古大学鄂尔多斯学院
杭州电子科技大学材料与工程学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期46-53,共8页
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基金
The National Natural Science Foundation of China(No.61261004)
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文摘
基于电场叠加原理,利用悬浮球模型给出了带栅极纳米管顶端电场与电场增强因子,分析了碳纳米管与衬底之间的接触电阻、器件几何参量以及阴栅极之间的电介质对器件场发射性能的影响.结果表明:接触电阻大大降低了碳纳米管阴极的场发射电流,当接触电阻超过100kΩ时,发射电流密度非常小,此时需要更高的阳极开启电压;当阴栅极之间的电介质为真空时,阴极电子发射性能最佳;除了碳纳米管的长径比之外,栅孔半径、阴栅极间距以及阳极距离等的优化设计,也能提高器件发射性能;通过栅极偏压的调制,可以降低阳极驱动电压.
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关键词
碳纳米管
冷阴极
悬浮球
场发射
接触电阻
电介质
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Keywords
Carbon nanotube
Cold cathode
Floated sphere
Field emission
Contact resistance
Dielectric
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分类号
O46
[理学—电子物理学]
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