倾斜梳齿的MEMS电容式传感器惯性脉冲响应特性研究 被引量：12

1

作者 董林玺 颜海霞 +1 位作者 钱忺 孙玲玲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1035-1040,共6页

DRIE(Deep Reactive Ion Etching)工艺加工的高深宽比梳齿电容不能保证绝对平行.本文在考虑低真空空气阻尼力的同时,研究了梳齿电容倾斜的MEMS传感器对脉冲惯性信号的响应,并分析了DRIE工艺因素对器件性能的影响.研究结果表明,当传感器... DRIE(Deep Reactive Ion Etching)工艺加工的高深宽比梳齿电容不能保证绝对平行.本文在考虑低真空空气阻尼力的同时,研究了梳齿电容倾斜的MEMS传感器对脉冲惯性信号的响应,并分析了DRIE工艺因素对器件性能的影响.研究结果表明,当传感器为没有静电力反馈的双边电容结构时,梳齿电容的不平行对传感器的响应位移、惯性脉冲响应线性度范围影响明显,且随着封装真空度增加而加重.若传感器有静电力反馈,惯性脉冲响应的灵敏度降低,但DRIE工艺因素的影响程度降低.为了抑制DRIE工艺导致的梳齿电容不平行因素的影响,文中还设计了一个新型的变电容面积的MEMS惯性传感器,并用ANSYS初步分析了其性能,设计了其详细的制作工艺流程. 展开更多

关键词 高精度微传感器 倾斜梳齿 惯性脉冲响应 MEMS

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可重用IP核设计技术研究 被引量：2

2

作者 王卉 王小军 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期223-226,230,共5页

介绍了SoC设计方法和IP复用技术现状,探讨了可重用软IP和硬IP的设计方法、软IP设计应遵循的基本原则以及硬IP设计中的接口设计、时钟设计、测试结构设计和布局布线设计等若干个关键技术问题。基于硬IP设计思想,设计一锁相频率合成器IP模... 介绍了SoC设计方法和IP复用技术现状,探讨了可重用软IP和硬IP的设计方法、软IP设计应遵循的基本原则以及硬IP设计中的接口设计、时钟设计、测试结构设计和布局布线设计等若干个关键技术问题。基于硬IP设计思想,设计一锁相频率合成器IP模块,该模块由5个电路模块构成,集成了频率合成及自动调谐所需的主要部件。该模块在CSMCHJ的0.6μmCMOS工艺线上流片。 展开更多

关键词 软核 硬核 IP复用技术 频率合成器

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基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文) 被引量：2

3

作者 苗田乐 李文钧 +4 位作者 王皇 郑伟 申屠旭丹 刘军 孙玲玲 《电子器件》 CAS 2011年第1期17-20,共4页

对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并... 对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压。 展开更多

关键词 SOI LDMOS 模型 RESURF TCAD

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RFID防碰撞算法的研究进展与应用 被引量：2

4

作者 吕炳赟 潘剑侠 +1 位作者 马琪 肖自铧 《电讯技术》 2008年第7期124-128,共5页

随着射频身份识别(RFID)技术应用在诸多新的领域,其防碰撞问题日显突出。文中介绍了RFID中标签防碰撞和阅读器防碰撞算法与技术的研究进展,并指出了这些算法的优缺点。

关键词 射频身份识别 标签 防碰撞算法 研究进展 应用

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新型复合沟道Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器(英文) 被引量：3

5

作者 程知群 蔡勇 +3 位作者 刘杰 周玉刚 刘稚美 陈敬 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期241-245,共5页

设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提... 设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间。当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%。当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值。据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果。 展开更多

关键词 Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 压控振荡器 相位噪声

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基于灰度世界和白点检测的自动白平衡算法 被引量：11

6

作者 金黄斌 秦兴 郭斌林 《电子器件》 CAS 2011年第2期226-231,共6页

针对常见的自动白平衡算法存在的图像场景适应性不足或算法复杂度过高的问题,提出了一种新的自动白平衡算法。该方法综合考虑了灰度世界模型和白点检测算法的各自优势,采用一种自适应的控制流程来计算图像三分量的增益系数并进行白平衡... 针对常见的自动白平衡算法存在的图像场景适应性不足或算法复杂度过高的问题,提出了一种新的自动白平衡算法。该方法综合考虑了灰度世界模型和白点检测算法的各自优势,采用一种自适应的控制流程来计算图像三分量的增益系数并进行白平衡校正,在此基础上,运用软硬件协同设计来实现该算法,降低了硬件的开销,提高了算法的灵活性。实验结果表明,该算法改善了传统算法,能实现对偏色图像的准确校正。 展开更多

关键词 自动白平衡 色温 灰度世界 白点检测

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用于多处理器媒体SoC设计的实时总线调度优化策略 被引量：3

7

作者 陈科明 刘鹏 +1 位作者 王维东 姚庆栋 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1546-1551,共6页

为了减少多处理器媒体系统芯片(SoC)总线任务调度过程中的处理器性能损失,从减少总线任务冲突的角度出发,提出了改变任务属性和调整任务优先级相结合的总线任务调度优化策略.在保证任务实时性的前提下,通过增加原有任务可执行时间,将原... 为了减少多处理器媒体系统芯片(SoC)总线任务调度过程中的处理器性能损失,从减少总线任务冲突的角度出发,提出了改变任务属性和调整任务优先级相结合的总线任务调度优化策略.在保证任务实时性的前提下,通过增加原有任务可执行时间,将原有任务划分为多个子任务,动态调整任务优先级,充分利用总线的空闲时间执行部分任务,减少了总线任务冲突,降低了处理器因等待数据源而引起的性能损失.将该方法应用于多处理器媒体系统芯片MediaSoC3221A的设计中,当进行运动图像专家组(MPEG)实时解码时处理器的性能损失从原来的4.7%减小到0.1%. 展开更多

关键词 系统芯片(SoC) 媒体处理 总线调度 多处理器

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基于扫描的VLSI全速测试方法 被引量：2

8

作者 马琪 焦鹏 周宇亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1090-1093,共4页

当工艺进入到超深亚微米以下,传统的故障模型不再适用,必须对电路传输延迟引发的故障采用延迟故障模型进行全速测试。给出了常用的延迟故障模型,介绍了一种基于扫描的全速测试方法,并给出了全速测试中片上时钟控制器的电路实现方案。对... 当工艺进入到超深亚微米以下,传统的故障模型不再适用,必须对电路传输延迟引发的故障采用延迟故障模型进行全速测试。给出了常用的延迟故障模型,介绍了一种基于扫描的全速测试方法,并给出了全速测试中片上时钟控制器的电路实现方案。对芯片进行测试,可以直接利用片内锁相环电路输出的高速时钟对电路施加激励和捕获响应,而测试向量的扫描输入和响应扫描输出则可以采用测试机提供的低速时钟,从而降低了全速测试对测试机时钟频率的要求。最后,对于全速测试方案提出了若干建议。 展开更多

关键词 可测性设计 延迟故障 全速测试 扫描测试

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基于等效电路模型的Mesh结构P/G网布线优化方法 被引量：3

9

作者 马琪 张永伟 叶福军 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2005年第1期170-173,共4页

本文在对供电用串联电阻链的等效电路模型进行详细论证的基础上,根据Mesh结构P/G网所具有的结构特点,将P/G网电阻网络加以等效变换,得到比原网络规模小得多的等效简化网络。然后用现有的布线优化方法来优化简化网络,速度可提高至少一个... 本文在对供电用串联电阻链的等效电路模型进行详细论证的基础上,根据Mesh结构P/G网所具有的结构特点,将P/G网电阻网络加以等效变换,得到比原网络规模小得多的等效简化网络。然后用现有的布线优化方法来优化简化网络,速度可提高至少一个数量级。 展开更多

关键词 Mesh结构P/G网 布线优化 等效网络

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基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进 被引量：2

10

作者 孙玲玲 何佳 刘军 《电子器件》 CAS 2008年第4期1109-1112,共4页

针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提... 针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提取。在开放的PSP模型Verilog-A代码基础上完成改进代码的实现。最终的结果表明,采用改进后的模型,仿真曲线与测量的I-V曲线十分吻合,该模型大大提高了PSPI-V模型模拟高压LDMOS晶体管时的精确度,对于实用高压集成电路的设计和仿真有着重要意义。 展开更多

关键词 器件建模 高压LDMOS VERILOG-A 参数提取 BSIM3模型 PSP模型

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10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器 被引量：1

11

作者 黄海云 徐跃 +2 位作者 刘华珠 刘军 孙玲玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期60-62,共3页

给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。

关键词 光接收机 主放大器 限幅放大器 SIGE BICMOS 工艺

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以太网桥接专用集成电路的实现 被引量：2

12

作者 刘华珠 黄海云 +1 位作者 陈雪芳 李嘉穗 《现代电子技术》 2005年第8期94-96,共3页

介绍了一种基于高级数据链路控制(HDL C)协议,实现以太网桥接的专用集成电路技术,介绍了该集成电路的系统组成和主要模块功能,着重讨论了高级数据链路控制(HDL C)协议的算法设计以及FIFO控制模块中双指针操作方式的技术实现。

关键词 以太网 高级数据链路控制(HDLC) 桥接 专用集成电路

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标准单元工艺参数提取工具的设计及实现 被引量：3

13

作者 李训根 罗小华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第6期12-15,共4页

提出了一种标准单元工艺参数自动提取工具的实现方法。该工具能利用用户所提供的功能文件自动生成模拟所需的SPICE激励波形,并能根据SPICE激励波形自动进行参数提取,最后自动生成Synopsys综合库,Ver-ilog仿真库和Vital仿++真库。该工具... 提出了一种标准单元工艺参数自动提取工具的实现方法。该工具能利用用户所提供的功能文件自动生成模拟所需的SPICE激励波形,并能根据SPICE激励波形自动进行参数提取,最后自动生成Synopsys综合库,Ver-ilog仿真库和Vital仿++真库。该工具不仅可用于单个电路的工艺参数提取,也可应用于建立工艺参数库。工具缩短了建立工艺参数库的时间,也减少了工艺参数提取过程中人为引入的误差。 展开更多

关键词 标准单元 工艺参数 激励波形 建立时间

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基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO 被引量：2

14

作者 邝小飞 孙丹 李龙弟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期387-391,共5页

基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(cap-free LDO),通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示:负载电流... 基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(cap-free LDO),通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示:负载电流(IL)在0.5μs内瞬变50mA时,俯冲电压和过冲电压均为80mV左右,重回稳态的时间均小于1.5μs。 展开更多

关键词 低压差线性稳压器 无片外电容 摆率增强 高压摆率误差放大器

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基于AMBA总线的DMA控制器设计 被引量：4

15

作者 张军 马琪 《科技通报》 北大核心 2011年第2期268-271,共4页

给出了基于AMBA2.0总线的DMA控制器的RTL级设计,并搭建了SoC仿真平台进行功能仿真,最后进行了FPGA原型验证。在100MHz的工作频率下,仿真和验证结果表明,本设计可以满足功能和性能的要求。

关键词 SOC设计 AMBA总线 DMA控制器

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基于FPGA技术的DRAM分时存取方法 被引量：1

16

作者 刘华珠 陈雪芳 黄海云 《现代电子技术》 2005年第10期111-112,115,共3页

介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法,根据现场可编程器件设计的特点,结合DRAM读写和刷新时序的要求,提出了同步化操作DRAM的思想,给出了具体同步化操作DRAM的实现方法,针对现场可编程器件设计中经常有多模块... 介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法,根据现场可编程器件设计的特点,结合DRAM读写和刷新时序的要求,提出了同步化操作DRAM的思想,给出了具体同步化操作DRAM的实现方法,针对现场可编程器件设计中经常有多模块同时存取DRAM芯片的需求,提出了对DRAM芯片进行分时存取的方法,讨论了该方法的实现机制,结合具体的项目设计,给出了分时存取方法的关键时序,避开了复杂的DRAM控制器,节省了设计资源,简单方便地解决了DRAM操作的仲裁问题。 展开更多

关键词 FPGA DRAM 同步化 分时存取方法

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应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺

17

作者 洪慧 韩雁 叶晓伟 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1715-1718,共4页

介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺... 介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力. 展开更多

关键词 等离子平板显示屏 扫描驱动集成电路 场氧栅 高压驱动电路

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UHF RFID阅读器基带处理接收端电路的设计

18

作者 马琪 张军 肖自铧 《电子器件》 CAS 2010年第3期379-383,共5页

根据UHF RFID阅读器实现的IQ两路正交调制解调的零中频方案,设计和实现了阅读器基带处理芯片接收端电路,包括电路总体结构及解调器、解码器等关键模块的设计,完成其RTL设计、仿真及FPGA原型验证。该设计在物理层数据编码、调制方式及其... 根据UHF RFID阅读器实现的IQ两路正交调制解调的零中频方案,设计和实现了阅读器基带处理芯片接收端电路,包括电路总体结构及解调器、解码器等关键模块的设计,完成其RTL设计、仿真及FPGA原型验证。该设计在物理层数据编码、调制方式及其他关键技术进行了改进,性能上有很大的提高。 展开更多

关键词 UHF RFID阅读器 基带处理 解调器 解码器

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一个同时考虑时延约束和拥挤度优化的总体布线新方法

19

作者 吕丽华 马琪 谢满得 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第4期181-185,共5页

文章介绍了一个可以同时考虑时延约束和拥塞度优化的VLSI总体布线新方法。文章引入软边和滑动斯坦那点的概念,使布线的拓扑结构具有灵活性,使得总体布线在满足时延约束的情况下,可以有效缩减线网的拥塞度。

关键词 总体布线 时延约束 拥挤度优化

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混合基FFT算法运算量分析 被引量：8

20

作者 程志鹏 马琪 竺红卫 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共4页

通过理论推导、定量分析和实验设计的研究方法分析了非2整数次幂点数N的混合基快速傅里叶变换(FFT)算法运算量大小与N分解因子的不同组合方式以及组合次序的关系。实验结果表明,在一定条件下,对于相同FFT点数N的混合基FFT的不同分解因... 通过理论推导、定量分析和实验设计的研究方法分析了非2整数次幂点数N的混合基快速傅里叶变换(FFT)算法运算量大小与N分解因子的不同组合方式以及组合次序的关系。实验结果表明,在一定条件下,对于相同FFT点数N的混合基FFT的不同分解因子组合,其算法运算量与所有分解因子总和K的大小有关,但与因子的组合次序无关。最后提出了建立混合基FFT最小运算量的分解因子匹配库作为使用混合基FFT时的分解因子组合选择参考表的设想。为相关研究和实际应用的工程人员提供一定参考。 展开更多

关键词 混合基快速傅里叶变换(FFT) 频谱扩散 分解因子 计算复杂度

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