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基于增强负例多粒度区分模型的视频动作识别研究 被引量：2
1
作者 刘良振 杨阳 +1 位作者 夏莹杰 邝砾 《通信学报》 CSCD 北大核心 2024年第12期28-43,共16页
为提升模型对视频动作的细粒度区分能力,提出一种基于对比学习的增强负例区分范式。通过为每个视频生成增强负例集合,以补充最难区分的视频-文本负例对。为了进一步区分正负例,基于该范式提出一种用于视频动作识别的多粒度区分模型。在... 为提升模型对视频动作的细粒度区分能力,提出一种基于对比学习的增强负例区分范式。通过为每个视频生成增强负例集合,以补充最难区分的视频-文本负例对。为了进一步区分正负例,基于该范式提出一种用于视频动作识别的多粒度区分模型。在该模型中,视频表征器通过引入文本正例特征引导视频特征提取,而正负语义区分器利用自注意力机制构建正负语义之间的自相关关系。该模型既能够实现模态间视频与增强负例集的粗粒度区分,还可以实现文本模态内正例与增强负例集的细粒度区分。实验结果表明,增强负例集能显著提升模型在细粒度类别标签上的识别能力,多粒度区分模型在Kinetics-400、HMDB51和UCF101数据集上的性能均优于当前较具代表性的方法。 展开更多
关键词 对比学习 增强负例 范式 视频动作识别
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一种新型的高性能CPU时钟树自适应优化策略
2
作者 樊凌雁 张哲 +2 位作者 黄灿坤 骆建平 刘海銮 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第4期1192-1201,共10页
该文基于精简指令集系统(RISC-V)架构提出了一种新型的自适应全流程(ADFF)时钟树优化方法,高效利用有用偏差(useful skew)来优化高性能CPU时钟树,以满足市场对芯片高性能和低功耗的双重需求。针对时钟树,通过选择关键路径并结合理论延... 该文基于精简指令集系统(RISC-V)架构提出了一种新型的自适应全流程(ADFF)时钟树优化方法,高效利用有用偏差(useful skew)来优化高性能CPU时钟树,以满足市场对芯片高性能和低功耗的双重需求。针对时钟树,通过选择关键路径并结合理论延迟和缓冲器制造有用偏差,采用循环迭代的方式,在不同流程自适应修复常规流程无法解决的建立时间违例(setup violation)和保持时间违例(hold violation)。为了在提升性能的同时,最大限度降低功耗,该文对加入的延迟单元进行合并(merge)处理,实现功耗与时序的联合优化。最后采用RISC_V CPU核进行验证,研究结果表明,在确保合理功耗的基础上,所提方法显著改善了时序情况,总时序裕量违例几乎完全消除。 展开更多
关键词 时钟树 有用偏差 自适应 时间违例 联合优化
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铁电基的存算一体组合优化求解器
3
作者 钱煜 杨泽禹 +7 位作者 王然然 蔡嘉豪 李超 黄庆荣 樊凌雁 李云龙 卓成 尹勋钊 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3104-3115,共12页
组合优化问题在诸多领域应用广泛,大多属于非确定多项式时间难题,基于冯·诺依曼架构的传统数字计算机难以满足其极高计算复杂度的需求。具有阈值电压可编程特性和多端口输入结构的铁电晶体管(FeFET)为高效求解组合优化问题提供了... 组合优化问题在诸多领域应用广泛,大多属于非确定多项式时间难题,基于冯·诺依曼架构的传统数字计算机难以满足其极高计算复杂度的需求。具有阈值电压可编程特性和多端口输入结构的铁电晶体管(FeFET)为高效求解组合优化问题提供了新的机遇。基于FeFET的存算一体架构具有能效高、延时低等特点,同时支持对向量-矩阵及向量-矩阵-向量乘法等复杂算子的加速,非常适合求解组合优化问题。该文回顾了FeFET的器件特性,介绍了组合优化问题的基本求解过程,并进一步探讨了近年来面向等式约束、不等式约束和纳什均衡场景下基于FeFET的存算一体组合优化求解器工作。最后,该文从多个方面分析并展望了基于FeFET的存算一体组合优化求解器的前景与挑战。 展开更多
关键词 铁电晶体管 存算一体 组合优化
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基于高压静电纺丝法制备的P(VDF-TrFE)/ZnO/GR复合膜压电性能研究 被引量：2
4
作者 骆懿 张家畅 +2 位作者 赵治栋 王金鹏 吴颖 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1352-1358,共7页
提出了一种利用高压静电纺丝法制备P(VDF-TrFE)/ZnO/Graphene(以下简称GR)复合纳米纤维薄膜的方法,并对其压电性能进行了研究。首先,利用扫描电镜(SEM)观测复合薄膜的表面形貌并分析其X射线衍射(XRD)图谱。其次,将薄膜封装为三明治结构... 提出了一种利用高压静电纺丝法制备P(VDF-TrFE)/ZnO/Graphene(以下简称GR)复合纳米纤维薄膜的方法,并对其压电性能进行了研究。首先,利用扫描电镜(SEM)观测复合薄膜的表面形貌并分析其X射线衍射(XRD)图谱。其次,将薄膜封装为三明治结构的压电纳米发电机(PNG)并研究了其压电性能。结果表明,含10%ZnO、0.1%GR的P(VDF-TrFE)/ZnO/GR复合薄膜压电纳米发电机开路输出电压和短路输出电流峰值为12.6 V、7.88μA,约是纯P(VDF-TrFE)薄膜的2.7倍、3.1倍。在激振力大小3.5 N,频率为5 Hz的条件下P(VDF-TrFE)/ZnO/GR压电纳米发电机的最大瞬时输出功率为33.85μW,持续激振21 min后,LTC3588-1毫微功率能量收集电源可以稳定输出3.3 V电压1.5 s。P(VDF-TrFE)/ZnO/GR压电纳米发电机具有良好的压电性能,具有成为自供电设备的潜力。 展开更多
关键词 振动能量收集 P(VDF-TrFE) 高压静电纺丝 石墨烯 氧化锌
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一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器及其在睡眠监测中的应用 被引量：1
5
作者 骆懿 王东祥 +2 位作者 赵治栋 王金鹏 吴颖 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期345-352,共8页
针对日常睡眠监测的需求,提出一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/锆钛酸铅(PZT)压电传感器并对其性能进行了研究。首先,介绍了P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器的制作及封装流程。其次对其灵敏度,频率响应特性,瞬时响应和稳定性等进... 针对日常睡眠监测的需求,提出一种基于高压静电纺丝工艺制备的P(VDF-TrFE)/锆钛酸铅(PZT)压电传感器并对其性能进行了研究。首先,介绍了P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器的制作及封装流程。其次对其灵敏度,频率响应特性,瞬时响应和稳定性等进行了测试。结果表明,该传感器不仅具有良好的微观外貌形态,且相比于纯P(VDF-TrFE)压电传感器0.73 V/N的灵敏度,制备的含30%PZT的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器灵敏度是纯P(VDF-TrFE)压电传感器的2.5倍,达到了1.78 V/N。此外在低频下能够保持稳定压电输出且具备2 ms较快的响应时间。最后采用自制的P(VDF-TrFE)/PZT压电传感器测量人体心冲击信号,并通过支持向量机(SVM)训练睡眠分期模型实现了对睡眠质量的监测,四分类模型平均准确率达到72.5%,为可穿戴睡眠监测传感器的选择提供了参考。 展开更多
关键词 压电传感器 P(VDF-TrFE) 高压静电纺丝 PZT 睡眠监测
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空地协同场景下具有隐私保护的高效异构认证方案
6
作者 刘雪娇 赵祥 +1 位作者 夏莹杰 曹天聪 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1981-1991,共11页
在空地协同场景下车辆与无人机频繁通信存在异构认证效率低、隐私容易泄露、计算开销较大等问题,为此提出高效的异构认证方案.设计基于Schnorr签名和物理不可克隆函数的高效异构认证协议以抵抗克隆攻击、物理攻击和重放攻击等安全威胁;... 在空地协同场景下车辆与无人机频繁通信存在异构认证效率低、隐私容易泄露、计算开销较大等问题,为此提出高效的异构认证方案.设计基于Schnorr签名和物理不可克隆函数的高效异构认证协议以抵抗克隆攻击、物理攻击和重放攻击等安全威胁;设计基于模糊提取器和身份令牌的车辆假名生成方法,在保护用户隐私的同时准确追溯恶意车辆的身份信息,实现有条件的隐私保护;设计基于密钥共享的切换认证协议,减少认证过程中的计算量,降低认证过程中无人机的能量消耗.实验结果表明,所提方案有效提高了车辆与无人机认证效率,与现有方案相比,平均降低了54.8%的计算开销. 展开更多
关键词 空地协同 异构相互认证 密钥协商 切换认证 隐私保护
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基于静电纺P(VDF-TrFE)/BaTiO_(3)压电复合薄膜的制备及其性能
7
作者 骆懿 孙玥 +2 位作者 赵治栋 王金鹏 吴颖 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期971-979,共9页
为了探究压电纳米发电机在给电子设备供电领域的应用潜力,提出一种在湿度变化的条件下通过静电纺丝法制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)(P(VDF-TrFE))/钛酸钡(BaTiO_(3))复合纳米压电薄膜的方法。利用扫描电镜、X射线衍射仪对压电薄膜进行表征... 为了探究压电纳米发电机在给电子设备供电领域的应用潜力,提出一种在湿度变化的条件下通过静电纺丝法制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)(P(VDF-TrFE))/钛酸钡(BaTiO_(3))复合纳米压电薄膜的方法。利用扫描电镜、X射线衍射仪对压电薄膜进行表征,并以薄膜为基材制备纳米发电机,利用激振设备对其压电性能进行评估。激振实验表明,当纺丝环境相对湿度为65%时,由P(VDF-TrFE)质量分数为10%、BaTiO_(3)质量分数为1%的纺丝液制备的复合薄膜纳米发电机的压电响应输出最高,相较纯P(VDF-TrFE)提高了约2.0倍。实验表明,该纳米发电机可从日常运动中收集能量并为单片机供电,因此其在给低功耗电子设备供电领域具有较大的应用潜力。 展开更多
关键词 静电纺丝 P(VDF-TrFE) 纳米发电机 压电性能
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集成PN结防护结构的薄膜换能芯片 被引量：4
8
作者 李慧 骆建军 +4 位作者 任炜 冯春阳 褚恩义 陈建华 李蛟 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期222-228,共7页
研究设计了一种平面纵向集成PN结(半导体的空间电荷区)结构二极管的薄膜换能元芯片,并制作了3Ω和4Ω2种桥区电阻,每种电阻制备1.0 mm×1.0 mm、1.5 mm×1.5 mm、2.0 mm×4.0 mm 3种芯片尺寸,每种尺寸设计8,18,28,34 V 4种... 研究设计了一种平面纵向集成PN结(半导体的空间电荷区)结构二极管的薄膜换能元芯片,并制作了3Ω和4Ω2种桥区电阻,每种电阻制备1.0 mm×1.0 mm、1.5 mm×1.5 mm、2.0 mm×4.0 mm 3种芯片尺寸,每种尺寸设计8,18,28,34 V 4种击穿电压的集成芯片样品,其中1.0 mm芯片对应4种击穿电压的芯片,1.5 mm、2.0 mm芯片对应34 V击穿电压进行静电对比试验。为研究集成防护结构对换能元的爆发性能的影响,对3Ω的1.0 mm集成芯片进行了发火试验测试。结果表明集成薄膜芯片尺寸越大,抗静电能力增强;芯片桥区电阻越大,越容易受到静电干扰损伤,其静电防护性能达500 pF/500Ω/25 kV。PN结结构的击穿电压越小,其旁路电流的能力越大,对换能元爆发性能的影响越大,击穿电压越大,对换能元的静电防护作用越小。对于33μF/16 V作用条件的火工品,选择18 V击穿电压的集成芯片说明集成薄膜芯片应用中需要根据换能元的工作电压选用合适的击穿电压,以保证集成芯片既可以防护静电干扰,不影响产品的正常作用。 展开更多
关键词 微机电系统 PN结 薄膜换能元 抗静电 发火
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