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C波段GaN HEMT内匹配管设计
1
作者
钱天乐
程知群
+1 位作者
乐超
郑邦杰
《微波学报》
北大核心
2025年第3期62-65,共4页
本文针对雷达对射频功率放大器大功率和高效率的迫切需求,设计了一款工作在C波段的氮化镓内匹配功率放大器,其输入输出匹配采用加工在Al2O3陶瓷基板上的芯片电容和键合金丝。内匹配管工作时,漏极电压为48 V,栅极电压为-2 V,在5.7 GHz~5....
本文针对雷达对射频功率放大器大功率和高效率的迫切需求,设计了一款工作在C波段的氮化镓内匹配功率放大器,其输入输出匹配采用加工在Al2O3陶瓷基板上的芯片电容和键合金丝。内匹配管工作时,漏极电压为48 V,栅极电压为-2 V,在5.7 GHz~5.9 GHz的连续波工作条件下,输出最大功率可达47.6 dBm,附加效率PAE大于40%,小信号增益大于12.8 dB。充分显示出了氮化镓高电子迁移率晶体管器件高击穿电压、大输出功率的特点。
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关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管
C波段
大功率
内匹配
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职称材料
题名
C波段GaN HEMT内匹配管设计
1
作者
钱天乐
程知群
乐超
郑邦杰
机构
杭州电子科技大学
电子信息
学院
杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
出处
《微波学报》
北大核心
2025年第3期62-65,共4页
基金
科技部重点研发计划(2018YFE0207500)
科技部基地平台(D20011)。
文摘
本文针对雷达对射频功率放大器大功率和高效率的迫切需求,设计了一款工作在C波段的氮化镓内匹配功率放大器,其输入输出匹配采用加工在Al2O3陶瓷基板上的芯片电容和键合金丝。内匹配管工作时,漏极电压为48 V,栅极电压为-2 V,在5.7 GHz~5.9 GHz的连续波工作条件下,输出最大功率可达47.6 dBm,附加效率PAE大于40%,小信号增益大于12.8 dB。充分显示出了氮化镓高电子迁移率晶体管器件高击穿电压、大输出功率的特点。
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管
C波段
大功率
内匹配
Keywords
gallium nitride high electron mobility transistor
C-band
high power
internal matching
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN82 [电子电信—信息与通信工程]
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题名
作者
出处
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1
C波段GaN HEMT内匹配管设计
钱天乐
程知群
乐超
郑邦杰
《微波学报》
北大核心
2025
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