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PECVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系 被引量:9
1
作者 杨爱龄 张秀淼 邵迪玲 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1990年第2期174-183,共10页
本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低(3%以下),任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加,固定界面正电荷密度与陷阱... 本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低(3%以下),任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加,固定界面正电荷密度与陷阱密度均在10^(12)/cm^2量级,膜的导电机理显示Poole-Frenkel发射,当Si/N比为1.25~0.81时,膜的击穿场强为3.0~8.5MV/cm. 展开更多
关键词 氮化硅 薄膜 PECVD 性质 生长条件
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水厂分布式实时监控和管理系统的设计 被引量:3
2
作者 金文光 徐新民 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1997年第3期209-213,共5页
本文介绍了水厂分布式实时监控和管理系统的设计,并以可编程控制(PLC)作为过程控制级对其结构功能、通讯方式和可靠性三方面作了详细的论述.实际运行,效果较好.
关键词 实时监控 PLC 水处理 水厂 管理系统 分布式
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电子辐照CZ-Si单晶的深能级 被引量:1
3
作者 丁扣宝 胡莲君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期52-53,共2页
常温下用剂量为4×10(15)电子/cm2的1.8MeV电子束对CZ-Si单晶制成的p+n二极管进行了辐照,采用深能级瞬态谱技术(DLTS)在该样品中观察到4个深能级,并对其形成原因进行了讨论。
关键词 电子辐照 深能级 半导体材料
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模代数与普通代数的关系 被引量:2
4
作者 王伶俐 陈偕雄 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1997年第1期40-44,共5页
本文提出了模代数中的取模和退模运算,并且在此基础上指出了模代数系统和普通代数系统的反演关系,对普通代数系统也作了重新的认识,最后简略地提出了它们的一些应用.
关键词 模代数 普通代数 取模运算 退模运算
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基于与—异或代数系统的对称函数的研究 被引量:1
5
作者 陈偕雄 张文权 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第3期291-297,共7页
本文在分析与—或—非代数系统的基础上研究了基于与—异或代数系统的对称函数,讨论了RM型基本对称函数的定义和性质,在此基础上提出了二种基于RM型对称型函数的任意对称函数的综合方法:基于RM型通用逻辑组件ULM3的逻辑综合及基于全加器... 本文在分析与—或—非代数系统的基础上研究了基于与—异或代数系统的对称函数,讨论了RM型基本对称函数的定义和性质,在此基础上提出了二种基于RM型对称型函数的任意对称函数的综合方法:基于RM型通用逻辑组件ULM3的逻辑综合及基于全加器与RM型PLA的逻辑综合。 展开更多
关键词 对称函数 RM型 布尔函数 代数系统
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计算谱系数的改进算法 被引量:1
6
作者 陈偕雄 徐新民 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1995年第3期327-328,共2页
逻辑函数可以通过如下正交变换从二进制域变换至谱域:R]=[T]·F]式中R]为谱系数列阵,r_i∈{-2~n,-2~n+2,…,0,…,2~n-2,2~n},i=1,2,…,n,…,12…n;[T]为从二进制域到谱域的变换矩阵,T_(ij)∈{-1,+1};F]为函数f(x)的函数值0→1,1→-... 逻辑函数可以通过如下正交变换从二进制域变换至谱域:R]=[T]·F]式中R]为谱系数列阵,r_i∈{-2~n,-2~n+2,…,0,…,2~n-2,2~n},i=1,2,…,n,…,12…n;[T]为从二进制域到谱域的变换矩阵,T_(ij)∈{-1,+1};F]为函数f(x)的函数值0→1,1→-1经变换后的列阵,f_i∈{-1,-1}.式(1)的逆变换为F]=[r]^(-1)·R] 展开更多
关键词 逻辑函数 谱系数 算法
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基于图形方法的对称函数两种展开系数之间的转换 被引量:2
7
作者 陈偕雄 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第4期408-414,共7页
本文讨论了基于“与”-“或”-“非”代数系统和基于“与”-“异或”代数系统的两类基本对称函数的定义和任意对称函数在这两类对称函数完备集中的图形表示,提出了两种展开系数的图形转换方法。
关键词 Reed-Muller 展开 对称函数 BJ图
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食堂智能卡管理系统
8
作者 徐新民 金文光 +1 位作者 黄瑞祥 黄瑞祥 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1996年第3期241-245,共5页
本文全面介绍了通过使用最新推出的智能卡(IC卡)技术,结合51系列单片机而研制的食堂智能卡管理系统,替代了原食堂繁琐的饭票流通,实现了食堂管理的电脑化.
关键词 智能卡 单片机 接口 食堂 管理系统
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基于Ieda模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系
9
作者 丁扣宝 施红军 张秀淼 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1996年第3期246-250,共5页
采用Ieda提出的载流子发射的三维模型,研究了半导体中载流子的电场增强产生现象,推导出基于三维模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系,并用于解释有关的实验结果.
关键词 半导体 电场增强 Ieda模型 载流子产生
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用于可重叠多窗口管理系统的MGA算法
10
作者 方志刚 马卫娟 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 1995年第2期56-59,共4页
本文提出一种用于可重叠多窗口管理系统的最小图形存取算法MGA。该算法简捷易实现,可完成可重叠多窗口系统的自动管理,并可得到最大响应速度。MGA算法已在我们开发的支持应用程序开发的实用工具箱UTB的窗口管理子系统WMS... 本文提出一种用于可重叠多窗口管理系统的最小图形存取算法MGA。该算法简捷易实现,可完成可重叠多窗口系统的自动管理,并可得到最大响应速度。MGA算法已在我们开发的支持应用程序开发的实用工具箱UTB的窗口管理子系统WMS的开发中得到了成功的应用。 展开更多
关键词 多窗口系统 窗口管理 MGA算法 图像处理
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对称函数各完备集展开系数之间的转换
11
作者 陈偕雄 沈继忠 金文光 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第4期400-407,共8页
本文从三种构成完备集的对称函数的定义及有关性质出发,讨论了对称函数在各完备集中展开系数之间的转换,给出了相应的变换矩阵,从而建立了各完备集之间的相互联系。
关键词 对称函数 函数展开 矩阵变换
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时变最优化信息处理技术及其应用(Ⅰ):基本思想与系统辨识
12
作者 赵勇 冯纯伯 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1999年第4期92-97,共6页
分析了时变目标函数及其最优解的时变性能,提出了跟踪时变目标函数最优解的一阶和二阶方法,其中二阶方法能使时变目标函数最优解的跟踪以指数速率收敛。
关键词 时变最优化 信息处理 系统辨识 时变目标函数
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基于多β晶体管的高速电子模拟开关
13
作者 周选昌 吴训威 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1998年第2期47-53,共7页
本文在分析双极型模拟开关和多β晶体管工作特性的基础上,利用多β晶体管工作在线性放大区、工作速度高、射极输入射极输出结构等优点,设计了基于多β晶体管的高速电子模拟开关.计算机模拟表明,该模拟开关不仅具有结构简单,导通阻... 本文在分析双极型模拟开关和多β晶体管工作特性的基础上,利用多β晶体管工作在线性放大区、工作速度高、射极输入射极输出结构等优点,设计了基于多β晶体管的高速电子模拟开关.计算机模拟表明,该模拟开关不仅具有结构简单,导通阻抗小,而且速度极高.本文还通过多路复用器设计,显示了该模拟开关的射极输入射极输出特性使有关电路设计变得简单容易. 展开更多
关键词 模拟开关 传输 多Β晶体管 多路复用器
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电子辐照微氮直拉硅单晶的深能级的研究
14
作者 丁扣宝 张秀淼 +2 位作者 石国华 孙勤生 施建青 《电子科学学刊》 CSCD 1995年第3期334-336,共3页
本文研究了电子辐照在氮保护气氛中生长的直拉硅单晶中引入的深能级。没有发现可检测的与氮有关的深能级。
关键词 电子辐射 微氮直接硅单晶 深能级
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对称函数展开系数变换的新算法
15
作者 陈偕雄 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1995年第2期210-211,共2页
在传统的二值逻辑中,存在三种构成完备集的对称函数;基本对称函数S_i、简单对称函数τ_i以及RM型基本对称函数R_i.任意对称函数均可作如下展开:f(x_1,…,x_n)= sum from j=0 to∞(A_j·S_j)(1)f(x_1,…,x_n)= (?)(B_j·τ_j)(... 在传统的二值逻辑中,存在三种构成完备集的对称函数;基本对称函数S_i、简单对称函数τ_i以及RM型基本对称函数R_i.任意对称函数均可作如下展开:f(x_1,…,x_n)= sum from j=0 to∞(A_j·S_j)(1)f(x_1,…,x_n)= (?)(B_j·τ_j)(2)f(X_1,…,X_)=(?)C_j·R_j(3)上述诸式中∑表示或运算,(?)表示异或运算,·表示与运算.根据S_i,τ_i与R_i的定义以及异或运算的性质可以得到各展开系数之间的转换关系: 展开更多
关键词 对称函数 展开 算法
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对称三值代数系统 被引量:2
16
作者 谢小平 吴训威 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1993年第4期419-424,共6页
本文对对称三值格代数与对称三值模代数进行了讨论,提出了任意对称三值函数的格代数规范展开和模代数的一般化展开。最后讨论两种代数之间的关系,并求出函数展开式系数之间的转换矩阵.
关键词 多值逻辑 对称三值逻辑 代数
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自动磁芯分选系统
17
作者 陈凯良 袁贞丰 +2 位作者 宋志坚 陈禹臣 高志坚 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第1期53-62,共10页
本文介绍了一种可按磁导率μ值相对偏差大小,对磁芯进行自动分选的机电一体化系统,它由自动磁芯分选仪(主机)、驱动电源、传输机构三个独立部件组成.该系统具有自动预测、自动分选、自动计数等功能.分选精度:±0.5%,分选速度>0.5... 本文介绍了一种可按磁导率μ值相对偏差大小,对磁芯进行自动分选的机电一体化系统,它由自动磁芯分选仪(主机)、驱动电源、传输机构三个独立部件组成.该系统具有自动预测、自动分选、自动计数等功能.分选精度:±0.5%,分选速度>0.5颗/秒,并可适应对多种规格磁芯进行分选.多项试验表明,该自动分选系统能有效地解决国产磁芯μ值离散性大的难题,对提高磁芯电感器的精度和成品率有明显效果. 展开更多
关键词 磁芯 自动分选 电感器 分选系统
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外延层质量与恒流器体特性关系的研究
18
作者 洪云翔 张浙源 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第1期106-107,共2页
目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3~5μm,电阻率为1~2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅... 目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3~5μm,电阻率为1~2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n^+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备. 展开更多
关键词 外延层 恒流器件 CRD 二极管
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非语音声音在人机交互技术中的应用 被引量:11
19
作者 方志刚 吴晓波 +1 位作者 徐新民 金文光 《计算机科学》 CSCD 北大核心 1997年第6期62-65,共4页
1引言 人机交互技术已经历了字符用户界面(CUI),图形用户界面(GIJI)和多媒体用户界面段,目前正朝着三维,多通道用户界面以及虚拟现实(VR)技术的方向发展。从人的特点考虑。
关键词 人机交互 非语音声音 声学 声音信号 信号检测
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限幅电压开关理论及三值TTL电路的开关级逻辑设计 被引量:9
20
作者 吴训威 万旭 赵小杰 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 1993年第9期682-691,共10页
本文根据作者对CMOS电路的研究经验,在分析二值与三值TTL反相器工作过程的基础上,讨论了TTL电路中晶体管开关元件与信号之间的相互作用过程,并由此建立了适用于TTL电路的限幅电压开关理论,设计实例表明,该理论不仅可用于指导三值TTL电... 本文根据作者对CMOS电路的研究经验,在分析二值与三值TTL反相器工作过程的基础上,讨论了TTL电路中晶体管开关元件与信号之间的相互作用过程,并由此建立了适用于TTL电路的限幅电压开关理论,设计实例表明,该理论不仅可用于指导三值TTL电路的设计,而且还可用于指导二值TTL电路的设计,由此显示出该理论的实用意义。 展开更多
关键词 逻辑设计 开关理论 TTL电路
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