集成式等效低压二极管 被引量：1

1

作者 张常军 王英杰 +2 位作者 邓晓虎 刘晓刚 王明辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期23-26,31,共5页

采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管。该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联。这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间... 采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管。该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联。这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的特性。选择特有的版图设计和工艺流程,可以将普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的电压VECO(实际也是等效低压二极管的反向击穿电压)调整到5.1 V以下,该等效低压二极管的反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10Ω以内。利用此特性,该等效低压二极管适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失。 展开更多

关键词 二极管 集成 低漏电 低动态电阻 等效

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沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺 被引量：2

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作者 李志栓 汤光洪 +2 位作者 於广军 杨新刚 杨富宝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期933-938,共6页

深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线... 深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。 展开更多

关键词 沟槽肖特基器件 Si深槽刻蚀 常温刻蚀 无缝回填 SF6/O2比例

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深槽刻蚀侧壁平坦化技术 被引量：2

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作者 於广军 杨彦涛 +3 位作者 闻永祥 李志栓 方佼 马志坚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期390-393,共4页

介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,... 介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,扇贝褶皱的底部沿<100>晶向氧化,而顶部沿<110>晶向氧化的矢量叠加方向。当热氧生长厚度较薄时,氧化行为倾向于线性氧化,由于线性氧化的速率常数强烈依赖晶向取向,因此氧化一定时间后,顶部的氧化深度与底部的氧化深度达到一致。基于上述氧化机制,Si/Si O2界面变得平滑陡直。 展开更多

关键词 深槽刻蚀(DRIE) 扇贝褶皱 博世工艺 线性氧化 光滑侧壁

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光刻机曝光均匀性在线检测方法 被引量：1

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作者 闫建新 范伟宏 +1 位作者 李立文 宋金伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期577-581,共5页

光刻机的曝光量和焦距会随着做片量的增加发生漂移,具体表现为曝光场内和圆片内出现曝光不均的质量异常。设计了针形解析图形和方形显开解析图形,利用Ultra Step 1000光刻机进行实验,分析了曝光量和焦距的变化对解析图形解析值的影响。... 光刻机的曝光量和焦距会随着做片量的增加发生漂移,具体表现为曝光场内和圆片内出现曝光不均的质量异常。设计了针形解析图形和方形显开解析图形,利用Ultra Step 1000光刻机进行实验,分析了曝光量和焦距的变化对解析图形解析值的影响。结果表明,曝光量对针形光胶解析图形影响较大,焦距对方形显开解析图形的影响较大。设计了解析图形在曝光场内和圆片内的布局方案,以及在线检测曝光场内和圆片内的曝光均匀性的具体方法,利用该方法可以有效提高光刻机曝光均匀性的在线监控效率,提早预防曝光不均异常现象的发生。该监控方法可以应用于其他类型的光刻机。 展开更多

关键词 光刻机 曝光均匀性 曝光量 焦距 在线检测

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扩散炉管气体流动分析和流量计算数学模型 被引量：3

5

作者 闫建新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期706-710,共5页

环境温度气体通过进气管进入高温扩散炉管后迅速膨胀,气体流量和流速均数倍增加;气体射流在炉尾形成的紊流区延伸到工艺恒温区范围,导致靠近炉尾恒温区的气体流动不稳定。通过放置挡板或挡片的方式可以减轻炉尾紊流区对恒温区Si片工艺... 环境温度气体通过进气管进入高温扩散炉管后迅速膨胀,气体流量和流速均数倍增加;气体射流在炉尾形成的紊流区延伸到工艺恒温区范围,导致靠近炉尾恒温区的气体流动不稳定。通过放置挡板或挡片的方式可以减轻炉尾紊流区对恒温区Si片工艺的影响。根据扩散炉管内气体的流动状态和气体动力学有关参数和计算方法,推导出计算气体流量的数学模型公式,只需利用扩散炉管的基本参数就可以计算出需要通入炉管的环境温度气体流量,减少凭经验判定气体流量参数的盲目性,减少不必要的气体材料消耗。 展开更多

关键词 扩散炉管 气体流量 流动分析 反应平衡分析 数学模型

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基于多价离子束流的高能量注入工艺研究

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作者 徐敏杰 丁伯继 +3 位作者 崔建 王旭 蔡雪原 杨建红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1078-1082,共5页

针对专用高能量注入设备价格昂贵、维护成本高等问题,研究了一种基于二价、三价离子束流提升中低能设备能量上限的离子注入工艺。利用离化质量分析谱线分析了多价离子的筛选,介绍了元素沾污和能量沾污的工艺风险及其防治方法,设计了多... 针对专用高能量注入设备价格昂贵、维护成本高等问题,研究了一种基于二价、三价离子束流提升中低能设备能量上限的离子注入工艺。利用离化质量分析谱线分析了多价离子的筛选,介绍了元素沾污和能量沾污的工艺风险及其防治方法,设计了多价离子和单价离子注入的对比实验。结果表明,在注入到硅片的多价离子与单价离子总能量相等的条件下,二者注入结深一致,测试片的方块电阻差异仅为2.5%,验证了此工艺的可行性,以期达到充分发挥设备潜力、优化产品工艺的目的。 展开更多

关键词 多价离子 离子注入 高能量 离化质量分析谱线 沾污

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不同钝化结构开关晶体管的电子辐照退火特性

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作者 王平 吴贵阳 王英杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期631-635,共5页

在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同二次钝化结构的npn型开关晶体管参数(ts,hFE和两个不同电路下hFE的比值K)的差异,并分析了不同二次钝化结... 在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同二次钝化结构的npn型开关晶体管参数(ts,hFE和两个不同电路下hFE的比值K)的差异,并分析了不同二次钝化结构电参数的差异的原因。结果表明,在降低辐照诱导的表面复合电流、提高晶体管的综合电学性能方面,纯氮化硅膜的二次钝化结构为最优选择。这种结构在存贮时间ts满足器件要求的同时,电流增益hFE和K值衰减幅度最小。这个结论有助于开关晶体管结构设计优化。 展开更多

关键词 开关晶体管 电子辐照 氮化硅 存贮时间 电流增益

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沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化

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作者 汤光洪 高周妙 +2 位作者 罗燕飞 李志栓 周燕春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期534-539,共6页

采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCV... 采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件。结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4%。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 低压化学气相淀积(LPCVD) 非晶Si 填槽工艺 无缝回填 高深宽比

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表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用 被引量：2

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作者 贺开矿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期24-26,共3页

叙述了表面活性剂的性质、分类、分子结构特点,重点介绍了表面活性剂在光刻工艺的涂胶、显影、湿刻工序中的应用。适当加入表面活性剂,在现有设备的条件下可极大地提高光刻质量,对双极电路以及C M O S 电路制作都有着重要的现实意义。

关键词 表面活性剂 表面张力 光刻 显影 湿法腐蚀

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快速热退火对SPV法测试氧化硅片中铁的影响

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作者 杨富宝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期178-181,共4页

研究了快速热退火(RTA)对表面光电压SPV法测试氧化硅片中铁的影响。结果表明,氧化硅片在1100℃的条件下RTA 3min后,SPV测出的铁含量大幅度地减小。由于RTA的均匀化作用,氧化硅片表层的铁浓度显著低于氧化刚结束时硅片表层的铁浓度。根据... 研究了快速热退火(RTA)对表面光电压SPV法测试氧化硅片中铁的影响。结果表明,氧化硅片在1100℃的条件下RTA 3min后,SPV测出的铁含量大幅度地减小。由于RTA的均匀化作用,氧化硅片表层的铁浓度显著低于氧化刚结束时硅片表层的铁浓度。根据SPV测试理论,从硅片表面到少数载流子产生处这一区域的铁浓度最终决定了铁含量的测试结果,即硅片表层的铁含量代表了整个硅片的铁含量。因此,氧化硅片经RTA处理后,SPV测出的铁含量大幅度地减小。 展开更多

关键词 快速热退火 表面光电压 少数载流子 氧化硅片 铁含量

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二探针扩展电阻分布法在IC芯片制造中的应用

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作者 金红杰 郎清华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期684-688,共5页

论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据。二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻。总结了为提高测试准确性,在... 论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据。二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻。总结了为提高测试准确性,在测试中需要注意的事项。较高的空间分辨率和先进的多层算法,使二探针扩展电阻分布法能够测试多种结构复杂的样品。因此,在IC芯片制造过程中,二探针扩展电阻分布法广泛应用于外延、注入和扩散等工艺,为工程师调试新工艺、优化工艺条件以及进行失效分析等工作,提供电阻率-深度曲线图和载流子浓度-深度曲线图等数据。 展开更多

关键词 二探针 平式针尖无凹痕模型 多层理论 扩展电阻

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中国莲藕淀粉产业概况及存在的问题 被引量：6

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作者 齐建设 齐一乔 +5 位作者 刘贵昌 翟祥锦 黄马良 易宗初 程小林 居旭初 《蔬菜》 2014年第11期23-27,共5页

莲藕淀粉简称藕粉,是一种具有鲜明中国特色与民族风味的传统特产,营养价值高,药疗作用好,近年来呈现出高速发展的良好势头。分析了中国莲藕淀粉产业的概况及发展中存在的问题,并对相关的藕粉国家标准进行了介绍。

关键词 莲藕淀粉 产业 概况 问题 国家标准

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2014年度中国莲藕淀粉市场分析 被引量：2

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作者 齐建设 齐一乔 +5 位作者 易宗初 刘贵昌 黄马良 翟祥锦 程小林 居旭初 《蔬菜》 2014年第12期26-29,共4页

莲藕淀粉是具有鲜明中国特色的传统特产,莲藕淀粉产业是最具民族特色的民族产业。着重回顾了近几年中国莲藕淀粉市场的供求特点、变化趋势,深层次剖析2014年度莲藕淀粉市场供求关系及新形势下的莲藕淀粉生产企业的生存之道。

关键词 莲藕淀粉 产量 规模 市场 变化趋势

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