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AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究被引量：4: 1; 作者陈丹吕建国 +3 位作者黄靖云金豫浙张昊翔叶志镇《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期649-652,共4页; 采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但... 展开更多; 关键词 AZO薄膜 GAN基LED 透明电极脉冲激光沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

Cu基Al掺杂ZnO多层薄膜的生长和性能: 2; 作者王钰萍叶春丽 +3 位作者吕建国丛宏林江忠永叶志镇《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期684-688,693,共6页; 本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO／Cu、Cu／AZO和AZO／Cu／AZO三种复合结构多层膜，研究了生长温度对多层膜特性的影响，发现AZO／Cu双层薄膜具有最优的光电性能，其最佳生长温度为100～150℃。文中进一步考察了生长温度... 展开更多; 关键词 AZO 多层结构薄膜光电性能生长温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

水热法制备CuAlO_2粉末被引量：2: 3; 作者方敏丛宏林 +1 位作者江忠永黄靖云《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期533-536,580,共5页; 以CuO、Cu、Al2O3和NaOH粉末作为反应原料,通过水热法制备了CuAlO2粉末。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS),红外光谱对产物进行表征。XRD和SEM分析结果表明,反应时间、反应温度对产物的结晶程度和晶粒大小有... 展开更多; 关键词 CuAlO2 水热反应 X射线光电子能谱红外光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究被引量：1: 4; 作者江忠永丛宏林 +4 位作者徐小明包琦龙张昊翔罗军赵超《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期292-296,共5页; 介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN... 展开更多; 关键词金属有机化学气相沉积氮化铝预铺铝硅衬底生长模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究被引量：4: 1; 作者陈丹吕建国黄靖云金豫浙张昊翔叶志镇; 机构浙江大学材料科学与工程学系杭州士兰明芯科技有限公司; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期649-652,共4页; 基金国家自然科学基金(51172204,51002131) 浙江省科技厅项目(2010R50020)~~; 文摘采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能。当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优。将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10 V,芯片亮度随正向电流的增大而增强。二次离子质谱测试表明,AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因。; 关键词 AZO薄膜 GAN基LED 透明电极脉冲激光沉积; Keywords AZO thin films GaN-based LEDs transparent electrodes pulsed laser deposition; 分类号 O482 [理学—固体物理] TN301 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Cu基Al掺杂ZnO多层薄膜的生长和性能: 2; 作者王钰萍叶春丽吕建国丛宏林江忠永叶志镇; 机构浙江大学硅材料国家重点实验室杭州士兰明芯科技有限公司.浙江杭州; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期684-688,693,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目（51002131）,浙江省LED照明新技术创新团队（20LOR50020）和中央高校基本科研业务费科研发展专项资助项目（2011FZA4009）; 文摘本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO／Cu、Cu／AZO和AZO／Cu／AZO三种复合结构多层膜，研究了生长温度对多层膜特性的影响，发现AZO／Cu双层薄膜具有最优的光电性能，其最佳生长温度为100～150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO／Cu双层薄膜结构性能和表面形貌的影响，结果表明：合适的生长温度有利于改善AZO／Cu双层薄膜的晶体质量，进而提高其光电性能；150℃下沉积的薄膜具有最佳品质因子1．11×10^-2Ω^-1，此时方块电阻为8．99Ω／sq，可见光透过率为80％，近红外反射率约70％。本文在较低温度下制备的AZO／Cu双层膜具有较优的透明导电性和良好的近红外反射性，可以广泛应用于镀膜玻璃、太阳能电池、平板显示器等光电领域。; 关键词 AZO 多层结构薄膜光电性能生长温度; Keywords AZO multiplayer films photoelectric properties growth temperature; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名水热法制备CuAlO_2粉末被引量：2: 3; 作者方敏丛宏林江忠永黄靖云; 机构浙江大学材料科学与工程学系杭州士兰明芯科技有限公司; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期533-536,580,共5页; 基金教育部博士点基金资助项目(2011010110013); 文摘以CuO、Cu、Al2O3和NaOH粉末作为反应原料,通过水热法制备了CuAlO2粉末。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS),红外光谱对产物进行表征。XRD和SEM分析结果表明,反应时间、反应温度对产物的结晶程度和晶粒大小有着重要的影响。随着反应时间的增加,样品晶粒的粒径增大,而且晶粒变得均匀。XPS分析结果表明,当反应温度达到360℃,反应时间为12小时,反应产物中只有CuAlO相。; 关键词 CuAlO2 水热反应 X射线光电子能谱红外光谱; Keywords CuAlO2 hydrothermal reaction X-ray photoelectron-spectroscopy infrared spectrum; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究被引量：1: 4; 作者江忠永丛宏林徐小明包琦龙张昊翔罗军赵超; 机构杭州士兰明芯科技有限公司中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期292-296,共5页; 文摘介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。; 关键词金属有机化学气相沉积氮化铝预铺铝硅衬底生长模型; Keywords metallic organic chemical vapor deposition （MOCVD） A1N A1 preseeding Si substrate growth model; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究	陈丹吕建国黄靖云金豫浙张昊翔叶志镇	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2013	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Cu基Al掺杂ZnO多层薄膜的生长和性能	王钰萍叶春丽吕建国丛宏林江忠永叶志镇	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	水热法制备CuAlO_2粉末	方敏丛宏林江忠永黄靖云	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究	江忠永丛宏林徐小明包琦龙张昊翔罗军赵超	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料