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题名电老化和老化台的设计要点
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作者
施式凡
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机构
杭州半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期58-60,共3页
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文摘
介绍电老化的作用，大功率老化台线路设计和分析比较，老化台的冷却系统和各种保护系统，以及现用老化台中一些易被忽视的问题。
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关键词
电老化
保护系统
设计
电子元器件
半导体材料
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分类号
TN606
[电子电信—电路与系统]
TN304.07
[电子电信—物理电子学]
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题名硅功率晶体管的热疲劳及温度循环图
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作者
叶奇放
周志坤
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机构
杭州半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
1987年第3期45-50,共6页
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文摘
最近几年来,随着军用和民用电子设备对可靠性要求的日益提高,可靠性研究工作的不断深化,功率晶体管的热疲劳正在理论上和实践上越来越为国内所重视.七十年代前后,国外就对此课题进行了不少的研究工作.美国和日本相继将晶体管间歇工作寿命(热疲动)试验列为国家标准.例如美国的MIL-S-19500F标准和日本的JIS-C-7215标准(1980年)均把热疲劳作为耐久性试验的项目。
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关键词
功率晶体管
热疲劳试验
功率管
巨型晶体管
电力电子器件
电子管
温度循环
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分类号
F4
[经济管理—产业经济]
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题名大电流光激可控硅的设计制造及应用
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作者
阮震翔
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机构
杭州半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期16-21,共6页
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文摘
本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α＿（ｎｐｎ）、α＿（ｐｎｐ）的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ、ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控硅的制造方法，以及在光敏固态继电器（ＳＳＲ）上的应用。
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关键词
晶闸管
光激可控硅
设计制造
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名符合特殊要求的大功率晶体管的制造
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作者
杜永辉
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机构
杭州半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期40-41,共2页
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文摘
符合特殊要求的大功率晶体管的制造杭州半导体厂（杭州３１０００７）杜永辉共发射极电流放大系数ｈＦＥ是晶体管的一个重要电学参数。此参数值的大小又是集电极电流Ｉｃ和温度ＴＡ的函数。随着Ｉｃ和ＴＡ的不同，其大小亦不相同。但在实际应用中却又常常要求该变化必需满...
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关键词
大功率晶体管
制造工艺
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分类号
TN323.405
[电子电信—物理电子学]
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题名带内建二极管的彩电行管瞬态热阻的测量
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作者
周志坤
叶奇放
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机构
杭州半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期31-34,27,共5页
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文摘
本文以实验比较了一般功率晶体管和带内建二极管的功率晶体管的EB结的温度特性,分析了并联在EB结上的扩散电阻Rb对测量晶体管△V_(BE)E产生影响的原因.提出了带内建二极管的功率管△v_(BE)测量条件.
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关键词
彩电
功率晶体管
瞬态热阻
测量
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分类号
TN320.7
[电子电信—物理电子学]
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题名提高功率器件抗热疲劳性能研究
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作者
郭萍
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机构
杭州半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第3期24-28,共5页
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文摘
众所周知,当半导体器件处于间歇工作状态时,器件经历周期性高温、低温循环,形成了热循环.该热循环在器件内部产生应力,并在热循环过程中反复不断地作用在器件内部的接合层上,使器件的热阻增加,最后导致器件热疲劳失效.热疲劳失效是影响功率器件可靠性的重要因素.因此,开展间歇工作寿命试验(即疲劳试验)。
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关键词
功率器件
抗热疲劳性能
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分类号
TN320.1
[电子电信—物理电子学]
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