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磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究
被引量：
1
1
作者
张玺
朱如忠
+5 位作者
张序清
王明华
高煜
王蓉
杨德仁
皮孝东
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第1期48-55,共8页
研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情...
研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况,推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明,磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率,材料去除速率越高,晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性,4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面:水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高,磨料分散均匀,水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度;乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小,磨料易发生团聚,增大研磨过程的磨料切入深度,晶片的材料去除速率提高,晶片最大划痕深度随之增大。
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关键词
4H碳化硅
研磨
金刚石磨料
分散介质
材料去除速率
面型参数
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职称材料
题名
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究
被引量：
1
1
作者
张玺
朱如忠
张序清
王明华
高煜
王蓉
杨德仁
皮孝东
机构
浙江大学
杭州
国际科创中心先进
半导体
研究院
浙江大学硅材料国家重点实验室
杭州乾晶半导体有限公司
浙江机电职业技术学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第1期48-55,共8页
基金
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01021)
国家重点研发计划(2018YFB2200101)
国家自然科学基金委员会重大研究计划培育项目(91964107)。
文摘
研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况,推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明,磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率,材料去除速率越高,晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性,4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面:水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高,磨料分散均匀,水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度;乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小,磨料易发生团聚,增大研磨过程的磨料切入深度,晶片的材料去除速率提高,晶片最大划痕深度随之增大。
关键词
4H碳化硅
研磨
金刚石磨料
分散介质
材料去除速率
面型参数
Keywords
4H-SiC
lapping
diamond abrasive
dispersion medium
material removal rate
surface parameter
分类号
TG580.68 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
TQ630.6 [化学工程—精细化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究
张玺
朱如忠
张序清
王明华
高煜
王蓉
杨德仁
皮孝东
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
1
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