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基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计
被引量：
3
1
作者
高艳妮
苏弘
WEMBE TAFO Evariste
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期67-70,共4页
提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础。由Multisi m仿真...
提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础。由Multisi m仿真结果看出该电荷灵敏前置放大器输出信号上升时间小于15ns,并且具有很好的稳定性。
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关键词
DMOS
电荷灵敏前置放大器
设计
仿真
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职称材料
题名
基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计
被引量：
3
1
作者
高艳妮
苏弘
WEMBE TAFO Evariste
机构
中国科
学院
近代
物理
研究所
中国科
学院
研究生院
杜阿拉大学物理学院
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期67-70,共4页
文摘
提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础。由Multisi m仿真结果看出该电荷灵敏前置放大器输出信号上升时间小于15ns,并且具有很好的稳定性。
关键词
DMOS
电荷灵敏前置放大器
设计
仿真
Keywords
DMOS transistor, Charge sensitive preamplifier,Design, Simulation
分类号
TN722.73 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计
高艳妮
苏弘
WEMBE TAFO Evariste
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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