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SiO_2衬底上外延横向覆盖生长单晶硅薄膜的研究
被引量：
4
1
作者
张旭光
李映雪
+1 位作者
王阳元
朱忠伶
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第5期1-7,共7页
本文论述了SOI方法之一——ELO(外延横向覆盖生长)技术的特点和工艺方案。利用射频加热卧式常压外延设备进行了系统的工艺研究,重点探讨了如何提高ELO层的质量和如何减少单晶缺陷的问题。分别在10微米和15微米宽的SiO_2条状图形上生长...
本文论述了SOI方法之一——ELO(外延横向覆盖生长)技术的特点和工艺方案。利用射频加热卧式常压外延设备进行了系统的工艺研究,重点探讨了如何提高ELO层的质量和如何减少单晶缺陷的问题。分别在10微米和15微米宽的SiO_2条状图形上生长出了硅单晶层,检测分析了ELO层的结构特性。基于ELO工艺的特点提出了利用HCl在位抛光减薄ELO层的工艺。
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关键词
SiO2衬底
单晶硅薄膜
外延生长
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职称材料
题名
SiO_2衬底上外延横向覆盖生长单晶硅薄膜的研究
被引量：
4
1
作者
张旭光
李映雪
王阳元
朱忠伶
机构
北京
大学微电子
研究所
机电部北京自动化研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第5期1-7,共7页
文摘
本文论述了SOI方法之一——ELO(外延横向覆盖生长)技术的特点和工艺方案。利用射频加热卧式常压外延设备进行了系统的工艺研究,重点探讨了如何提高ELO层的质量和如何减少单晶缺陷的问题。分别在10微米和15微米宽的SiO_2条状图形上生长出了硅单晶层,检测分析了ELO层的结构特性。基于ELO工艺的特点提出了利用HCl在位抛光减薄ELO层的工艺。
关键词
SiO2衬底
单晶硅薄膜
外延生长
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_2衬底上外延横向覆盖生长单晶硅薄膜的研究
张旭光
李映雪
王阳元
朱忠伶
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
4
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