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LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)中的应用: 1; 作者程开富《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期23-28,共6页; 本文介绍热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)制备多晶硅膜的淀积变量,影响膜层质量的因素。其次简述了多晶硅膜的等离子刻蚀情况及其在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(Ptsi-SBIRCCD)研制中的应用。; 关键词多晶硅膜制备电荷耦合器件红外; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析: 2; 作者程开富《红外与激光技术》 CSCD 1991年第6期14-17,13,共5页; 本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。; 关键词 CCD 噪声硅化铂肖特基势垒; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi—SBIRCCD)的暗电流密度分析: 3; 作者程开富《红外与激光技术》 CSCD 1990年第4期29-34,共6页; 本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施.; 关键词硅化铂红外电荷耦合器件暗电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

InSbCID焦平面器件中介质膜的制备和应用: 4; 作者程开富《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期10-17,共8页; 本文介绍了等离子增强化学汽相淀积(简称PECVD)二氧化硅的生长原理.用硅烷(SiH_4)和二氧化碳(CO_2)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度.在60～300℃下,SiH_4流量为0.5～2.0升/分,CO_2流量为0.2～1.5升/分,... 展开更多; 关键词 InSbCID 焦平面器件介质膜制备; 全文增补中

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