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半导体硅片制备技术及产业现状被引量：13: 1; 作者闫志瑞库黎明 +2 位作者白杜娟陈海滨王永涛《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第4期5-11,共7页; 介绍半导体硅片制备技术及理论,分析目前全球硅片的产业概况、产业历史发展趋势及特点;结合我国目前的实际情况,论述国内大力发展硅片产业面临的机遇、挑战及存在的问题。; 关键词半导体硅片产业现状技术机遇挑战; 在线阅读下载PDF 职称材料

电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布: 2; 作者徐继平程凤伶《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2347-2351,共5页; 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可... 展开更多; 关键词电化学C-V MOCVD GAAS 载流子浓度; 在线阅读下载PDF 职称材料

稀土元素对硬质合金影响的研究进展被引量：13: 3; 作者邝海谭敦强 +4 位作者何文王晓茹邹志航易志强白杜娟《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期69-74,共6页; 综述了稀土元素对硬质合金颗粒均匀化的作用、固溶强化作用、对晶界的净化作用、对Co相的作用及对硬质合金的强韧化作用,但这些作用机理并未得到完全认同,还需深入研究。在此基础上探讨了稀土硬质合金未来研究的方向,为稀土硬质合金的... 展开更多; 关键词硬质合金稀土性能作用机理再生; 在线阅读下载PDF 职称材料

高密度芳纶纸蜂窝的磨削试验被引量：5: 4; 作者王毅丹康仁科 +3 位作者白杜娟马义新董志刚史耀辉《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2018年第6期48-53,共6页; 高密度芳纶纸蜂窝是航空航天领域常用的减重复合材料,由韧性较大的芳纶纤维和含量较高的脆性树脂固化而成,固化成型后很难加工。为了满足其加工需求,根据该材料的组成成分和结构特点,用金刚石砂轮进行高密度蜂窝的磨削加工工艺试验,归... 展开更多; 关键词高密度芳纶纸蜂窝磨削参数表面形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

大尺寸硅片边缘抛光技术被引量：1: 5; 作者李耀东库黎明 +3 位作者刘斌王新郑琪刘红艳《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期831-835,共5页; 重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中,硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200 mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验,使用显微... 展开更多; 关键词硅片边缘损伤机械抛光化学机械抛光(CMP) 外延加工; 在线阅读下载PDF 职称材料

木制儿童用品中6种木材防腐剂的迁移规律研究被引量：1: 6; 作者王志娟赵而敬 +2 位作者张庆白桦吕庆《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期17-22,共6页; 基于气相色谱-串联质谱(GC-MS/MS)技术建立了6种防腐剂总量及迁移量的测定方法,通过搭建迁移装置并模拟实际暴露场景,对自制阳性样品中6种防腐剂在模拟唾液和汗液中的迁移规律进行研究,并计算出不同时刻的迁移率。结果表明,在迁移2 min^... 展开更多; 关键词木制儿童用品木材防腐剂迁移规律迁移率气相色谱-串联质谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于YAG∶Ce3+荧光粉复合Eu3+掺杂荧光玻璃的激光照明器件被引量：10: 7; 作者郑飞茅云蔚 +7 位作者杨波波邹军刘祎明谢宇汤子睿库黎明邵鹏睿陈狄杰《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期842-848,共7页; 采用结晶法和低温共烧结法制备了Eu3+掺杂的Y3Al5O12∶Ce^3+荧光玻璃,对制备出的样品进行能量色散X射线谱和光致发光光谱测试,表明稀土离子Eu^3+与YAG∶Ce^3+荧光粉已掺入荧光玻璃。掺杂不同含量Eu2O3的YAG∶Ce^3+荧光玻璃封装成的激光... 展开更多; 关键词结晶法低温共烧结法荧光玻璃激光照明器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

抛光工艺对硅片表面Haze值的影响被引量：3: 8; 作者王永涛赵而敬 +4 位作者尚锐刚李明飞鲁进军张建蔡丽艳《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期918-922,共5页; 随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视。通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律。结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值... 展开更多; 关键词 Haze值化学机械抛光(CMP) 微粗糙度抛光液硅片; 在线阅读下载PDF 职称材料

变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响: 9; 作者曲翔徐继平 +4 位作者王海涛何宇王新杨凯王磊《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1474-1479,共6页; 随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用。在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数。通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数... 展开更多; 关键词多晶硅沉积弯曲翘曲; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体硅片制备技术及产业现状被引量：13: 1; 作者闫志瑞库黎明白杜娟陈海滨王永涛; 机构有研半导体材料有限公司; 出处《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第4期5-11,共7页; 文摘介绍半导体硅片制备技术及理论,分析目前全球硅片的产业概况、产业历史发展趋势及特点;结合我国目前的实际情况,论述国内大力发展硅片产业面临的机遇、挑战及存在的问题。; 关键词半导体硅片产业现状技术机遇挑战; Keywords semiconductor silicon wafer industry status technique opportunity challenge; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布: 2; 作者徐继平程凤伶; 机构有研半导体材料有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2347-2351,共5页; 文摘电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据。; 关键词电化学C-V MOCVD GAAS 载流子浓度; Keywords electrochemical capacitance-voltage MOCVD GaAs carrier concentration; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名稀土元素对硬质合金影响的研究进展被引量：13: 3; 作者邝海谭敦强何文王晓茹邹志航易志强白杜娟; 机构南昌大学材料科学与工程学院江西科技师范大学材料与机电学院有研半导体材料有限公司; 出处《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期69-74,共6页; 基金国家科技支撑计划资助项目(2011BAC10B04) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA061902) +1 种基金国家自然科学基金(50904035 51564036); 文摘综述了稀土元素对硬质合金颗粒均匀化的作用、固溶强化作用、对晶界的净化作用、对Co相的作用及对硬质合金的强韧化作用,但这些作用机理并未得到完全认同,还需深入研究。在此基础上探讨了稀土硬质合金未来研究的方向,为稀土硬质合金的产业化提供参考。; 关键词硬质合金稀土性能作用机理再生; Keywords cemented carbide rare earth performance effect mechanism regeneration; 分类号 TG146 [金属学及工艺—金属材料]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高密度芳纶纸蜂窝的磨削试验被引量：5: 4; 作者王毅丹康仁科白杜娟马义新董志刚史耀辉; 机构大连理工大学精密与特种加工教育部重点试验室有研半导体材料有限公司上海复合材料科技有限公司; 出处《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2018年第6期48-53,共6页; 基金 "高档数控机床与基础制造装备"专项子课题资助项目(项目号2016ZX04002005–3) 上海航天科技创新基金(SAST基金)资助项目; 文摘高密度芳纶纸蜂窝是航空航天领域常用的减重复合材料,由韧性较大的芳纶纤维和含量较高的脆性树脂固化而成,固化成型后很难加工。为了满足其加工需求,根据该材料的组成成分和结构特点,用金刚石砂轮进行高密度蜂窝的磨削加工工艺试验,归纳出其在磨削加工后出现的3种典型加工特征形貌,即双层芳纶纸变宽形貌、未分离切屑和纤维拔出;并通过单因素试验法,研究磨削速度、进给速度和磨削深度对其表面形貌的影响。试验结果表明:不同工艺参数对高密度蜂窝加工形貌的影响差异较大。当磨削速度由5.2m/s提高至20.9m/s时,3种特征形貌均得到改善;当进给速度从50mm/min提升为350mm/min时,纤维拔出数量增多;当磨削深度从0.1mm增加为0.9mm时,未分离切屑的平均宽度变大。; 关键词高密度芳纶纸蜂窝磨削参数表面形貌; Keywords high-density aramid paper honeycomb grinding parameters surface morphology; 分类号 TG58 [金属学及工艺—金属切削加工及机床] TQ164 [化学工程—高温制品工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大尺寸硅片边缘抛光技术被引量：1: 5; 作者李耀东库黎明刘斌王新郑琪刘红艳; 机构北京有色金属研究总院有研半导体材料有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期831-835,共5页; 基金国家科技重大专项(2010ZX02302-001); 文摘重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中,硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200 mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验,使用显微镜观察抛光片的边缘形貌,使用三维光学表面分析仪对抛光片的表面粗糙度进行测量,之后对抛光后的样品进行外延加工,对比经过不同加工方式的抛光后硅片边缘损伤的残留程度。结果表明,酸腐蚀能够去除硅片边缘绝大部分的损伤,机械抛光会重新带入机械损伤,机械抛光后再进行化学机械抛光能彻底消除硅片边缘的损伤层,但相对成本较高。化学机械抛光也能够彻底去除硅片边缘的损伤层,是大尺寸衬底硅片边缘抛光的最优加工工艺。; 关键词硅片边缘损伤机械抛光化学机械抛光(CMP) 外延加工; Keywords silicon wafer edge damage mechanical polishing chemical mechanical polishing（CMP） epitaxial processing; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名木制儿童用品中6种木材防腐剂的迁移规律研究被引量：1: 6; 作者王志娟赵而敬张庆白桦吕庆; 机构中国检验检疫科学研究院工业与消费品安全研究所有研半导体材料有限公司; 出处《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期17-22,共6页; 基金国家重点研发计划(2016YFF0203703) 质检公益性行业科研专项(201310057); 文摘基于气相色谱-串联质谱(GC-MS/MS)技术建立了6种防腐剂总量及迁移量的测定方法,通过搭建迁移装置并模拟实际暴露场景,对自制阳性样品中6种防腐剂在模拟唾液和汗液中的迁移规律进行研究,并计算出不同时刻的迁移率。结果表明,在迁移2 min^96 h范围内,防腐剂的迁移量均随时间延长而逐渐增大,最终达到迁移平衡,迁移率为2.1%~61.7%(唾液),2.2%~86.4%(汗液)。在样品与模拟液仅接触2 min时有6种物质检出,迁移率分别为2.1%~4.2%(唾液)和2.2%~3.3%(汗液)。部分实际样品中检出了2,4-二氯苯酚和2,4,6-三氯苯酚,鉴于儿童日常生活中短时间持续接触样品的特点,选取两个实际阳性样品测定了其在2~30 min的迁移量及迁移率。; 关键词木制儿童用品木材防腐剂迁移规律迁移率气相色谱-串联质谱; Keywords wooden children s products wood preservatives migration regularity migration rate GC-MS/MS; 分类号 O657.7 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于YAG∶Ce3+荧光粉复合Eu3+掺杂荧光玻璃的激光照明器件被引量：10: 7; 作者郑飞茅云蔚杨波波邹军刘祎明谢宇汤子睿库黎明邵鹏睿陈狄杰; 机构上海应用技术大学理学院上海应用技术大学材料科学与工程学院有研半导体材料有限公司深圳市晶台股份有限公司浙江美科电器有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期842-848,共7页; 基金浙江省科技计划项目重点研发计划(2018C01046) 横向项目(激光植物灯)(J2017-243)资助~~; 文摘采用结晶法和低温共烧结法制备了Eu3+掺杂的Y3Al5O12∶Ce^3+荧光玻璃,对制备出的样品进行能量色散X射线谱和光致发光光谱测试,表明稀土离子Eu^3+与YAG∶Ce^3+荧光粉已掺入荧光玻璃。掺杂不同含量Eu2O3的YAG∶Ce^3+荧光玻璃封装成的激光照明器件在驱动电流100mA下,经过STC-4000快速光谱仪和PMS-80可见光谱分析系统测试,掺杂质量分数1%YAG∶Ce^3+复合质量分数9%的Eu3+的荧光玻璃封装的激光照明器件发光效率为267.1lm/W。激光照明器件随着电流的增加,其显色指数逐渐增大,但增加幅度较小。; 关键词结晶法低温共烧结法荧光玻璃激光照明器件; Keywords crystallization low temperature co-sintering phosphor-in-glasses laser lighting device; 分类号 TN365 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名抛光工艺对硅片表面Haze值的影响被引量：3: 8; 作者王永涛赵而敬尚锐刚李明飞鲁进军张建蔡丽艳; 机构有研半导体材料有限公司; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期918-922,共5页; 基金国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401); 文摘随着超大规模集成电路的快速发展,硅片表面的Haze值对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到人们的重视。通过实验研究了精抛光工艺参数对硅片表面Haze值的影响规律。结果表明,随着抛光时间的延长,硅的去除量逐渐增大,硅片表面Haze值逐渐降低;同时抛光过程中机械作用与化学作用的协同作用对Haze值也有较大影响。随着抛光液温度的降低与抛光液体积流量的减小,化学作用减弱,硅片表面Haze值逐渐减小。而随着抛光压力的增大,机械作用逐渐起主导作用,硅片表面Haze值逐渐降低。但当Haze值降低到某一数值后,随着硅去除量的增大、抛光液温度的下降、抛光液体积流量的降低、抛光压力的增大,硅片表面的Haze值基本保持不变。; 关键词 Haze值化学机械抛光(CMP) 微粗糙度抛光液硅片; Keywords Haze value chemical mechanical polishing （CMP） microroughness slurry silicon wafer; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响: 9; 作者曲翔徐继平王海涛何宇王新杨凯王磊; 机构有研半导体材料有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1474-1479,共6页; 文摘随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用。在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数。通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺。该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变。; 关键词多晶硅沉积弯曲翘曲; Keywords poly silicon deposition BOW WARP; 分类号 O78 [理学—晶体学] TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	半导体硅片制备技术及产业现状	闫志瑞库黎明白杜娟陈海滨王永涛	《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心	2020	13	在线阅读下载PDF 职称材料
2	电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布	徐继平程凤伶	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	稀土元素对硬质合金影响的研究进展	邝海谭敦强何文王晓茹邹志航易志强白杜娟	《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心	2018	13	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高密度芳纶纸蜂窝的磨削试验	王毅丹康仁科白杜娟马义新董志刚史耀辉	《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心	2018	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	大尺寸硅片边缘抛光技术	李耀东库黎明刘斌王新郑琪刘红艳	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	木制儿童用品中6种木材防腐剂的迁移规律研究	王志娟赵而敬张庆白桦吕庆	《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于YAG∶Ce3+荧光粉复合Eu3+掺杂荧光玻璃的激光照明器件	郑飞茅云蔚杨波波邹军刘祎明谢宇汤子睿库黎明邵鹏睿陈狄杰	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	10	在线阅读下载PDF 职称材料
8	抛光工艺对硅片表面Haze值的影响	王永涛赵而敬尚锐刚李明飞鲁进军张建蔡丽艳	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
9	变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响	曲翔徐继平王海涛何宇王新杨凯王磊	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料