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体相二硫化铼中点缺陷的形成与稳定性
1
作者
何诗颖
赵宇清
+3 位作者
邹代峰
许英
廖雨洁
禹卓良
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第5期143-150,共8页
二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要...
二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要的调控,且体相二硫化铼的缺陷研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对体相二硫化铼的铼空位、硫空位、钨掺杂(或替代)铼、钨掺杂硫、锝掺杂铼和锝掺杂硫的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:钨掺杂硫和锝掺杂硫形成深施主能级缺陷,铼空位形成浅施主能级缺陷.在富铼和富硫条件下,钨掺杂铼的缺陷形成能低且能有效降低体系总能,提高体系稳定性.钨掺杂硫的缺陷虽然能降低体系的总能提高二硫化铼的稳定性,但较大的缺陷形成能表明钨掺杂硫缺陷难以形成.上述研究结果有助于理解缺陷能级对半导体深浅能级和稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于二硫化铼的高效的光电子器件提供理论依据.
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关键词
体相二硫化铼
形成能
缺陷能级
稳定性
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职称材料
单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的形成与稳定性
2
作者
何诗颖
赵宇清
+3 位作者
邹代峰
许英
廖雨洁
禹卓良
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第5期130-136,共7页
Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结...
Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而钙钛矿的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的铯空位、碘空位、氯空位、铯替代铅、碘替代铯、碘替代铅、碘替代氯、氯替代铯、氯替代铅和氯替代碘的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在富铅和缺铅条件下,碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能偏低,且氯替代碘能有效降低体系总能,提高体系稳定性.在缺铅条件下铯空位缺陷形成能低于富铅条件,在缺铅条件下更易形成铯空位;富铅和缺铅条件下对碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能基本无影响.上述研究结果有助于理解点缺陷对钙钛矿材料稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的高效的光电子器件提供理论依据.
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关键词
单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)
形成能
点缺陷
稳定性
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职称材料
InSe单层中点缺陷的第一性原理研究
3
作者
何诗颖
谢瑞恬
+4 位作者
刘娟
邹代峰
赵宇清
许英
廖雨洁
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第6期167-173,共7页
InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew...
InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)和Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)对比研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层InSe的硒空位、铟空位、溴替代硒、硫替代硒、碲替代硒、镓替代铟、锡替代铟和铊替代铟的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在缺铟和富铟条件下,硫替代硒和镓替代铟的缺陷形成能低且可以有效的降低体系总能,提高体系的稳定性.溴替代硒具有较小的缺陷形成能,但较大的体系总能表明溴替代硒的缺陷体系不稳定.在缺铟条件下易形成铊替代铟缺陷;在富铟条件下易形成碲替代硒缺陷.上述研究结果有助于理解点缺陷对Ⅲ-Ⅵ族化合物稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于InSe的高效的光电子器件提供理论依据.
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关键词
单层InSe
稳定性
形成能
点缺陷
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职称材料
题名
体相二硫化铼中点缺陷的形成与稳定性
1
作者
何诗颖
赵宇清
邹代峰
许英
廖雨洁
禹卓良
机构
湖南
科技大学物理与电子科学学院
智能传感器与新型传感器材料湖南省重点实验室
湖南
理工学院物理与电子科学学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第5期143-150,共8页
基金
国家自然科学基金(12204166,12205093)
湖南省教育厅青年基金(20B219)
湖南科技大学科研启动基金(E51996)。
文摘
二硫化铼是过渡金属二硫族化合物的成员,由于层间的范德华作用、合适的带隙、高的光吸收系数和长的载流子迁移距离在光电子研究领域引起广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而半导体的缺陷能级对电子结构具有重要的调控,且体相二硫化铼的缺陷研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对体相二硫化铼的铼空位、硫空位、钨掺杂(或替代)铼、钨掺杂硫、锝掺杂铼和锝掺杂硫的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:钨掺杂硫和锝掺杂硫形成深施主能级缺陷,铼空位形成浅施主能级缺陷.在富铼和富硫条件下,钨掺杂铼的缺陷形成能低且能有效降低体系总能,提高体系稳定性.钨掺杂硫的缺陷虽然能降低体系的总能提高二硫化铼的稳定性,但较大的缺陷形成能表明钨掺杂硫缺陷难以形成.上述研究结果有助于理解缺陷能级对半导体深浅能级和稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于二硫化铼的高效的光电子器件提供理论依据.
关键词
体相二硫化铼
形成能
缺陷能级
稳定性
Keywords
Bulk ReS_(2)
Formation energy
Defect energy levels
Stability
分类号
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的形成与稳定性
2
作者
何诗颖
赵宇清
邹代峰
许英
廖雨洁
禹卓良
机构
湖南
科技大学物理与电子科学学院
智能传感器与新型传感器材料湖南省重点实验室
湖南
理工学院物理与电子科学学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第5期130-136,共7页
基金
国家自然科学基金(12204166)
湖南省教育厅青年基金(20B219)
湖南科技大学科研启动基金(E51996)。
文摘
Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而钙钛矿的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的铯空位、碘空位、氯空位、铯替代铅、碘替代铯、碘替代铅、碘替代氯、氯替代铯、氯替代铅和氯替代碘的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在富铅和缺铅条件下,碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能偏低,且氯替代碘能有效降低体系总能,提高体系稳定性.在缺铅条件下铯空位缺陷形成能低于富铅条件,在缺铅条件下更易形成铯空位;富铅和缺铅条件下对碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能基本无影响.上述研究结果有助于理解点缺陷对钙钛矿材料稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的高效的光电子器件提供理论依据.
关键词
单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)
形成能
点缺陷
稳定性
Keywords
Monolayer Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)
Formation energy
Point defects
Stability
分类号
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
InSe单层中点缺陷的第一性原理研究
3
作者
何诗颖
谢瑞恬
刘娟
邹代峰
赵宇清
许英
廖雨洁
机构
湖南
科技大学物理与电子科学学院
智能传感器与新型传感器材料湖南省重点实验室
山西大学化学化工学院
武汉大学动力与机械学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第6期167-173,共7页
基金
国家自然科学基金(12204166)
湖南省教育厅青年基金(20B219)
+1 种基金
湖南省自然科学基金(2022JJ30237)
湖南科技大学科研启动基金(E51996,纵20240008)。
文摘
InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)和Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)对比研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层InSe的硒空位、铟空位、溴替代硒、硫替代硒、碲替代硒、镓替代铟、锡替代铟和铊替代铟的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在缺铟和富铟条件下,硫替代硒和镓替代铟的缺陷形成能低且可以有效的降低体系总能,提高体系的稳定性.溴替代硒具有较小的缺陷形成能,但较大的体系总能表明溴替代硒的缺陷体系不稳定.在缺铟条件下易形成铊替代铟缺陷;在富铟条件下易形成碲替代硒缺陷.上述研究结果有助于理解点缺陷对Ⅲ-Ⅵ族化合物稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于InSe的高效的光电子器件提供理论依据.
关键词
单层InSe
稳定性
形成能
点缺陷
Keywords
Monolayer InSe
Stability
Formation energy
Point defects
分类号
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
体相二硫化铼中点缺陷的形成与稳定性
何诗颖
赵宇清
邹代峰
许英
廖雨洁
禹卓良
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的形成与稳定性
何诗颖
赵宇清
邹代峰
许英
廖雨洁
禹卓良
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
InSe单层中点缺陷的第一性原理研究
何诗颖
谢瑞恬
刘娟
邹代峰
赵宇清
许英
廖雨洁
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025
0
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职称材料
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