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SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响
被引量：
5
1
作者
邱冲
刘军林
+2 位作者
郑畅达
姜乐
江风益
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期840-844,共5页
利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现...
利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。
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关键词
蓝光LED
GaN
硅衬底
SIN
钝化
光衰
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职称材料
题名
SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响
被引量：
5
1
作者
邱冲
刘军林
郑畅达
姜乐
江风益
机构
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
晶能光电江西有限公司
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期840-844,共5页
基金
国家“863”计划纳米专项(2003AA302160)
国家“863”计划光电子课题(2005AA311010)资助项目
文摘
利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。
关键词
蓝光LED
GaN
硅衬底
SIN
钝化
光衰
Keywords
blue LED
GaN
Si substrate
SiN
passivation
luminous decay
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响
邱冲
刘军林
郑畅达
姜乐
江风益
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
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职称材料
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