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Si衬底GaN基蓝光LED老化性能被引量：13: 1; 作者肖友鹏莫春兰 +1 位作者邱冲江风益《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期364-368,共5页; 报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE... 展开更多; 关键词硅衬底 GAN 蓝光LED 老化光衰; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响被引量：5: 2; 作者邱冲刘军林 +2 位作者郑畅达姜乐江风益《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期840-844,共5页; 利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现... 展开更多; 关键词蓝光LED GaN 硅衬底 SIN 钝化光衰; 在线阅读下载PDF 职称材料

裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响被引量：3: 3; 作者肖宗湖张萌 +4 位作者熊传兵江风益王光绪熊贻婧汪延明《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期895-899,共5页; 本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹... 展开更多; 关键词 SI衬底 INGAN/GAN LED 裂纹应力; 在线阅读下载PDF 职称材料

8英寸Si衬底上高质量AlGaN/GaN HEMT结构的生长: 4; 作者陈振周名兵付羿《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期301-304,共4页; 在8英寸（1英寸=2.54 cm）的Si衬底上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长了高质量、无龟裂的GaN薄膜和Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构。通过调节应力调控层的结构,厚度为5μm的GaN膜层翘曲度低于50μm。采用X射线衍射（... 展开更多; 关键词 AlGaN/GaN异质结构高电子迁移率晶体管(HEMT) SI衬底应力调控层功率器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si衬底GaN基蓝光LED老化性能被引量：13: 1; 作者肖友鹏莫春兰邱冲江风益; 机构南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心晶能光电(江西)有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期364-368,共5页; 基金国家"863"计划(2003AA302160 2005AA311010)资助项目; 文摘报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。; 关键词硅衬底 GAN 蓝光LED 老化光衰; Keywords Si substrate GaN blue LED aging test luminous decay; 分类号 O482.31 [理学—固体物理] TN383.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响被引量：5: 2; 作者邱冲刘军林郑畅达姜乐江风益; 机构南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心晶能光电江西有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期840-844,共5页; 基金国家“863”计划纳米专项(2003AA302160) 国家“863”计划光电子课题(2005AA311010)资助项目; 文摘利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。; 关键词蓝光LED GaN 硅衬底 SIN 钝化光衰; Keywords blue LED GaN Si substrate SiN passivation luminous decay; 分类号 O482.31 [理学—固体物理] TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响被引量：3: 3; 作者肖宗湖张萌熊传兵江风益王光绪熊贻婧汪延明; 机构南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心晶能光电(江西)有限公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期895-899,共5页; 基金教育部长江学者与创新团队发展计划资助(IRT0730); 文摘本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放。随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大。PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移。; 关键词 SI衬底 INGAN/GAN LED 裂纹应力; Keywords Si substrates InGaN/GaN LED crack stress; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名8英寸Si衬底上高质量AlGaN/GaN HEMT结构的生长: 4; 作者陈振周名兵付羿; 机构晶能光电(江西)有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期301-304,共4页; 基金国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402900); 文摘在8英寸（1英寸=2.54 cm）的Si衬底上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长了高质量、无龟裂的GaN薄膜和Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构。通过调节应力调控层的结构,厚度为5μm的GaN膜层翘曲度低于50μm。采用X射线衍射（XRD）对GaN薄膜的（002）和（102）衍射峰进行扫描,其半峰全宽（FWHM）分别为182和291 arcsec。透射电子显微镜（TEM）截面图显示GaN外延层的位错密度达到了3.5×107/cm^2,证实了在大尺寸Si衬底上可以制作高质量的GaN薄膜。Al GaN/GaN HEMT结构的二维电子气浓度和载流子迁移率分别为9.29×10^12/cm^2和2 230 cm^2/（V·s）。基于这些半绝缘Al GaN/GaN HEMT结构所制作的功率电子器件的输出电流可达20 A,横向击穿电压可达1 200 V。; 关键词 AlGaN/GaN异质结构高电子迁移率晶体管(HEMT) SI衬底应力调控层功率器件; Keywords AlGaN/GaN heterostructure high electron mobility transistor （HEMT） Si substrate stress control layer power device; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Si衬底GaN基蓝光LED老化性能	肖友鹏莫春兰邱冲江风益	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	13	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响	邱冲刘军林郑畅达姜乐江风益	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响	肖宗湖张萌熊传兵江风益王光绪熊贻婧汪延明	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	8英寸Si衬底上高质量AlGaN/GaN HEMT结构的生长	陈振周名兵付羿	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料