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题名高效HJT太阳电池的吸杂工艺研究
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作者
张俊兵
蒋秀林
陈孝业
王凯
李元昊
李娅
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机构
晶澳太阳能科技股份有限公司研发中心
江苏大学机械工程学院
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出处
《太阳能学报》
北大核心
2025年第7期582-588,共7页
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文摘
该文研究吸杂工艺对HJT太阳电池性能提升的影响。首先,分析硅片在硅棒不同位置的质量差异,研究发现C、O浓度的分布与少子寿命的变化存在一定的关联性,并受分凝系数的影响;其次,研究吸杂对硅片的影响,发现吸杂后的硅片体内金属杂质含量比吸杂前低,从而使得硅片的少子寿命得到提升,而C、O浓度的变化很小;进而,研究不同吸杂工艺下硅片的HJT太阳电池性能变化,结果显示1 h以上和单双面的不同吸杂工艺条件差异较小;最后,研究吸杂前后的不同少子寿命对HJT太阳电池性能的影响,并探索硅片少子寿命的下限。研究结果表明,吸杂工艺可降低太阳电池成品片性能对原料片品质的依赖,这将有利于成品片的效率稳定,降低原料片成本,是高效HJT太阳电池降本增效的有效方法。
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关键词
太阳电池
吸杂
扩散
寿命
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Keywords
solar cell
gettering
diffusion
lifetime
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响研究
被引量：1
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作者
柴晨
张军
王玉龙
韩庆辉
李怀铭
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机构
晶澳太阳能科技股份有限公司
晶澳太阳能有限公司
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出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第5期792-802,共11页
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文摘
TOPCon电池基板是以N型硅片为主,N型硅片的氧含量在一定程度上影响着TOPCon电池的转换效率。本文采用直拉法进行单晶硅的拉制,通过调整埚转、氩气流量和炉压来研究拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响。数值模拟分析和实验结果表明:坩埚转速的增加会抑制浮力-热毛细漩涡,减少熔体界面处SiO的挥发,提高硅熔体内部和单晶硅棒氧含量;增大氩气流量和降低炉压可增大熔体界面处SiO的质量流量,有效促进SiO挥发,减少固液界面处氧含量,从而降低单晶硅棒氧含量。根据单晶硅氧含量测试和EL检测结果可知,坩埚转速5 r/min、氩气流量100 L/min和炉压1 200 Pa时拉制的N型单晶硅氧含量最低,电池端同心圆比例也是最低的。本文研究结果可为N型单晶硅棒降氧提供一定思路。
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关键词
N型单晶硅
降氧
坩埚转速
氩气流量
炉压
同心圆
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Keywords
N-type monocrystalline silicon
reduction of oxygen content
crucible rotation rate
argon flow rate
furnace pressure
concentric circle
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分类号
O782
[理学—晶体学]
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