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不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究
被引量：
1
1
作者
田媛
刘叶锋
+2 位作者
陈晓冰
王忠东
闫晓密
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第10期38-41,共4页
发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,...
发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,并研究其光电特性。结果表明,在120mA测试电流作用下,由于CBL的插入增大了有源层有效光发射区域的电流密度,减少了p电极(p-pad)下的寄生光吸收,LED芯片的辐射功率与光电转换效率随着CBL线宽的增加而单调增加,在CBL线宽设计为13μm时,辐射功率与光电转换效率达到最大;正向电压(VF)随着CBL线宽的增加略有增加,表明绝缘的CBL层增大串联电阻。本文为CBL线宽的选择提供了新思路,可有效提高LED的发光效率。
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关键词
发光二极管
电流阻挡层
氮化镓
发光效率
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职称材料
题名
不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究
被引量：
1
1
作者
田媛
刘叶锋
陈晓冰
王忠东
闫晓密
机构
广西科技师范学院数学与计算机科学学院
普瑞
(
无锡
)
研发
有限公司
上海科技大学量子器件中心
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第10期38-41,共4页
基金
广西创新驱动发展专项项目(桂科AA21077018—2)。
文摘
发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,并研究其光电特性。结果表明,在120mA测试电流作用下,由于CBL的插入增大了有源层有效光发射区域的电流密度,减少了p电极(p-pad)下的寄生光吸收,LED芯片的辐射功率与光电转换效率随着CBL线宽的增加而单调增加,在CBL线宽设计为13μm时,辐射功率与光电转换效率达到最大;正向电压(VF)随着CBL线宽的增加略有增加,表明绝缘的CBL层增大串联电阻。本文为CBL线宽的选择提供了新思路,可有效提高LED的发光效率。
关键词
发光二极管
电流阻挡层
氮化镓
发光效率
Keywords
light emitting diodes
current barrier layer
gallium nitride
luminous efficiency
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究
田媛
刘叶锋
陈晓冰
王忠东
闫晓密
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024
1
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