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感应耦合化学气相沉积高速制备微晶硅薄膜
1
作者
陈玖香
王伟仲
+1 位作者
程志贤
陈强
《北京印刷学院学报》
2013年第2期63-65,69,共4页
采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜,使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度(Ni)可以达到1011-1012cm-3,而电子温度(Te)约在2eV,且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃...
采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜,使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度(Ni)可以达到1011-1012cm-3,而电子温度(Te)约在2eV,且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃衬底上,研究了功率和气压对其结构和性能的影响。通过在一定SiH4∶B2H6∶H2流量比例下优化工艺参数,结果能在高沉积速率1nm/s的条件下制备高品质微晶硅薄膜。
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关键词
电感耦合化学气相沉积
等离子体参数
微晶硅薄膜
沉积速率
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职称材料
题名
感应耦合化学气相沉积高速制备微晶硅薄膜
1
作者
陈玖香
王伟仲
程志贤
陈强
机构
北京印刷学院等离子体物理与
材料
研究室
明志科技大学材料工程系
出处
《北京印刷学院学报》
2013年第2期63-65,69,共4页
文摘
采用新型内置低感应天线电感耦合化学气相沉积系统沉积P型微晶硅薄膜,使用郎缪尔探针对等离子体参数进行诊断。研究发现离子密度(Ni)可以达到1011-1012cm-3,而电子温度(Te)约在2eV,且随着功率的增大略有下降。P型微晶硅薄膜沉积在玻璃衬底上,研究了功率和气压对其结构和性能的影响。通过在一定SiH4∶B2H6∶H2流量比例下优化工艺参数,结果能在高沉积速率1nm/s的条件下制备高品质微晶硅薄膜。
关键词
电感耦合化学气相沉积
等离子体参数
微晶硅薄膜
沉积速率
Keywords
ICP-CVD
plasma parameters
microcrystallinesilicon films
deposition rate
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
感应耦合化学气相沉积高速制备微晶硅薄膜
陈玖香
王伟仲
程志贤
陈强
《北京印刷学院学报》
2013
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