考察了辉钼矿在微波场中的升温行为,探究了物料量、物料厚度以及微波功率对辉钼矿升温行为的影响。研究结果表明,辉钼矿具有良好的微波吸收性能,其升温过程可分为3个阶段;物料在微波场中升温与微波功率呈正比,而与物料厚度和物料量成反...考察了辉钼矿在微波场中的升温行为,探究了物料量、物料厚度以及微波功率对辉钼矿升温行为的影响。研究结果表明,辉钼矿具有良好的微波吸收性能,其升温过程可分为3个阶段;物料在微波场中升温与微波功率呈正比,而与物料厚度和物料量成反比。在本试验范围内,微波功率0.5 k W条件下,18 min后可将130 g辉钼矿加热至800℃。由焙烧产品的表征结果可知,本试验得到了特征良好的焙烧产品;微波氧化焙烧辉钼精矿制备高纯度三氧化钼是可行的。展开更多
多模微波腔体是最为常见的加热腔体,然而在加热过程中待加热的物料常会表现出选择性加热的特点,这是由于微波加热的效果与物料的电磁特性参数密切相关。针对氯化钠在微波腔体中加热效果呈现出的差异性造成腔体内电磁场分布以及加热不均...多模微波腔体是最为常见的加热腔体,然而在加热过程中待加热的物料常会表现出选择性加热的特点,这是由于微波加热的效果与物料的电磁特性参数密切相关。针对氯化钠在微波腔体中加热效果呈现出的差异性造成腔体内电磁场分布以及加热不均匀等问题,建立电磁热模型对氯化钠在加热过程中的电磁敏感性对温度变化的影响进行研究。通过时域有限差分法(Finite Difference Time Domain,FDTD)耦合求解电磁场及热场方程,对微波加热氯化钠的升温速率随着电磁特性参数以及氯化钠含水率变化的规律进行实时的仿真计算。结果表明:随着氯化钠相对介电常数的增大,其腔体内的电场分布越均匀,介质对电磁波的吸附作用越明显。随着氯化钠损耗角和含水率的增大,腔体内氯化钠的升温速率以及稳态温度增大。展开更多
以天然鳞片石墨为原料,通过低温一步氧化制备氧化石墨烯,经微波热还原得到低缺陷的还原氧化石墨烯。讨论了低温氧化过程中氧化剂用量、氧化时间对氧化石墨烯层间距、氧化程度的影响。结果表明:在高锰酸钾与天然鳞片石墨的质量比为1∶3,...以天然鳞片石墨为原料,通过低温一步氧化制备氧化石墨烯,经微波热还原得到低缺陷的还原氧化石墨烯。讨论了低温氧化过程中氧化剂用量、氧化时间对氧化石墨烯层间距、氧化程度的影响。结果表明:在高锰酸钾与天然鳞片石墨的质量比为1∶3,氧化温度为0℃,氧化时间为48h的条件下,制备出碳氧原子比为1.98、高C—O结构、低缺陷结构( I D∶ I G=0.63)的氧化石墨烯,避免了Hummers制备过程中由于CO 2的形成导致六元环断裂以及碳原子的缺失而使得氧化石墨烯的缺陷增加;经微波热还原后,得到的还原氧化石墨烯的两点平均缺陷距离 L D=12nm,缺陷密度 n D=2.21×10 11 cm -2 , I D∶ I G仅为0.85(Γ G=32.1cm -1 ),制备出低缺陷的还原氧化石墨烯。展开更多
文摘考察了辉钼矿在微波场中的升温行为,探究了物料量、物料厚度以及微波功率对辉钼矿升温行为的影响。研究结果表明,辉钼矿具有良好的微波吸收性能,其升温过程可分为3个阶段;物料在微波场中升温与微波功率呈正比,而与物料厚度和物料量成反比。在本试验范围内,微波功率0.5 k W条件下,18 min后可将130 g辉钼矿加热至800℃。由焙烧产品的表征结果可知,本试验得到了特征良好的焙烧产品;微波氧化焙烧辉钼精矿制备高纯度三氧化钼是可行的。
文摘多模微波腔体是最为常见的加热腔体,然而在加热过程中待加热的物料常会表现出选择性加热的特点,这是由于微波加热的效果与物料的电磁特性参数密切相关。针对氯化钠在微波腔体中加热效果呈现出的差异性造成腔体内电磁场分布以及加热不均匀等问题,建立电磁热模型对氯化钠在加热过程中的电磁敏感性对温度变化的影响进行研究。通过时域有限差分法(Finite Difference Time Domain,FDTD)耦合求解电磁场及热场方程,对微波加热氯化钠的升温速率随着电磁特性参数以及氯化钠含水率变化的规律进行实时的仿真计算。结果表明:随着氯化钠相对介电常数的增大,其腔体内的电场分布越均匀,介质对电磁波的吸附作用越明显。随着氯化钠损耗角和含水率的增大,腔体内氯化钠的升温速率以及稳态温度增大。
文摘以天然鳞片石墨为原料,通过低温一步氧化制备氧化石墨烯,经微波热还原得到低缺陷的还原氧化石墨烯。讨论了低温氧化过程中氧化剂用量、氧化时间对氧化石墨烯层间距、氧化程度的影响。结果表明:在高锰酸钾与天然鳞片石墨的质量比为1∶3,氧化温度为0℃,氧化时间为48h的条件下,制备出碳氧原子比为1.98、高C—O结构、低缺陷结构( I D∶ I G=0.63)的氧化石墨烯,避免了Hummers制备过程中由于CO 2的形成导致六元环断裂以及碳原子的缺失而使得氧化石墨烯的缺陷增加;经微波热还原后,得到的还原氧化石墨烯的两点平均缺陷距离 L D=12nm,缺陷密度 n D=2.21×10 11 cm -2 , I D∶ I G仅为0.85(Γ G=32.1cm -1 ),制备出低缺陷的还原氧化石墨烯。
