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掺杂SnO_2透明导电薄膜电学及光学性能研究 被引量:42
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作者 郭玉忠 王剑华 +1 位作者 黄瑞安 王贵青 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期131-138,共8页
通过实验测量 sol-gel工艺制备的 Sb掺杂 SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外-可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电学与光学性能.实验发现,薄膜具有良好的透光性和较高导电... 通过实验测量 sol-gel工艺制备的 Sb掺杂 SnO2薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外-可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Sb掺杂SnO2薄膜电学与光学性能.实验发现,薄膜具有良好的透光性和较高导电性,膜内载流子浓度高达1020cm-3,电阻率~10-2Ω·cm,透光率高达 90%,SnO2膜禁带宽度 Eg=37~3.80eV. 展开更多
关键词 Sb 掺杂 SNO2薄膜 导电性 测量 透光度 反射率 电学性能 二氧化锡 半导体材料 光学性能
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SnO_2系溶胶-凝胶转变的流变学研究 被引量:9
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作者 郭玉忠 黄瑞安 孙加林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期249-255,共7页
通过SnO2溶胶体系流变学实验研究,给出切粘度η、特性粘度[η]及 pH值随时间变化曲线,在此基础上深入分析讨论了SnO2胶粒生长动力学过程特征,结构演变规律及生长过程中伴随的质子H+释放现象.实验和理论揭示出SnO... 通过SnO2溶胶体系流变学实验研究,给出切粘度η、特性粘度[η]及 pH值随时间变化曲线,在此基础上深入分析讨论了SnO2胶粒生长动力学过程特征,结构演变规律及生长过程中伴随的质子H+释放现象.实验和理论揭示出SnO2胶粒生长遵循三阶段模型和胶粒结构不变性规律,同时溶胶液酸性对生长动力学速率有较大影响. 展开更多
关键词 流变学 胶粒生长动力学 胶粒生长模型 二氧化锡溶胶 半导体材料
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SnO_2凝胶干燥及固化过程中的结构变化 被引量:1
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作者 郭玉忠 王剑华 孙加林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期410-418,共9页
通过TG-DTA、BET-N2吸附和X衍射分析,详细研究了SnO2凝胶在20~700℃区间干燥固化过程中的收缩、失重机理、凝胶骨架纳米结构的变化规律,研究了掺杂元素Sb、溶胶阶段加入的催化剂和溶剂种类对干燥过程和固化... 通过TG-DTA、BET-N2吸附和X衍射分析,详细研究了SnO2凝胶在20~700℃区间干燥固化过程中的收缩、失重机理、凝胶骨架纳米结构的变化规律,研究了掺杂元素Sb、溶胶阶段加入的催化剂和溶剂种类对干燥过程和固化过程中结构演变的影响.研究发现:SnO2凝胶为1~10nm尺寸的纳米多孔结构,符合圆柱通孔模型.在干燥固化过程分别为20~200℃、200~550℃和>550℃三个不同阶段,分别发生骨架吸附溶剂解附、-acac 螯环分解氧化、网链结构驰豫和无定型→晶态转变等四个过程,它们是支配凝胶失重、收缩、固化的主要机理.随团化温度增加;纳米骨架粗化长大但其径长比保持不变,同时Sb加入有细化骨架作用,而催化剂对凝胶结构无明显影响. 展开更多
关键词 干燥 固化 骨架结构 圆柱通孔模型 半导体材料 二氧化锡凝胶 二氧化锡薄膜 制备 溶胶-凝胶法 掺杂
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