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外延GaNAs薄膜价带分裂随温度变化的研究
被引量：
1
1
作者
陈雪梅
唐利斌
+2 位作者
万锐敏
王茺
杨宇
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第20期31-34,共4页
利用分子束外延(MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长了GaN0.01As0.99薄膜,然后使用光调制反射(PR)光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构。PR光谱实验表明GaN0.01As0.99/GaAs薄膜价带在Γ点发生轻、重空穴分裂,且分裂的轻、重空穴带到导带边的...
利用分子束外延(MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长了GaN0.01As0.99薄膜,然后使用光调制反射(PR)光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构。PR光谱实验表明GaN0.01As0.99/GaAs薄膜价带在Γ点发生轻、重空穴分裂,且分裂的轻、重空穴带到导带边的2个跃迁峰随着温度的升高均发生红移。采用Varshni法则、Bose-Einstein关系和BAC模型分别对轻、重空穴的能隙分裂和红移特征进行了拟合。分析结果表明,随着温度的升高,Ga-NAs外延层与GaAs衬底间晶格失配的减少可能是导致应变能和价带分裂能量减少的主要因素。
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关键词
GaNxAs1-x薄膜
价带分裂
晶格膨胀
温度
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职称材料
题名
外延GaNAs薄膜价带分裂随温度变化的研究
被引量：
1
1
作者
陈雪梅
唐利斌
万锐敏
王茺
杨宇
机构
云南大学工程技术
研究
院光电信息材料
研究所
昆明物理研究所基础研发部
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第20期31-34,共4页
基金
云南大学理工基金资助项目(2009E27Q)
教育部重点项目(210207)
兵器预研支撑项目(62301110105)
文摘
利用分子束外延(MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长了GaN0.01As0.99薄膜,然后使用光调制反射(PR)光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构。PR光谱实验表明GaN0.01As0.99/GaAs薄膜价带在Γ点发生轻、重空穴分裂,且分裂的轻、重空穴带到导带边的2个跃迁峰随着温度的升高均发生红移。采用Varshni法则、Bose-Einstein关系和BAC模型分别对轻、重空穴的能隙分裂和红移特征进行了拟合。分析结果表明,随着温度的升高,Ga-NAs外延层与GaAs衬底间晶格失配的减少可能是导致应变能和价带分裂能量减少的主要因素。
关键词
GaNxAs1-x薄膜
价带分裂
晶格膨胀
温度
Keywords
GaNxAs1-xthin films, valence band splitting, lattice expansion, temperature
分类号
O562.1 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
外延GaNAs薄膜价带分裂随温度变化的研究
陈雪梅
唐利斌
万锐敏
王茺
杨宇
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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