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320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器
被引量：
17
1
作者
史衍丽
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008年第1期42-44,101,共4页
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测...
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm.Hz/W-1,响应率89.6 mA/W。
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关键词
320×256
GAAS/ALGAAS
量子阱红外探测器
黑体探测率
响应率
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职称材料
题名
320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器
被引量：
17
1
作者
史衍丽
机构
昆明北方红外技术股份有限公司探测器中心
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008年第1期42-44,101,共4页
基金
武器装备预先研究项目(40405030104)
文摘
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm.Hz/W-1,响应率89.6 mA/W。
关键词
320×256
GAAS/ALGAAS
量子阱红外探测器
黑体探测率
响应率
Keywords
320×256
GaAs/AlGaAs
Quantum well infrared photodector
Blackbody detectivity
Responsivity
分类号
TN362 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器
史衍丽
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2008
17
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