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通用型高温压阻式压力传感器研究 被引量:5
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作者 王权 丁建宁 +1 位作者 王文襄 薛伟 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第20期1795-1798,共4页
针对石油化工等领域高温下压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅芯片,采用SIMOX技术SOI晶片,在微加工平台上制作了硅芯片。对不同的用户工况设计了装配结构,采用耐高温封装工艺,研究了耐高温微型压力传感器封装材料匹配与热应力消... 针对石油化工等领域高温下压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅芯片,采用SIMOX技术SOI晶片,在微加工平台上制作了硅芯片。对不同的用户工况设计了装配结构,采用耐高温封装工艺,研究了耐高温微型压力传感器封装材料匹配与热应力消除技术,解决了内外引线的技术难点。从低成本、易操作性出发,设计了温度系数补偿电路,研制了精度高、稳定性佳的耐高温通用压力传感器。 展开更多
关键词 高温压力传感器 SIMOX 耐高温封装 补偿电路
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高温压力传感器温度漂移补偿研究 被引量:9
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作者 王权 丁建宁 +1 位作者 王文襄 范真 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第2期13-15,共3页
针对高温压力传感器耐高温和高压的测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅杯式芯片版图,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片,在微加工平台上制作了该芯片,获得了差动等臂等应变的惠斯登检测电桥。... 针对高温压力传感器耐高温和高压的测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅杯式芯片版图,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片,在微加工平台上制作了该芯片,获得了差动等臂等应变的惠斯登检测电桥。对采用耐高温封装后的传感器的热零点漂移、热灵敏度漂移和零位输出的补偿作了研究,设计了补偿电路,推导了热灵敏度漂移补偿的计算公式,在通用型高温压力传感器的研发中证明其可行性和实用性,并总结出了经验公式。 展开更多
关键词 高温压力传感器 惠斯登电桥 恒流源 温度系数补偿
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通用型耐高温微型压力传感器封装工艺研究 被引量:3
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作者 王权 丁建宁 王文襄 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2005年第6期6-7,共2页
针对通用型高温微型压力传感器的测量要求,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片4层结构Pt5Si2-Ti-Pt-Au合金化引线系统,解决了高温压力传感器引线的难点。制作了静电键合实验装置,完成了硅/玻璃环... 针对通用型高温微型压力传感器的测量要求,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片4层结构Pt5Si2-Ti-Pt-Au合金化引线系统,解决了高温压力传感器引线的难点。制作了静电键合实验装置,完成了硅/玻璃环静电键合,制作了压焊工作台,选用退火后的金丝,金金连接完成内引线键合。自制了耐高温覆铜传引板,定制了含Ag的高温焊锡丝,选用了耐高温导线作为外导线,完成了耐高温封装的关键部分。研制了高精度、稳定性的压阻式压力传感器。 展开更多
关键词 高温压力传感器 引线 静电键合 热压焊 耐高温封装
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一种硅芯片/玻璃环静电键合的简易装置 被引量:2
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作者 王权 丁建宁 +1 位作者 王文襄 杨平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期214-216,221,共4页
随着微机电系统(MEMS)技术的发展,促进了半导体硅压阻式压力传感器低成本和集成化,使其得到了广泛应用;在压阻式压力传感器无应力封装工艺中,硅芯片/PYREX7740玻璃环静电键合起着重要的作用。本文论述了静电键合基本原理,以此研制了适... 随着微机电系统(MEMS)技术的发展,促进了半导体硅压阻式压力传感器低成本和集成化,使其得到了广泛应用;在压阻式压力传感器无应力封装工艺中,硅芯片/PYREX7740玻璃环静电键合起着重要的作用。本文论述了静电键合基本原理,以此研制了适合于大批量生产的静电键合简易装置,实践表明此装置易操作,施加键合静电电压降为160V,键合时间缩短为约2分钟,键合界面具有较大的封接强度和耐高温冲击性,满足了压力传感器制作的无应力封装的需要,具有实用性。 展开更多
关键词 压阻式压力传感器 硅芯片 PYREX7740 静电键合 简易装置
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一种硅芯片外引线键合的热压焊简易装置
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作者 王权 丁建宁 王文襄 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期417-419,共3页
为满足压阻式压力传感器封装工艺中硅芯片外引线键合的要求,研制了热压焊简易装置;研究了金铝压焊处金属间化合物扩散深度随温度增长关系.键合试验中,调节压焊控制台电压使衬底温度保持在150~200℃,压焊头辟刀温度保持在150℃左右,保... 为满足压阻式压力传感器封装工艺中硅芯片外引线键合的要求,研制了热压焊简易装置;研究了金铝压焊处金属间化合物扩散深度随温度增长关系.键合试验中,调节压焊控制台电压使衬底温度保持在150~200℃,压焊头辟刀温度保持在150℃左右,保证了压焊点接触的可靠性.实践表明,该装置容易操作,适合于大批量生产,具有一定的经济效益. 展开更多
关键词 压阻式压力传感器 引线键合 热压焊 金丝
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