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多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究
被引量：
2
1
作者
刘翠翠
林楠
+2 位作者
马骁宇
张月明
刘素平
《中国光学（中英文）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期1512-1523,共12页
腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaA...
腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaAs高功率量子阱半导体激光器初级外延片,以外延Si单晶层作为扩散源,结合快速热退火方法开展了杂质诱导量子阱混杂研究。探索了介质层生长温度、介质层厚度、热处理温度、热处理时间等条件对混杂效果的影响。结果表明,50 nm的650℃低温外延Si介质层并结合875℃/90 s快速热退火处理可在保证光致发光谱的同时获得约57 nm的波长蓝移量。能谱测试发现,Si杂质扩散到初级外延片上的波导层是导致量子阱混杂效果显著的关键。
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关键词
半导体激光器
量子阱混杂
快速热退火
波长蓝移
光致发光谱
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职称材料
题名
多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究
被引量：
2
1
作者
刘翠翠
林楠
马骁宇
张月明
刘素平
机构
中国原子能
科学
研究院国家原子能机构抗辐照应用技术创新中心
中国
科学
院半导体研究所光电子器件国家工程中心
中国
科学
院大学材料
科学
与光电技术学院
日立
科学仪器
(
北京
)
有限公司
出处
《中国光学（中英文）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第6期1512-1523,共12页
基金
广东省重点领域研发计划项目(No.2020B090922003)
中核集团"青年英才"科研项目(No.11FY212306000801)。
文摘
腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaAs高功率量子阱半导体激光器初级外延片,以外延Si单晶层作为扩散源,结合快速热退火方法开展了杂质诱导量子阱混杂研究。探索了介质层生长温度、介质层厚度、热处理温度、热处理时间等条件对混杂效果的影响。结果表明,50 nm的650℃低温外延Si介质层并结合875℃/90 s快速热退火处理可在保证光致发光谱的同时获得约57 nm的波长蓝移量。能谱测试发现,Si杂质扩散到初级外延片上的波导层是导致量子阱混杂效果显著的关键。
关键词
半导体激光器
量子阱混杂
快速热退火
波长蓝移
光致发光谱
Keywords
semiconductor lasers
quantum well intermixing
rapid thermal annealing
blue shift
photoluminescence spectra
分类号
TN248.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究
刘翠翠
林楠
马骁宇
张月明
刘素平
《中国光学（中英文）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
2
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