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应用X射线光刻的微针阵列及掩模板补偿
被引量：
5
1
作者
陈少军
李以贵
杉山进
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期420-425,共6页
提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状...
提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状并非完全与掩模板上吸收体的形状一致。如果不对X光光刻掩模板的吸收体形状进行补偿,即会使被加工的微结构侧面变形,从而影响微针的性能。分析了微针阵列侧面变形的原因,认为这种变形是由于显影时间与曝光量之间的非线性关系导致结构形状与曝光量分布不完全一致造成的。利用PCT方法制作的PMMA微针其长度为100～750μm,直径为30～150μm,针尖的直径最小可达100nm。通过对LIGA掩模板上的吸收体图形进行适当的补偿,使吸收体图形从中空的双直角三角形变为中空的半椭圆图形,增强了带沟道的微注射针阵列的强度。
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关键词
X射线光刻
聚甲基丙烯酸甲酯
三维微结构
掩模
吸收体
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职称材料
题名
应用X射线光刻的微针阵列及掩模板补偿
被引量：
5
1
作者
陈少军
李以贵
杉山进
机构
上海交通
大学
微
纳米科学技术
研究
院薄膜与
微
细技术教育部重点实验室
微
米/纳米加工技术国家级重点实验室
日本立命馆大学微系统研究中心
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期420-425,共6页
基金
上海市浦江人才计划资助项目(No.09PJ1406200)
国家自然科学基金资助项目(No.60777016)
+1 种基金
科技部国际合作资助项目(No.2009DFB10330)
航空重点实验室基金资助项目(No.20080857002)
文摘
提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状并非完全与掩模板上吸收体的形状一致。如果不对X光光刻掩模板的吸收体形状进行补偿,即会使被加工的微结构侧面变形,从而影响微针的性能。分析了微针阵列侧面变形的原因,认为这种变形是由于显影时间与曝光量之间的非线性关系导致结构形状与曝光量分布不完全一致造成的。利用PCT方法制作的PMMA微针其长度为100～750μm,直径为30～150μm,针尖的直径最小可达100nm。通过对LIGA掩模板上的吸收体图形进行适当的补偿,使吸收体图形从中空的双直角三角形变为中空的半椭圆图形,增强了带沟道的微注射针阵列的强度。
关键词
X射线光刻
聚甲基丙烯酸甲酯
三维微结构
掩模
吸收体
Keywords
X-ray lithography
PMMA
three-dimensional microstructure
mask
absorber
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用X射线光刻的微针阵列及掩模板补偿
陈少军
李以贵
杉山进
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
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