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近晶型液晶相变的尖点突变模型(英文)
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作者 裴东河 李向彤 +3 位作者 孙伟志 饭村靖文 小林骏介 泉屋周一 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第2期86-91,共6页
利用突变理论的尖点突变模型对近晶液晶的SmA-SmC相变过程进行了研究。这个相变模型包含状态参数P;与液晶体系的盒厚和表面能相关的参数α;与温度和磁场相关的参数β。从Landau自由能系统的这三组参数出发,得到了两个... 利用突变理论的尖点突变模型对近晶液晶的SmA-SmC相变过程进行了研究。这个相变模型包含状态参数P;与液晶体系的盒厚和表面能相关的参数α;与温度和磁场相关的参数β。从Landau自由能系统的这三组参数出发,得到了两个稳定区和一个亚稳区的相空间。在这三维空间中不同的相变途径得到连续变化、弱连续变化或尖点突变式不连续变化,从而通过尖点突变模型可以预测近晶型液晶体系的状态变化。当磁场强度、盒厚和表面能取常值时,其结果与C.C.Huang等人的研究结果一致。 展开更多
关键词 突变理论 尖点突变模型 SmA-SmC相变 近晶液晶 状态参数 Landau自由能系统
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