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铜线键合的抗氧化技术研究
被引量：
2
1
作者
范象泉
王德峻
+2 位作者
从羽奇
张滨海
王家楫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期17-21,共5页
在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球...
在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球的形貌,金属熔球表面的氧原子数分数和表面氧化层的厚度。研究表明,保护气体流量为0.51 L/min时,可以在保证成本较低的情况下获得最佳的抗氧化效果。通过XPS和TEM分析发现,铜线表面涂覆金属钯可以延长铜线的存储寿命,降低键合界面的氧含量,提高键合的可靠性。
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关键词
引线键合
铜线
氧化
镀钯
保护气体
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职称材料
题名
铜线键合的抗氧化技术研究
被引量：
2
1
作者
范象泉
王德峻
从羽奇
张滨海
王家楫
机构
复旦大学材料科学系
日
月光
封装
测试
(
上海
)
有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期17-21,共5页
文摘
在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球的形貌,金属熔球表面的氧原子数分数和表面氧化层的厚度。研究表明,保护气体流量为0.51 L/min时,可以在保证成本较低的情况下获得最佳的抗氧化效果。通过XPS和TEM分析发现,铜线表面涂覆金属钯可以延长铜线的存储寿命,降低键合界面的氧含量,提高键合的可靠性。
关键词
引线键合
铜线
氧化
镀钯
保护气体
Keywords
wire bonding
copper wire
oxidation
palladium plated
forming gas
分类号
TN305.93 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜线键合的抗氧化技术研究
范象泉
王德峻
从羽奇
张滨海
王家楫
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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