-
题名气密性封装内部水汽含量的控制
被引量：14
- 1
-
-
作者
丁荣峥
-
机构
无锡微电子科研中心三室
-
出处
《电子与封装》
2001年第1期34-38,共5页
-
文摘
气密性封装内部水汽含量过高,会使芯片及电连接系统发生各种物理化学反应,从而造成器件参数不稳定甚至失效,为了保证空封半导体器件的可靠性,生产上不仅需要检测器件封装的气密性,而且需对器件内部水汽含量进行有效的控制。因国内许多生产单位不具备对内部水汽含量进行有效控制的条件和检测设备,因而通过本文的讨论并采用有效防止水汽存在或引入器件的内部,使水汽含量控制在规定的范围内(GJB548A-96、GJB33A-97规定内部水汽含量为:100±5℃,烘24小时以上,小于5000ppmV,且这是最低要求)。因要使器件(未经钝化处理)无因水汽引起的失效,最稳妥的办法是使器件内部水汽含量小于500ppmv;实际上,对大多数器件内部水汽含量若能保持在1000ppmv 以下即能保证器件可靠运行。我们采用合金烧结芯片、合金封帽的器件其内部水汽含量控制在300ppmV 左右,聚合物导电胶装片、合金封帽的在1200ppmV 左右,银玻璃装片、Pb-Sn-Ag 合金封帽的在3000ppmV 左右,即便有某些偏差,亦能保证内部水汽含量控制在较低的范围内,使生产的器件可靠性大大提高,并能100%通过水汽含量检测。
-
关键词
气密性
内部水汽含量
可靠性
-
分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名封装腔体内自由粒子的控制
被引量：3
- 2
-
-
作者
丁荣峥
-
机构
无锡微电子科研中心三室
-
出处
《电子与封装》
2001年第2期24-26,共3页
-
文摘
本文对陶封电路封装腔体内的自由粒子进行了研究分析,阐述了自由粒子的来源、对粒子数量的控制方法和途径并做了PIND 试验。
-
关键词
封装腔体
自由粒子
工艺控制
-
分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名气密性半导体器件无损检漏误判探讨
被引量：1
- 3
-
-
作者
周悦
-
机构
无锡微电子科研中心三室
-
出处
《电子与封装》
2002年第1期15-20,共6页
-
文摘
本文对器件无损检漏中的误判提出了有效的回避方法,对提高器件可靠性有一定的实际意义。
-
关键词
气密性
无损检漏
检漏
误判
-
分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名MCM-D的设计与制作一例
- 4
-
-
作者
肖汉武
-
机构
无锡微电子科研中心三室
-
出处
《电子与封装》
2001年第1期26-28,共3页
-
文摘
介绍了 MCM-D 的设计和 MCM-D 多层布线基板的制作、组装情况。
-
关键词
MCM-D设计
多层布线基板
组装
-
分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
-
