Voronoi图在无线传感器网络栅栏覆盖中的应用研究 被引量：7

1

作者 秦宁宁 盖祎 +2 位作者 张林 蒋敏峰 徐保国 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2008年第3期863-865,共3页

Voronoi是计算几何学中的一个重要图结构,将其引入到无线传感器网络的覆盖控制中,特别是栅栏覆盖(barrier coverage)的研究中有着极其重要的指导意义。利用Voronoi图的划分,可快速搜索出传感器网络中的覆盖漏洞,在仅考虑邻近传感器节点... Voronoi是计算几何学中的一个重要图结构,将其引入到无线传感器网络的覆盖控制中,特别是栅栏覆盖(barrier coverage)的研究中有着极其重要的指导意义。利用Voronoi图的划分,可快速搜索出传感器网络中的覆盖漏洞,在仅考虑邻近传感器节点影响的宽松覆盖要求下,论证出利用该图生成的最小暴露进攻轨迹逼近于理想情况;但由于Voronoi的划分仅仅是一种粗略的轨迹线段的集合,会造成该方法对网络拓扑情况相当敏感,这将一定程度上限制其应用范围。 展开更多

关键词 无线传感器网络 VORONOI图 栅栏覆盖 进攻轨迹

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盐雾对集成电路性能的影响 被引量：13

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作者 杜迎 朱卫良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期56-58,55,共4页

主要讲述了塑封电路、陶封电路和玻璃封装电路的成分,并对盐雾试验对它们的影响进行了理论分析。

关键词 盐雾 集成电路 性能影响 塑封电路 陶封电路 玻璃封装电路

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传感器网络中节点感应模型与相关工作的比较 被引量：3

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作者 秦宁宁 蒋敏峰 +1 位作者 熊伟丽 徐保国 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2010年第9期3480-3483,共4页

在传感器网络中,对节点感应性能的衡量指标存在无明确分类和定义难以统一的问题。为解决这种感应模型设计、选择的合理性问题,从瞬时和长时两个方面对已有的各种感应模型进行分类分析,并提出一种新的瞬时感应性能模型——面向认知过程... 在传感器网络中,对节点感应性能的衡量指标存在无明确分类和定义难以统一的问题。为解决这种感应模型设计、选择的合理性问题,从瞬时和长时两个方面对已有的各种感应模型进行分类分析,并提出一种新的瞬时感应性能模型——面向认知过程的感应模型;通过比较各种模型,得出其间的关联关系和应用特性,为进行网络拓扑和覆盖控制研究奠定基础;最后通过仿真验证了分析结论。 展开更多

关键词 无线传感器网络 感应模型 瞬时 长时

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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究 被引量：1

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作者 于宗光 徐征 +4 位作者 叶守银 张国华 黄卫 王万业 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页

本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 . 展开更多

关键词 EEPROM 隧道氧化层 擦写过程 陷阱俘获电荷

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一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计 被引量：1

5

作者 于宗光 叶守银 +2 位作者 夏树荣 徐征 杨功成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期57-59,共3页

提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路。该电路设计思想新颖 ,可在不影响电路工作的情况下 ,对正负过压都能起良好的保护作用。

关键词 MOS 专用集成电路 输入保护电路 设计

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EoS接口电路的设计与仿真 被引量：1

6

作者 李文耀 张文辉 李志刚 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2004年第8期4-6,共3页

首先简要介绍了Ethernet over SDH系统的参考模型和Ethernet over SDH的实现过程,在此基础上,重点讨论了EoS接口电路的设计,最后,对主要电路进行了仿真。

关键词 以太网 同步数字系列 链路接入规程 电路设计 仿真

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硅衬底上BSCCO高温超导材料的制备 被引量：1

7

作者 于宗光 钱文生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期40-46,共7页

研究了采用单靶磁控溅射在Si（100）衬底上生长YSZ（钇稳定的ZrO2）和BSCCO（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件，包括生长温度、生长气氛，生长速率及氧化退火等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系，并获得了超导膜临界温度为82K的B... 研究了采用单靶磁控溅射在Si（100）衬底上生长YSZ（钇稳定的ZrO2）和BSCCO（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件，包括生长温度、生长气氛，生长速率及氧化退火等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系，并获得了超导膜临界温度为82K的BSCCO／YSZ／Si兼容材料。 展开更多

关键词 高温超导膜 BSCCO 硅衬底

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8英寸线超纯水技术的若干特点 被引量：2

8

作者 林耀泽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第9期73-76,共4页

应小于等于 ０．２５μｍ８英寸 ｆａｂ之需，介绍了实际工程的各项优越水质参数和高可靠、易运作等特点。讨论了水的回收技术、总有机碳（ＴＯＣ）减低技术和安装／配管中的零污染的可能性。

关键词 超纯水 水质 集成电路

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一种32位浮点DSP中的串行通信口的设计 被引量：1

9

作者 林贻山 冉峰 +2 位作者 薛忠杰 倪国宗 何冬明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期57-61,共5页

简要介绍串行通信口芯片的接口、功能,详细讨论了串行通信口的系统级、行为级、RTL级的设计过程,并在RTL级设计中提出了几种实现资源共享的方法,精简了系统设计结构,有效地减小了芯片的面积。

关键词 串行通信 帧同步 行为级 寄存器级 资源共享 DSP

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一种新的深硅槽工艺技术

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作者 郑宜钧 王明善 +1 位作者 贾永华 洪海燕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期56-58,共3页

提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口磋的腐蚀速率，实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深／浅硅槽工艺。

关键词 深硅槽 硅隔离 离子注入 光刻 腐蚀

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PZT热释电红外探测器 被引量：1

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作者 关平 康琳 《红外技术》 CSCD 1990年第5期33-35,共3页

讨论了锆太酸铅(PZT)热释电材料的选择原则,介绍了Zr/Ti为94/6的PZT热释电陶瓷材料的制作,并以此材料为敏感元制作成PZT红外探测器。对其基本结构、制作时存在的问题进行了研究。所制作的探测器D(500K,10Hz) 为5.7×10~8cmhz^(?)/W... 讨论了锆太酸铅(PZT)热释电材料的选择原则,介绍了Zr/Ti为94/6的PZT热释电陶瓷材料的制作,并以此材料为敏感元制作成PZT红外探测器。对其基本结构、制作时存在的问题进行了研究。所制作的探测器D(500K,10Hz) 为5.7×10~8cmhz^(?)/W不仅可用于一般的热辐射探测,还可用于强辐射(如激光)的测量。 展开更多

关键词 PZT 热释电 红外探测器

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