盐雾对集成电路性能的影响 被引量：13

1

作者 杜迎 朱卫良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期56-58,55,共4页

主要讲述了塑封电路、陶封电路和玻璃封装电路的成分,并对盐雾试验对它们的影响进行了理论分析。

关键词 盐雾 集成电路 性能影响 塑封电路 陶封电路 玻璃封装电路

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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究 被引量：1

2

作者 于宗光 徐征 +4 位作者 叶守银 张国华 黄卫 王万业 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页

本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 . 展开更多

关键词 EEPROM 隧道氧化层 擦写过程 陷阱俘获电荷

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纳米级集成电路与超纯水 被引量：6

3

作者 林耀泽 《微纳电子技术》 CAS 2002年第9期1-5,共5页

阐述美国《国家半导体技术发展路线》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求,以我国8英寸/0.18μm和12英寸生产线的相关数据与其对照,表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数已可满足该发展要求,而在SiO2、微粒限... 阐述美国《国家半导体技术发展路线》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求,以我国8英寸/0.18μm和12英寸生产线的相关数据与其对照,表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数已可满足该发展要求,而在SiO2、微粒限定、检测技术以及超纯水耗量降低等方面尚有差距和问题,并提出相应的解决方案,讨论了降低超纯水等项水资源消耗的途径。重申了水回收的意义,关注“功能水”和高效、省能的GDI(聚合型电去离子)装置将是有益的。 展开更多

关键词 纳米级集成电路 超纯水 水质 资源节约 回收

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IC工艺用超纯水系统的TOC实验研究 被引量：1

4

作者 王铁坤 华卫群 《微纳电子技术》 CAS 2003年第3期33-38,共6页

从运行管理角度,以实验方法考察了IC工艺用超纯水制造过程中TOC(总有机碳)的若干问题。通过在线测量一次纯水、二次纯水的TOC含量和相应的数据统计,评估了水平各异的两套超纯水制造系统中各主要装置对TOC的除去效率及其对TOC的影响。

关键词 IC工艺 超纯水 TOC 一次纯水 二次纯水 膜脱气 总有机碳

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一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计 被引量：1

5

作者 于宗光 叶守银 +2 位作者 夏树荣 徐征 杨功成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期57-59,共3页

提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路。该电路设计思想新颖 ,可在不影响电路工作的情况下 ,对正负过压都能起良好的保护作用。

关键词 MOS 专用集成电路 输入保护电路 设计

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EoS接口电路的设计与仿真 被引量：1

6

作者 李文耀 张文辉 李志刚 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2004年第8期4-6,共3页

首先简要介绍了Ethernet over SDH系统的参考模型和Ethernet over SDH的实现过程,在此基础上,重点讨论了EoS接口电路的设计,最后,对主要电路进行了仿真。

关键词 以太网 同步数字系列 链路接入规程 电路设计 仿真

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硅衬底上BSCCO高温超导材料的制备 被引量：1

7

作者 于宗光 钱文生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期40-46,共7页

研究了采用单靶磁控溅射在Si（100）衬底上生长YSZ（钇稳定的ZrO2）和BSCCO（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件，包括生长温度、生长气氛，生长速率及氧化退火等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系，并获得了超导膜临界温度为82K的B... 研究了采用单靶磁控溅射在Si（100）衬底上生长YSZ（钇稳定的ZrO2）和BSCCO（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件，包括生长温度、生长气氛，生长速率及氧化退火等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系，并获得了超导膜临界温度为82K的BSCCO／YSZ／Si兼容材料。 展开更多

关键词 高温超导膜 BSCCO 硅衬底

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栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取 被引量：4

8

作者 恩云飞 孔学东 +1 位作者 徐征 赵文斌 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第1期1-4,共4页

采用恒定电压和恒定电流试验方法对２０ｎｍ栅氧化层进行了ＴＤＤＢ可靠性评价试验，并完　　成了１／Ｅ模型参数提取，给出了恒定电流应力下描述氧化层ＴＤＤＢ退化的统计模型，较好地解释了试验结　　果。

关键词 栅氧化层 可靠性评价 模型 参数提取 CMOS 集成电路

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8英寸线超纯水技术的若干特点 被引量：2

9

作者 林耀泽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第9期73-76,共4页

应小于等于 ０．２５μｍ８英寸 ｆａｂ之需，介绍了实际工程的各项优越水质参数和高可靠、易运作等特点。讨论了水的回收技术、总有机碳（ＴＯＣ）减低技术和安装／配管中的零污染的可能性。

关键词 超纯水 水质 集成电路

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气密性封装内部水汽含量的控制 被引量：14

10

作者 丁荣峥 《电子与封装》 2001年第1期34-38,共5页

气密性封装内部水汽含量过高,会使芯片及电连接系统发生各种物理化学反应,从而造成器件参数不稳定甚至失效,为了保证空封半导体器件的可靠性,生产上不仅需要检测器件封装的气密性,而且需对器件内部水汽含量进行有效的控制。因国内许多... 气密性封装内部水汽含量过高,会使芯片及电连接系统发生各种物理化学反应,从而造成器件参数不稳定甚至失效,为了保证空封半导体器件的可靠性,生产上不仅需要检测器件封装的气密性,而且需对器件内部水汽含量进行有效的控制。因国内许多生产单位不具备对内部水汽含量进行有效控制的条件和检测设备,因而通过本文的讨论并采用有效防止水汽存在或引入器件的内部,使水汽含量控制在规定的范围内(GJB548A-96、GJB33A-97规定内部水汽含量为:100±5℃,烘24小时以上,小于5000ppmV,且这是最低要求)。因要使器件(未经钝化处理)无因水汽引起的失效,最稳妥的办法是使器件内部水汽含量小于500ppmv;实际上,对大多数器件内部水汽含量若能保持在1000ppmv 以下即能保证器件可靠运行。我们采用合金烧结芯片、合金封帽的器件其内部水汽含量控制在300ppmV 左右,聚合物导电胶装片、合金封帽的在1200ppmV 左右,银玻璃装片、Pb-Sn-Ag 合金封帽的在3000ppmV 左右,即便有某些偏差,亦能保证内部水汽含量控制在较低的范围内,使生产的器件可靠性大大提高,并能100%通过水汽含量检测。 展开更多

关键词 气密性 内部水汽含量 可靠性

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ASIC单元库建库方法的研究 被引量：1

11

作者 于宗光 邵锦荣 何晓娃 《半导体情报》 2000年第4期1-4,13,共5页

介绍了 ASIC单元库的含义 ,阐述了建立 ASIC单元库的一般方法。基于 COMPASS的建库工具 Mercury,阐述了建立参数库的技术 ,并简单介绍了几种典型的 ASIC单元库及应用情况。

关键词 ASIC 单元库 集成电路 建库

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高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究

12

作者 于宗光 许居衍 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期329-336,共8页

利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老... 利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为－ １．８×１０１１ ｃｍ － ２和－ １．４×１０１１ ｃｍ － ２，平均俘获截面分别为５．８×１０－ ２０ ｃｍ ２ 和７．２×１０－ ２０ ｃｍ ２，有效电荷中心距分别为３．８ ｎｍ 和４．３ ｎｍ ，界面陷阱电荷饱和密度分别为６．５４×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １和－ ３．８×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １，平均俘获截面分别为１．１２×１０－ １９ ｃｍ ２ 和４．９×１０－ １９ ｃｍ ２。 展开更多

关键词 浮栅隧道氧化层 陷阱电荷 应力 MOS晶体管

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国外EEPROM器件的可靠性增长与考核技术 被引量：1

13

作者 于宗光 何晓娃 《电子产品可靠性与环境试验》 2000年第4期38-44,共7页

分析了提高ＥＥＰＲＯＭ器件耐久性和保持特性的途径，提出了寿命预测的方法和保持特性的考核标准。

关键词 耐久性 保持特性 可靠性增长 EEPROM

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封装腔体内自由粒子的控制 被引量：3

14

作者 丁荣峥 《电子与封装》 2001年第2期24-26,共3页

本文对陶封电路封装腔体内的自由粒子进行了研究分析,阐述了自由粒子的来源、对粒子数量的控制方法和途径并做了PIND 试验。

关键词 封装腔体 自由粒子 工艺控制

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采用两种转换模式的14位逐次逼近型A/D转换器

15

作者 季惠才 蒋毅强 +2 位作者 于宗光 张甘英 田津 《电子与封装》 2002年第6期39-42,共4页

本文介绍了一种用 CMOS 工艺制作的14位逐次逼近型模数转换器。其高六位是用电阻分压来获得,低八位用电容电荷分配来实现,精度达到14位分辨率,转换器用于码声转换和语音信号处理。

关键词 A/D转换器 模块 逐次逼近

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NMOS器件ESD特性模拟

16

作者 郑若成 孙锋 吴金 《电子与封装》 2008年第3期18-21,共4页

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟... NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。 展开更多

关键词 峰值场强 触发电压VB 维持电压VH 晶格温度 二次击穿电流

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深亚微米工艺用二次纯水系统

17

作者 王铁坤 华卫群 孙勇山 《电子与封装》 2002年第2期38-44,共7页

本文介绍了深亚微米工艺用二次超纯水系统主要工艺流程及其各部分的作用。比较了一次纯水电阻率,二次纯水电阻率及二次纯水 TOC 含量的相互关系。讨论了半导体集成电路制造工艺对超纯水的水质要求以及水中杂质对半导体工艺的影响。

关键词 深亚微米 一次纯水 二次纯水

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基于LAPS的EOS接口发送电路的设计与仿真

18

作者 李文耀 张文辉 李志刚 《现代有线传输》 2004年第6期64-68,共5页

本文首先简要介绍了Ethernet over SDH的实现过程,然后,提出了EoS接口电路的总体设计方案,最后,重点讨论了基于LAPS的EoS接口发送电路的设计和仿真。

关键词 接口电路 LAPS 仿真 EOS 设计 SDH 实现过程 发送电路

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一种32位浮点DSP中的串行通信口的设计 被引量：1

19

作者 林贻山 冉峰 +2 位作者 薛忠杰 倪国宗 何冬明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期57-61,共5页

简要介绍串行通信口芯片的接口、功能,详细讨论了串行通信口的系统级、行为级、RTL级的设计过程,并在RTL级设计中提出了几种实现资源共享的方法,精简了系统设计结构,有效地减小了芯片的面积。

关键词 串行通信 帧同步 行为级 寄存器级 资源共享 DSP

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CMOS门电路延迟时间经验模型与估算

20

作者 薛忠杰 《中国集成电路》 2002年第2期52-57,共6页

本文讨论了CMOS门电路延迟时间两种手工分析模型,介绍了门延时经验模型的建立及使用方法,并与Hspice模拟结果进行了比较。手工分析模型和经验模型可用于CMOS门电路延时近似分析和计算,具有一定的实用性。

关键词 平均延迟时间 经验模型 门电路 晶体管 反相器 负载电容 非饱和区 分析模型 电源电压 传输延迟时间

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