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易解理铝酸镁钪晶片化学机械抛光工艺实验研究
1
作者
倪自丰
季明捷
+4 位作者
陈国美
张海涛
李俊杰
卞达
钱善华
《机械科学与技术》
北大核心
2025年第3期477-483,共7页
为探究化学机械抛光过程中工艺参数对铝酸镁钪晶片抛光效果的影响,该文研究了抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量3个工艺参数在化学机械抛光过程中对晶片表面材料去除的作用规律。结果表明:适当提高抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量有...
为探究化学机械抛光过程中工艺参数对铝酸镁钪晶片抛光效果的影响,该文研究了抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量3个工艺参数在化学机械抛光过程中对晶片表面材料去除的作用规律。结果表明:适当提高抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量有利于提高晶片的材料去除率和表面质量,其中抛光压力的影响最大,抛光盘转速次之,抛光液流量最小。此外,过高的抛光压力会导致晶片表面材料发生解理并出现片状剥离。因此,选择抛光压力0.2 kg/cm^(2)、抛光盘转速70 r/min、抛光液流量200 mL/min作为抛光工艺参数,铝酸镁钪晶片的材料去除率达到了5.73μm/h,且表面粗糙度值仅为1.49 nm,实现了高材料去除率的同时获得了高质量晶片表面。
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关键词
铝酸镁钪
解理材料
化学机械抛光
工艺参数
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职称材料
基于光助芬顿反应的碳化硅化学机械抛光工艺优化
被引量：
6
2
作者
章平
陈国美
+5 位作者
倪自丰
夏永
戴蒙姣
王建梅
李维民
张海涛
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期253-262,共10页
目的高效快速获得紫外光辅助作用下碳化硅(SiC)化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)的最佳加工参数。方法根据化学作用与机械作用相平衡时达到最佳抛光条件的理论,通过电化学测试的方法探究抛光液pH值、过氧化氢(Hydrogen ...
目的高效快速获得紫外光辅助作用下碳化硅(SiC)化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)的最佳加工参数。方法根据化学作用与机械作用相平衡时达到最佳抛光条件的理论,通过电化学测试的方法探究抛光液pH值、过氧化氢(Hydrogen peroxide,H_(2)O_(2))浓度、Fe_(2)+浓度、紫外光功率等对基体表面氧化膜形成速率(化学作用)的影响;在最大氧化膜形成速率条件下,以材料去除率(Material removal rate,MRR)和表面粗糙度(Average roughness,Ra)为指标,通过调节抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量等工艺参数,探究工艺参数对碳化硅加工过程中氧化膜去除速率(机械作用)的作用规律,寻求机械作用与化学作用的平衡点,获取紫外光辅助作用下SiC CMP的最佳工艺参数。结果在pH值为3、H_(2)O_(2)的质量分数为4%、Fe_(2)+浓度为0.4 mmol/L、紫外光功率为32 W时,化学作用达到最大值。在最大化学作用条件下,抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量分别为38.68 kPa、120 r/min、90 mL/min时,化学作用与机械作用最接近于平衡点,此时材料去除率为92 nm/h,表面粗糙度的最低值为0.158 nm。结论根据研究结果,电化学测试可以作为探究晶片表面氧化速率较高时所需加工参数的有效手段,进一步调节工艺参数,使化学作用速率与机械去除速率相匹配,高效地获得了材料去除率和表面质量较高的晶片。
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关键词
碳化硅
紫外光辅助
化学机械抛光
芬顿反应
工艺优化
化学作用
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职称材料
题名
易解理铝酸镁钪晶片化学机械抛光工艺实验研究
1
作者
倪自丰
季明捷
陈国美
张海涛
李俊杰
卞达
钱善华
机构
江南大学机械工程学院
江苏省微纳增减材制造工程研究中心
无锡
商业职业技术学院机电技术学院
无锡吴越半导体有限公司
出处
《机械科学与技术》
北大核心
2025年第3期477-483,共7页
基金
国家自然科学基金项目(52205196)
江苏省高校青蓝工程项目(2021)。
文摘
为探究化学机械抛光过程中工艺参数对铝酸镁钪晶片抛光效果的影响,该文研究了抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量3个工艺参数在化学机械抛光过程中对晶片表面材料去除的作用规律。结果表明:适当提高抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量有利于提高晶片的材料去除率和表面质量,其中抛光压力的影响最大,抛光盘转速次之,抛光液流量最小。此外,过高的抛光压力会导致晶片表面材料发生解理并出现片状剥离。因此,选择抛光压力0.2 kg/cm^(2)、抛光盘转速70 r/min、抛光液流量200 mL/min作为抛光工艺参数,铝酸镁钪晶片的材料去除率达到了5.73μm/h,且表面粗糙度值仅为1.49 nm,实现了高材料去除率的同时获得了高质量晶片表面。
关键词
铝酸镁钪
解理材料
化学机械抛光
工艺参数
Keywords
ScAlMgO_(4)
cleaved materials
chemical mechanical polishing
process parameters
分类号
TG356.28 [金属学及工艺—金属压力加工]
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职称材料
题名
基于光助芬顿反应的碳化硅化学机械抛光工艺优化
被引量：
6
2
作者
章平
陈国美
倪自丰
夏永
戴蒙姣
王建梅
李维民
张海涛
机构
江南大学机械工程学院
无锡
商业职业技术学院机电技术学院
无锡
创明传动工程
有限公司
深圳杰明纳微电子科技
有限公司
无锡吴越半导体有限公司
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期253-262,共10页
基金
江苏省研究生科研创新计划(KYCX20_1926)
国家自然科学基金(51305166,51675232)
+1 种基金
江苏省高校自然科学研究项目(19KJB460023)
江苏省高校青蓝项目(2021)。
文摘
目的高效快速获得紫外光辅助作用下碳化硅(SiC)化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)的最佳加工参数。方法根据化学作用与机械作用相平衡时达到最佳抛光条件的理论,通过电化学测试的方法探究抛光液pH值、过氧化氢(Hydrogen peroxide,H_(2)O_(2))浓度、Fe_(2)+浓度、紫外光功率等对基体表面氧化膜形成速率(化学作用)的影响;在最大氧化膜形成速率条件下,以材料去除率(Material removal rate,MRR)和表面粗糙度(Average roughness,Ra)为指标,通过调节抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量等工艺参数,探究工艺参数对碳化硅加工过程中氧化膜去除速率(机械作用)的作用规律,寻求机械作用与化学作用的平衡点,获取紫外光辅助作用下SiC CMP的最佳工艺参数。结果在pH值为3、H_(2)O_(2)的质量分数为4%、Fe_(2)+浓度为0.4 mmol/L、紫外光功率为32 W时,化学作用达到最大值。在最大化学作用条件下,抛光压力、抛光盘转速、抛光液流量分别为38.68 kPa、120 r/min、90 mL/min时,化学作用与机械作用最接近于平衡点,此时材料去除率为92 nm/h,表面粗糙度的最低值为0.158 nm。结论根据研究结果,电化学测试可以作为探究晶片表面氧化速率较高时所需加工参数的有效手段,进一步调节工艺参数,使化学作用速率与机械去除速率相匹配,高效地获得了材料去除率和表面质量较高的晶片。
关键词
碳化硅
紫外光辅助
化学机械抛光
芬顿反应
工艺优化
化学作用
Keywords
SiC
UV-assisted
chemical mechanical polishing
Fenton reaction
process optimization
chemical action
分类号
TG356.28 [金属学及工艺—金属压力加工]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
易解理铝酸镁钪晶片化学机械抛光工艺实验研究
倪自丰
季明捷
陈国美
张海涛
李俊杰
卞达
钱善华
《机械科学与技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
基于光助芬顿反应的碳化硅化学机械抛光工艺优化
章平
陈国美
倪自丰
夏永
戴蒙姣
王建梅
李维民
张海涛
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
6
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