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130nm CMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响: 1; 作者陈晓亮陈天 +1 位作者钱忠健孙伟锋《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期938-944,955,共8页; 在深亚微米CMOS集成电路制造工艺中,应力对MOS器件性能的影响已经不可忽略。应力可以改变半导体载流子的迁移率,因此影响MOS器件的饱和电流。通过对不同版图布局的MOS器件饱和电流进行分析,研究了130 nm CMOS工艺中浅槽隔离(STI)和金属... 展开更多; 关键词浅槽隔离(STI) 金属硅化物饱和电流应力版图设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

精密掩模清洗及保护膜安装工艺被引量：1: 2; 作者赵延峰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期151-154,共4页; 光刻工艺及其成品率对掩模洁净度要求极高。通过一系列研究分析,找到了传统掩模清洗工艺的一些缺点和局限性,借鉴和参考了传统掩模清洗工艺,克服了其局限性。基于精密掩模对加工质量的高要求,安装了保护膜并改进了精密掩模清洗工艺,通... 展开更多; 关键词掩模清洗工艺保护膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响: 3; 作者陈晓亮陈天 +1 位作者钱忠健张强《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期135-139,共5页; 浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布... 展开更多; 关键词浅槽隔离(STI) 热应力漏电流牺牲氧化层(SAC OX) 静态随机存储器(SRAM); 在线阅读下载PDF 职称材料

两象限零电压开关DC-DC的设计与实现: 4; 作者吴建忠刘迎迎张创《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期273-278,282,共7页; 传统的DC-DC转换器由电感、电容构成,通常电感和电容的面积很大,而且在开关导通和关断时的损耗严重。文章分析了两象限零电压开关准谐振(ZVS-QRC)DC-DC转换器的原理,使用罗氏谐振器产生脉冲宽度调制(PWM)信号,并设计了驱动及控制逻辑电... 展开更多; 关键词 DC-DC转换器零电压开关两象限工作高功率密度高转换效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名130nm CMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响: 1; 作者陈晓亮陈天钱忠健孙伟锋; 机构东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心无锡华润微电子有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期938-944,955,共8页; 文摘在深亚微米CMOS集成电路制造工艺中,应力对MOS器件性能的影响已经不可忽略。应力可以改变半导体载流子的迁移率,因此影响MOS器件的饱和电流。通过对不同版图布局的MOS器件饱和电流进行分析,研究了130 nm CMOS工艺中浅槽隔离(STI)和金属硅化物引起的应力对器件饱和电流的影响。结果表明,器件沟道长度方向的STI应力使PMOS器件饱和电流提高10%左右,同时使NMOS器件饱和电流降低20%~30%;而沟道宽度方向STI应力使NMOS器件饱和电流降低16%~20%,使PMOS器件饱和电流降低14%。相对来说,除了沟道长度方向的金属硅化物拉伸应力对NMOS器件影响较大外,金属硅化物引起的其他应力对MOS器件性能的影响较弱。通过对130 nm CMOS工艺应力的分析,可以指导版图设计,从而改善器件和电路性能。; 关键词浅槽隔离(STI) 金属硅化物饱和电流应力版图设计; Keywords shallow trench isolation(STI) silicide saturation current stress layout design; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名精密掩模清洗及保护膜安装工艺被引量：1: 2; 作者赵延峰; 机构无锡华润微电子有限公司掩模工厂; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期151-154,共4页; 基金国家部委基金项目; 文摘光刻工艺及其成品率对掩模洁净度要求极高。通过一系列研究分析,找到了传统掩模清洗工艺的一些缺点和局限性,借鉴和参考了传统掩模清洗工艺,克服了其局限性。基于精密掩模对加工质量的高要求,安装了保护膜并改进了精密掩模清洗工艺,通过试验形成了最终工艺。新清洗工艺的开发满足了0.5μm掩模加工洁净度要求。; 关键词掩模清洗工艺保护膜; Keywords mask cleaning process pellicle; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学] TN305.97 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响: 3; 作者陈晓亮陈天钱忠健张强; 机构无锡华润微电子有限公司华润上华科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期135-139,共5页; 基金国家科技重大专项资助项目(2009ZX02305-002); 文摘浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布进行了仿真分析,通过分组实验对静态随机存储器(SRAM)芯片静态漏电流进行了测试分析。结果表明,牺牲氧化层工艺引起的热应力是导致SRAM漏电流的主要因素,其工艺温度越高,STI应力减小,芯片的漏电流则越小;而取消牺牲氧化层工艺可以获得更小的应力和漏电流。栅氧化层退火工艺可以有效释放应力并修复应力产生的缺陷,退火温度越高漏电流越小,片内一致性也越好。因此,对热工艺过程进行优化,避免热应力积累,是CMOS集成电路工艺开发过程中要考虑的关键问题之一。; 关键词浅槽隔离(STI) 热应力漏电流牺牲氧化层(SAC OX) 静态随机存储器(SRAM); Keywords shallow trench isolation(STI) thermal stress leakage current sacrificial oxide(SAC OX) static random access memory(SRAM); 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名两象限零电压开关DC-DC的设计与实现: 4; 作者吴建忠刘迎迎张创; 机构无锡华润微电子有限公司无锡新硅微电子有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期273-278,282,共7页; 文摘传统的DC-DC转换器由电感、电容构成,通常电感和电容的面积很大,而且在开关导通和关断时的损耗严重。文章分析了两象限零电压开关准谐振(ZVS-QRC)DC-DC转换器的原理,使用罗氏谐振器产生脉冲宽度调制(PWM)信号,并设计了驱动及控制逻辑电路,实现了电路设计。采用MicroSim Pspice进行了电路仿真,最终测试了不同组合的电感和电容下的功率密度和转换效率的数据。结果表明,该设计有效减小了功率损耗,并提高了功率密度和转换效率。; 关键词 DC-DC转换器零电压开关两象限工作高功率密度高转换效率; Keywords DC-DC converter zero-vohage-switching two-quadrant operation high powerdensity high transfer efficiency; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	130nm CMOS工艺中应力对MOS器件饱和电流的影响	陈晓亮陈天钱忠健孙伟锋	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	精密掩模清洗及保护膜安装工艺	赵延峰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响	陈晓亮陈天钱忠健张强	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	两象限零电压开关DC-DC的设计与实现	吴建忠刘迎迎张创	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料